一种Micro-LED全彩显示器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种Micro‑LED全彩显示器及其制备方法，其中Micro‑LED全彩显示器的制备方法，通过在同一衬底上集成多个颜色控制单元，并通过多个颜色控制单元分别控制红、绿、蓝三种光，再通过单片集成的方式将芯片阵列集成于电路基板，可以避免使用巨量转移技术或者颜色转换技术来实现全彩显示，简化了集成工艺的复杂性。此外，在芯片阵列制备时通过选择性刻蚀暴露出不同颜色控制单元的阳极接触面，且每颗颜色控制单元的发光层均相互独立，互不相连，所有的颜色控制单元都通过共用外延底部不刻断的N型半导体层导电并形成共阴连接，使得芯片阴极接触面只需要通过与外延底部不刻断的N型半导体层进行连线，即可实现阴极接触面的布线，进而简化了布线工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，特别涉及一种micro-led全彩显示器及其制备方法。

技术介绍

1、微发光二极管(micro-led)是一种用于ar显示器的潜在颠覆性微型显示器技术。基于rgb micro-led的显示器与液晶显示(lcd)、有机发光二极管(oled)显示相比，其有高效率、高集成、长寿命和全天候工作等潜在优点，未来将被期望应用于平板显示、空间显示、增强现实(ar)/虚拟现实(vr)、可穿戴器件、生物医疗和可见光通信等领域。

2、全色域led显示屏由红、绿、蓝三基色(rgb)micro-led芯片按照一定排列方式在基板上装配而成，由于micro-led芯片尺寸小，制作全色域micro-led显示屏所需要转移的rgbmicro-led很多，需要采用巨量转移技术，然而巨量转移技术对设备要求高，且限制了像素尺寸进一步减小，转移效率和器件良率也相应受限，且存在一致性差等问题。

3、现有技术中，虽然存在在一个衬底上集成红光、绿光和蓝光led结构，来避免需要进行巨量转移的状况，但通过该工艺制备的芯片存在各电极高度不一致，导致布线工艺复本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Micro-LED全彩显示器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的Micro-LED全彩显示器的制备方法，其特征在于，所述制备一LED外延片的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的Micro-LED全彩显示器的制备方法，其特征在于，所述对所述LED外延片进行刻蚀的步骤包括：

4.根据权利要求3所述的Micro-LED全彩显示器的制备方法，其特征在于，所述在各刻蚀沟槽中和所述蓝光单元的阴极层中沉积金属沉积层的步骤包括：

5.根据权利要求4所述的Micro-LED全彩显示器的制备方法，其特征在于，所述在各刻蚀...

【技术特征摘要】

1.一种micro-led全彩显示器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的micro-led全彩显示器的制备方法，其特征在于，所述制备一led外延片的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的micro-led全彩显示器的制备方法，其特征在于，所述对所述led外延片进行刻蚀的步骤包括：

4.根据权利要求3所述的micro-led全彩显示器的制备方法，其特征在于，所述在各刻蚀沟槽中和所述蓝光单元的阴极层中沉积金属沉积层的步骤包括：

5.根据权利要求4所述的micro-led全彩显示器的制备方法，其特征在于，所述在各刻蚀沟槽中和所述蓝光单元的阴极层中沉积第一欧姆接触电极的步骤之后包括：

6.根据权利要求5所述的micro-led全彩显示器的制备方法，其特征在于，所述对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王立，刘海荣，张建立，王小兰，郑畅达，莫春兰，龚诚凯，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：发明
国别省市：