【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于陶瓷加工，具体涉及一种酸相薄膜辅助激光加工氮化铝陶瓷的方法和系统。
技术介绍
1、随着无线电技术的快速发展，在微波和射频等高频段工作的设备以及电路朝着微型化、集成化方向发展。芯片作为设备工作的中枢，在工作过程中会产生大量的热，使得芯片的工作温度升高，严重影响设备的正常运转。目前最有效地方法是提高芯片的散热效率，在芯片封装结构上加工散热结构是主要的方法。
2、氮化铝(aln)陶瓷具有导热系数高、热膨胀系数低、介电常数低和高频下介电损耗低等优点，与beo相比无毒副作用，且与si膨胀系数相近，是理想的电子封装材料。
3、但是由于aln陶瓷的难加工性，目前aln陶瓷加工技术存在一定的局限性，如传统的机械加工容易使aln陶瓷薄层产生裂纹甚至破碎，并且刀具磨损严重，成本较高。
4、基于此，本领域逐渐开始选择无需刀具磨损的激光加工的方式处理aln陶瓷。然而激光加工也具有局限性，以激光-酸铣工艺为例，这种工艺虽然能够在一定程度上提高材料的加工效率，但是在加工过程中需要将aln陶瓷在化学场和激光能量场这两...
【技术保护点】
1.一种酸相薄膜辅助激光加工氮化铝陶瓷的方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸液为盐酸和/或硫酸；所述酸液的浓度为4～6mol/L，所述酸液的折射率为1.39～1.51。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸相薄膜的厚度为200～500μm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述激光扫描时，所述酸液的温度为70～90℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光扫描前包括：根据激光焦点位移公式调节激光的聚焦平面。
6.根据权利要求5所述的方法...
【技术特征摘要】
1.一种酸相薄膜辅助激光加工氮化铝陶瓷的方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸液为盐酸和/或硫酸；所述酸液的浓度为4～6mol/l，所述酸液的折射率为1.39～1.51。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸相薄膜的厚度为200～500μm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述激光扫描时，所述酸液的温度为70～90℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光扫描前包括：根据激光焦点位移公式调节激光的聚焦平面。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述激光焦点位移公式为：δf＝l(1-1/n)；其中，△f为激光焦点移动距离，l为酸相薄膜的厚度，n为酸液的折射率。
7...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈妮，刘嘉伟，贾益博，肖何，赵俊熠，何宁，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：
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