感测模块及测距装置制造方法及图纸

技术编号:41454163 阅读:15 留言:0更新日期:2024-05-28 20:42
本发明专利技术关于一种感测模块及测距装置,感测模块包含感测器阵列,感测器阵列包含多个像素群组,该多个像素群组各自包含多个测距像素,多个像素群组中的第一像素群组包含多个第一测距像素,多个第一测距像素各自包含第一侦测区域,多个像素群组中的第二像素群组包含多个第二测距像素,多个第二测距像素各自包含第二侦测区域,第一侦测区域及第二侦测区域的面积不同。本发明专利技术的测距装置运用感测模块的第一侦测区域及第二侦测区域的面积不同,可提升测距装置的精确度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种感测模块及测距装置,尤其是指一种单光子雪崩二极管(singlephoton avalanche diode,spad)的感测模块及测距装置。


技术介绍

1、光电二极管在日常生活中的各种领域中都有非常多的应用需求,其中单光子雪崩二极管由于元件特性而使单光子雪崩二极管对于光具有高敏感度,即使在弱光环境中依然能够正确侦测到光,使其在近年来越来越受到重视。

2、当单光子雪崩二极管的像素感测器阵列接收回传的光子强度较高时,会发生堆积(pile-up)现象,堆积现象会影响单光子雪崩二极管的测距精确度。请参阅图1,图1为单光子雪崩二极管的直方图的堆积现象示意图,背景虚线表示回光的激光脉冲波形,由于单光子雪崩二极管操作时有死区时间(dead time),触发后无法立即回应下一个光子,堆积现象可能会导致信号直方图中的峰值向前倾斜,导致侦测时间比实际值更短而造成误差,当接收到强回光时,具有大收光面积的像素感测器阵列可能呈现如图1所示的直方图资讯。此外在侦测高反光物体或物距较近的情况下会加剧堆积现象的发生,当像素感测器阵列接收的光子强度较高时,像素本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种测距装置的感测模块,其特征在于,包含:

2.根据权利要求1所述的感测模块,其特征在于,该多个第一测距像素的面积大于该多个第二测距像素。

3.根据权利要求1所述的感测模块,其特征在于,该多个第一测距像素的该第一侦测区域的面积大于该多个第二测距像素的该第二侦测区域的面积。

4.根据权利要求1所述的感测模块,其特征在于,该多个第二测距像素围绕该多个第一测距像素设置以组成该感测器阵列。

5.根据权利要求1所述的感测模块,其特征在于,该多个第二测距像素设置在该多个第一测距像素的一侧以组成该感测器阵列。

6.根据权利要求1所述的感测...

【技术特征摘要】

1.一种测距装置的感测模块,其特征在于,包含:

2.根据权利要求1所述的感测模块,其特征在于,该多个第一测距像素的面积大于该多个第二测距像素。

3.根据权利要求1所述的感测模块,其特征在于,该多个第一测距像素的该第一侦测区域的面积大于该多个第二测距像素的该第二侦测区域的面积。

4.根据权利要求1所述的感测模块,其特征在于,该多个第二测距像素围绕该多个第一测距像素设置以组成该感测器阵列。

5.根据权利要求1所述的感测模块,其特征在于,该多个第二测距像素设置在该多个第一测距像素的一侧以组成该感测器阵列。

6.根据权利要求1所述的感测模块,其特征在于,该多个第二测距像素设置在至少其中一个角落,该多个第一测距像素包围该多个第二测距像素以组成该感测器阵列。

7.根据权利要求1所述的感测模块,其特征在于,该多个像素群组中的第三像素群组包含多个第三测距像素,该多个第一测距像素的面积大于该多个第三测距像素,该多个第三测距像素的面积大于该多个第二测距像素。

8.根据权利要求7所述的感测模块,其特征在于,该多个第三测距像素各自包含第三侦测区域,该多个第一测距像素的该第一侦测区域大于该多个第三测距像素的该第三侦测区域,该多个第三测距像素的该第三侦测区域大于该多个第二测距像素的该第二侦测区域。

9.根据权利要求7所述的感测模块,其特征在于,该多个第二测距像素及该多个第三测距像素围绕该多个第一测距像素设置...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭明清
申请(专利权)人:吉光微电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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