【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有集成的评估电子器件和用于供电的4-20ma接口的压力测量单元。
技术介绍
1、在现有技术中已知的压力测量单元例如检测由膜片变形引起的压力变化以及由此导致的电容变化。这种压力测量单元被称为电容式压力测量单元。此外，还存在有例如通过应变仪来检测膜片变形并根据应变仪的电阻变化来推断压力的电阻式或压阻式压力测量单元以及利用压电效应来确定压力的压电式压力测量单元。
2、通过根据面向过程的材料(即与过程环境和过程介质接触的材料)对压力测量单元进行区分，通常可将压力测量单元分为金属压力测量单元和陶瓷压力测量单元两种，其中一种具有金属膜片，另一种具有陶瓷膜片。出于制造和测量的技术原因，压力测量单元的基体通常与膜片由相同的材料制成。出于制造的技术原因，相同或类似材料之间的连接通常比不同材料之间的连接更容易制造。出于测量的技术原因，使用热膨胀系数相近或理想情况下相同的材料会更有优势，这在相同或相近的材料的情况下也更容易实现。
3、能够测量绝对压力还是相对压力通常取决于是否向膜片背面提供第二压力(如外部压力)或者...
【技术保护点】
1.一种压力测量单元(1)，其具有压力传感器(7)和集成在所述压力测量单元(1)中的评估电子器件(62)，
2.根据前一项权利要求所述的压力测量单元(1)，其特征在于，所述评估电子器件(62)是ASIC。
3.根据前述任一项权利要求所述的压力测量单元(1)，其特征在于，所述评估电子器件(62)包括温度传感器，所述温度传感器优选地用于检测隔膜密封介质(13)的温度。
4.根据前述任一项权利要求所述的压力测量单元(1)，其特征在于，所述评估电子器件(62)被配置为使得能够通过所述评估电子器件(62)校准所述压力测量单元(1)。
<...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种压力测量单元(1)，其具有压力传感器(7)和集成在所述压力测量单元(1)中的评估电子器件(62)，
2.根据前一项权利要求所述的压力测量单元(1)，其特征在于，所述评估电子器件(62)是asic。
3.根据前述任一项权利要求所述的压力测量单元(1)，其特征在于，所述评估电子器件(62)包括温度传感器，所述温度传感器优选地用于检测隔膜密封介质(13)的温度。
4.根据前述任一项权利要求所述的压力测量单元(1)，其特征在于，所述评估电子器件(62)被配置为使得能够通过所述评估电子器件(62)校准所述压力测量单元(1)。
5.根据前述任一项权利要求所述的压力测量单元(1)，其特征在于,所述评估电子器件(62)通过了sil-2认证。
6.根据前述任一项权利要求所述的压力测量单元(1)，其特征在于，所述评估电子器件(62)的测量频率至少为1hz，且精度至少为19位，优选地，所述评估电子器件(62)的测量频率至少为1000hz，且精度至少为12位。
7.根据前述任一项权利要求所述的压力测量单元(1)，其特征在于，在...
【专利技术属性】
技术研发人员：马丁·梅勒特，伯恩哈德·韦勒，乔森·胡伯尔，
申请(专利权)人：VEGA格里沙贝两合公司，
类型：发明
国别省市：
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