一种还原炉气体置换方法、装置以及多晶硅生产系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种还原炉气体置换方法、装置以及多晶硅生产系统，该方法包括：对还原炉进行仿真模拟，得到还原炉的气体置换参数。根据气体置换参数中第一流体参数，控制第一调节阀和卸压阀门的开启或关闭，向还原炉内进行第一置换气体的充压和吹扫，第一置换气体为保护性气体，以完成还原炉的第一阶段置换。根据气体置换参数中第二流体参数，控制第二调节阀和卸压阀门的开启或关闭，向还原炉内进行第二置换气体的吹扫，以完成还原炉的第二阶段置换。该置换方法能够高效且低成本地对还原炉中的气体进行置换，且能够降低气体置换过程中的安全风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术具体涉及一种还原炉气体置换方法、装置以及多晶硅生产系统。

技术介绍

1、在多晶硅生产
，随着市场的进一步发展，新增产能的释放，客户对其所需硅料的质量管控标准将会进一步提升。而还原工艺作为多晶硅生产的核心技术之一，还原置换工艺的置换效率对多晶硅产品的质量具有重要影响。在还原炉启炉之前，需要对炉内气体进行置换处理。目前还原置换工艺流程中，为降低置换过程中的氧含量，大多数企业所采用的置换方式大多为充放式和抽真空的方式。

2、对于充放式而言，不仅耗时较长且存在置换盲区。同时为了降低置换过程中氧气含量，常见的方式为不断增加置换次数，虽然能够达到较好的置换效果，但是会增加气体置换的非在线时长，并且置换气体的消耗成本会大幅增长。

3、对于抽真空的置换方式，不仅需要额外增加设备，而且后期设备维护费用较高，由于生产工艺中设备、管线等存在内漏的情况，易发生闪爆风险，给整个生产造成较大的安全隐患。

4、综上，上述的置换方式在气体置换过程中均存在不合理之处，即容易出现置换不彻底、存在安全隐患且置换成本较高的问题。

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【技术保护点】

1.一种还原炉气体置换方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的还原炉气体置换方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

3.根据权利要求2所述的还原炉气体置换方法，其特征在于，所述步骤S12、根据所述还原炉的计算模型，对所述还原炉的第一阶段置换进行模拟仿真，得到所述还原炉的第一流体参数，包括：

4.根据权利要求3所述的还原炉气体置换方法，其特征在于，所述第一求解条件包括第一入口边界条件、第一出口边界条件和第一炉内模拟压力；

5.根据权利要求2所述的还原炉气体置换方法，其特征在于，所述步骤S13、根据所述还原炉的计算模型，对所述还原炉的第...

【技术特征摘要】

1.一种还原炉气体置换方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的还原炉气体置换方法，其特征在于，所述步骤s1包括：

3.根据权利要求2所述的还原炉气体置换方法，其特征在于，所述步骤s12、根据所述还原炉的计算模型，对所述还原炉的第一阶段置换进行模拟仿真，得到所述还原炉的第一流体参数，包括：

4.根据权利要求3所述的还原炉气体置换方法，其特征在于，所述第一求解条件包括第一入口边界条件、第一出口边界条件和第一炉内模拟压力；

5.根据权利要求2所述的还原炉气体置换方法，其特征在于，所述步骤s13、根据所述还原炉的计算模型，对所述还原炉的第二阶段置换进行模拟仿真，得到所述还原炉的第二流体参数，包括：

6.根据权利要求5所述的还原炉气体置换方法，其特征在于,所述第二求解条件包括第二入口边界条件、第二出口边界条件和第二炉内模拟压力；

7.根据权利要求2所述的还原炉气体置换方法，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的还原炉气体置换方法，其特征在于，所述根据第一进气流量值、第一炉内置换压力和第一置换时长，调节第一调节阀(14)和卸压阀门(22)的开度，向所述还原炉进行吹扫的步骤，还包括：

9.根据权利要求7所述的还原炉气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭鸿，冯留建，段旭阳，胡雷，刘兴平，董越杰，马文丽，赵雅兰，加依达尔·包啦提，
申请(专利权)人：新特能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：