基于纳米粒子的芯片刻蚀清洗液内循环控制系统及方法技术方案

本发明专利技术公开了基于纳米粒子的芯片刻蚀清洗液内循环控制系统及方法，属于芯片制造技术领域。解决了现有技术中芯片刻蚀清洗液的使用效率低、成本高、污染大的技术问题。本发明专利技术的技术方案是：在含有纳米粒子的刻蚀清洗液中，设置一个控制器，用于控制刻蚀清洗液的循环使用，并根据刻蚀清洗液的循环次数、循环时间、纳米粒子浓度、纳米粒子直径、刻蚀效率和清洗效率，调节刻蚀清洗液泵的流量、喷头的喷射角度和喷射压力，使得刻蚀清洗液的循环使用达到最优化。本发明专利技术的有益效果是：能够有效地刻蚀和清洗芯片表面，提高芯片的质量和性能，同时节约刻蚀清洗液的使用量，降低成本和环境污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造，具体为基于纳米粒子的芯片刻蚀清洗液内循环控制系统及方法。

技术介绍

1、芯片刻蚀清洗是半导体制造过程中的重要工艺之一，其目的是在芯片表面形成所需的图案，同时去除刻蚀过程中产生的杂质和残留物，以提高芯片的性能和可靠性。目前，芯片刻蚀清洗主要分为湿法刻蚀清洗和干法刻蚀清洗两种方式。

2、湿法刻蚀清洗是指使用液体化学溶剂和去离子水对芯片进行刻蚀和清洗，常见的湿法刻蚀清洗有rca清洗法、稀释化学法、imec清洗法等。湿法刻蚀清洗的优点是速度快、成本低、选择性好，但也存在一些缺陷，例如：

3、湿法刻蚀清洗具有各向同性，不能形成直角或锐角的图案，影响芯片的几何特征和精度；

4、湿法刻蚀清洗会产生大量的废液，造成环境污染和资源浪费，需要进行专门的处理和回收；

5、湿法刻蚀清洗难以去除一些顽固的有机物和金属污染物，需要配合其他的清洗方法，增加了工艺的复杂性和成本；

6、湿法刻蚀清洗对芯片的温度、湿度、ph值等条件有较高的要求，需要进行严格的控制和监测，否则会影响芯片的品质和稳定性。...

【技术保护点】

1.基于纳米粒子的芯片刻蚀清洗液内循环控制系统，其特征在于，包括：刻蚀清洗液和控制器；所述刻蚀清洗液含有纳米粒子，用于喷射到芯片上，以刻蚀和清洗芯片表面；所述控制器用于控制刻蚀清洗液的循环使用，并根据刻蚀清洗液的循环次数n、循环时间t、纳米粒子浓度c、纳米粒子直径d、刻蚀效率e和清洗效率f，调节刻蚀清洗液的喷射角度α和喷射压力P，使得刻蚀清洗液的循环使用达到最优化。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括刻蚀清洗液储存罐、刻蚀清洗液泵、喷头、收集盘、过滤器和回流管道；所述刻蚀清洗液储存罐用于储存含有纳米粒子的刻蚀清洗液；所述刻蚀清洗液泵用于将刻蚀清洗液从储存罐输送到...

【技术特征摘要】

1.基于纳米粒子的芯片刻蚀清洗液内循环控制系统，其特征在于，包括：刻蚀清洗液和控制器；所述刻蚀清洗液含有纳米粒子，用于喷射到芯片上，以刻蚀和清洗芯片表面；所述控制器用于控制刻蚀清洗液的循环使用，并根据刻蚀清洗液的循环次数n、循环时间t、纳米粒子浓度c、纳米粒子直径d、刻蚀效率e和清洗效率f，调节刻蚀清洗液的喷射角度α和喷射压力p，使得刻蚀清洗液的循环使用达到最优化。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括刻蚀清洗液储存罐、刻蚀清洗液泵、喷头、收集盘、过滤器和回流管道；所述刻蚀清洗液储存罐用于储存含有纳米粒子的刻蚀清洗液；所述刻蚀清洗液泵用于将刻蚀清洗液从储存罐输送到喷头；所述喷头用于将刻蚀清洗液喷射到芯片上，以刻蚀和清洗芯片表面；所述收集盘用于收集从芯片上流下的刻蚀清洗液；所述过滤器用于将收集盘中的刻蚀清洗液中的杂质和残留物过滤掉，得到过滤后的刻蚀清洗液；所述回流管道用于将过滤后的刻蚀清洗液回流到储存罐中。

3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述控制器根据以下公式调节喷头的喷射角度α和喷射压力p：

4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述纳米粒子为金属或半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：马磊，钟永良，张钦洋，
申请(专利权)人：威海奥牧智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：