解决离子漏斗低质量歧视并提高占空比的装置及应用方法制造方法及图纸

技术编号:41449487 阅读:24 留言:0更新日期:2024-05-28 20:39
解决离子漏斗低质量歧视并提高占空比的装置,包括离子传输设备的离子漏斗、射频四极杆及聚焦电极组;离子漏斗是由2N片电极片同轴等间距堆叠而成、且部分电极片内径按相同数值递减,每个电极上都施加有直流与射频电压;离子漏斗电极片上所施加的射频电压由两个独立电源进行控制;占空比装置的应用方法,包括四个步骤。本发明专利技术对离子漏斗进行改进,实际应用中,通过精确的时序,同步控制离子漏斗对低质量离子的分段引出和飞行时间质谱仪对低质量离子和其他离子的垂直引入,大幅度提升了低质量离子的利用效率,提高了离子漏斗与飞行时间质谱仪耦合后的占空比,从而改善了飞行时间质谱仪对低质量离子的探测灵敏度,使得检测的试样数据更真实有效。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及离子传输,尤其涉及一种解决离子漏斗低质量歧视并提高占空比的装置及应用方法


技术介绍

1、飞行时间质谱仪(tof-ms)是一种根据离子在真空中的飞行时间差异来区分不同质荷比离子的分析仪器,进而得出试样的化学成分。飞行时间质谱仪的离子传输设备根据离子引入方式不同分为直线引入式与垂直引入式等,垂直引入式以高分辨及高质量精度等优点,广泛应用于分析化学领域。但是垂直引入式飞行时间质谱仪是依靠脉冲来截取离子,其存在占空比较低的问题,对于连续离子源而言,大部分离子在进入飞行时间质谱仪前就损失掉了,离子利用率低,影响了飞行时间质谱仪的检测灵敏度。

2、离子漏斗是离子传输设备的核心部件,其由一系列同轴等间距电极片组成,且部分电极片内径按相同数值递减,每个电极上都施加有直流与射频电压。随着电极内径递减,射频电压形成的电势值递增,进而对离子的径向束缚能力增强,逐步将离子聚焦在漏斗的中心轴线上,藉由直流电势梯度向漏斗出口处传输,大大减少了离子传输过程中的损失。然而,模拟以及实际操作显示,离子漏斗对低质量离子存在歧视现象,表现为在离子漏斗末端会产生“阱”本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.解决离子漏斗低质量歧视并提高占空比的装置,包括离子传输设备的离子漏斗、射频四极杆及聚焦电极组;其特征在于,所述离子漏斗是由2N片电极片同轴等间距堆叠而成、且部分电极片内径按相同数值递减,每个电极上都施加有直流与射频电压;所述电极片的材质是不锈钢、印刷电路板、镀金陶瓷片中的一种;所述离子漏斗电极片上所施加的射频电压由两个独立电源进行控制;在所述的两个独立电源中,第二个独立电源控制靠近射频四极杆及聚焦电极组的1~4片电极片的射频电压,其余电极片的射频电压由第一个独立电源进行控制;所述的两个独立电源中,当两个独立电源共同输出射频电压时,第一个独立电源和第二个独立电源控制离子漏斗对低质量离子...

【技术特征摘要】

1.解决离子漏斗低质量歧视并提高占空比的装置,包括离子传输设备的离子漏斗、射频四极杆及聚焦电极组;其特征在于,所述离子漏斗是由2n片电极片同轴等间距堆叠而成、且部分电极片内径按相同数值递减,每个电极上都施加有直流与射频电压;所述电极片的材质是不锈钢、印刷电路板、镀金陶瓷片中的一种;所述离子漏斗电极片上所施加的射频电压由两个独立电源进行控制;在所述的两个独立电源中,第二个独立电源控制靠近射频四极杆及聚焦电极组的1~4片电极片的射频电压,其余电极片的射频电压由第一个独立电源进行控制;所述的两个独立电源中,当两个独立电源共同输出射频电压时,第一个独立电源和第二个独立电源控制离子漏斗对低质量离子进行聚焦-囚禁操作,当第一个独立电源输出射频电压,第二个独立电源停止给靠近射频四极杆及聚焦电极组的两片电极片输出射频电压后,离子漏斗对低质量离子及其他离子进行引出操作;所述射频四极杆及聚焦电极组由四极杆及一系列透镜组成,用于对从离子漏斗引出的低质量离子及其他离子进行筛选以及再聚焦操作;所述射频四极杆及聚焦电极组的下游和飞行时间质谱仪连接,飞行时间质谱仪是垂直引入反射式飞行时间质谱仪,接收由射频四极杆及聚焦电极组引出的低质量离子及其他离子。

2.根据权利要求1所述的解决离子漏斗低质量歧视并提高占空比的装置,其特征在于,第二个独立电源输出电压的频率和飞行时间...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨彤程平谢春光
申请(专利权)人:上海海珊智能仪器有限公司
类型:发明
国别省市:

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