【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
1、隧穿层钝化接触电池（topcon电池）通过在背面形成由隧穿层和掺杂多晶硅层构成的钝化接触结构，能够显著降低电子与空穴的复合，显著提升电池的开路电压与电流密度。目前，topcon电池蓝膜片整体电流复合密度（j0）约为10fa/cm2，其限制了电池的最高开压（ivoc），如何进一步降低j0从而提升电池电性能是一个亟待解决的问题。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种太阳能电池及其制备方法，以降低太阳能电池电流复合密度j0。
2、本专利技术的其中一个目的是提供一种太阳能电池，方案如下：
3、一种太阳能电池，包括：
4、衬底；
5、第一隧穿层，设置在所述衬底上；
6、第一掺杂多晶硅层，设置在所述第一隧穿层上，所述第一掺杂多晶硅层通过pecvd（等离子体增强化学气相沉积）工艺形成；
7、第二掺杂多晶硅层，设置在所述第一掺杂多晶硅层的局部区域上，所述第二...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂多晶硅层设置在所述第一掺杂多晶硅层的局部区域上。
3.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂多晶硅层与所述第一电极的宽度之比为（1.3~2）∶1。
4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池符合以下特征（1）~（2）中的一项或者多项：
5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂多晶硅层是先通过LPCVD工艺形成非晶硅层，再通过对所述非晶硅层进行热扩散掺杂工艺形成。
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