【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及六方氮化硼薄膜制备，具体涉及一种制备六方氮化硼薄膜的方法及装置。
技术介绍
1、现有的六方氮化硼制备方法中，主要是利用化学气相沉积法在铜箔表面生长六方氮化硼薄膜，将氨硼烷或硼嗪等单一氮硼源作为前驱体在金属基底表面生长单层或多层六方氮化硼。
2、现有技术中，使用化学气相沉积法制备六方氮化硼薄膜通常采用常压化学气相沉积或低压化学气相沉积，然而这两种方法均要求前驱体易形成活性气相氮硼源。目前大多采用氨硼烷作为前驱体，需要加热发生分解反应以提供活性氮硼源，该过程复杂且不均匀，不能为长时间且大面积的六方氮化硼薄膜生长提供稳定的氮硼源，而其他前驱体如硼嗪、氯化硼/氨气、氟化硼/氨气等均有毒性，须花费额外的成本增加原料和尾气处理步骤。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本专利技术提出一种制备六方氮化硼薄膜的方法及装置，能够提升六方氮化硼制备的可控性且过程无污染。
2、为了实现上述目的，本专利技术是通过如下的技术方案来实现：一种制备六方氮化硼薄膜的方法，包括以
【技术保护点】
1.一种制备六方氮化硼薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种制备六方氮化硼薄膜的方法，其特征在于，所述金属基底为纯金属箔或合金箔，所述纯金属箔为铜、镍、铁或铬的一种，所述合金箔为铜镍合金或铁镍合金。
3.根据权利要求2所述的一种制备六方氮化硼薄膜的方法，其特征在于，先将金属基底进行退火和抛光处理，再放置于反应器内。
4.根据权利要求3所述的一种制备六方氮化硼薄膜的方法，其特征在于，金属基底的退火处理包括以下步骤：
5.根据权利要求3所述的一种制备六方氮化硼薄膜的方法，其特征在于，金属基底的抛...
【技术特征摘要】
1.一种制备六方氮化硼薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种制备六方氮化硼薄膜的方法，其特征在于，所述金属基底为纯金属箔或合金箔，所述纯金属箔为铜、镍、铁或铬的一种，所述合金箔为铜镍合金或铁镍合金。
3.根据权利要求2所述的一种制备六方氮化硼薄膜的方法，其特征在于，先将金属基底进行退火和抛光处理，再放置于反应器内。
4.根据权利要求3所述的一种制备六方氮化硼薄膜的方法，其特征在于，金属基底的退火处理包括以下步骤：
5.根据权利要求3所述的一种制备六方氮化硼薄膜的方法，其特征在于，金属基底的抛光处理为电化学抛光，采用磷酸溶液和乙二醇溶液以3:1的比例混合的混合液，抛光电压为1.5-2v，抛光时间为1.5-3h，抛光完成后用去离子水冲洗。
6.根据权利要求1所述的一种制备六方氮化硼薄膜的方法，其特征在于，向反应器内通入混合气体前，通过真空泵将反应器内的气压降至100pa以下。
7.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：青芳竹，朱庆龙，蒋其龙，李雪松，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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