【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种半导体结构的制作方法、掩膜结构及半导体结构。
技术介绍
1、伴随着半导体设备的小型化及集成化而需要实现更加细微图案，作为形成这种细微图案的方法，需要利用图案化的硬掩膜(hardmask)来蚀刻被蚀刻层的工艺，而图案化的硬掩膜需要利用光致抗蚀剂图案蚀刻形成。
2、随着半导体工艺更加细微化、特征尺寸越来越小、设计图案更加复杂，得到的图案化的硬掩膜容易形成部分过蚀刻或部分蚀刻不足的缺陷。
3、如何得到均一性较好、无损伤的图案化的硬掩膜成为亟待解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构的制作方法、掩膜结构及半导体结构。
2、根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体结构的制作方法，所述制作方法包括：
3、提供衬底；
4、依次形成覆盖在所述衬底表面的掩膜层、停止层；
5、在所述停止层上形成第一图案转移层；
6、形成覆盖所述第一图案转移层侧壁的间隔层；<...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述衬底包括阵列区和核心区；所述第一图案转移层包括位于所述阵列区的第一子图案、位于所述核心区的第二子图案，所述第一子图案的图案密度与所述第二子图案的图案密度不同；所述第二图案转移层包括位于所述阵列区的第三子图案、位于所述核心区的第四子图案，所述第三子图案的厚度大小与所述第一子图案的图案密度大小成正比，所述第四子图案的厚度大小与所述第二子图案的图案密度大小成正比。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述第三图案转
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述衬底包括阵列区和核心区；所述第一图案转移层包括位于所述阵列区的第一子图案、位于所述核心区的第二子图案，所述第一子图案的图案密度与所述第二子图案的图案密度不同；所述第二图案转移层包括位于所述阵列区的第三子图案、位于所述核心区的第四子图案，所述第三子图案的厚度大小与所述第一子图案的图案密度大小成正比，所述第四子图案的厚度大小与所述第二子图案的图案密度大小成正比。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述第三图案转移层包括：
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述掩膜结构包括：
5.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述间隔层的间隙中形成第二图案转移层包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，第一刻蚀源对所述停止层的刻蚀速率小于对所述间隔层的刻蚀速率；
8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述停止层和所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：宛强，问明亮，崔静思，方淼焱，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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