解决反应管内待测气体倒吸并提高离子透过率的装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种解决反应管内待测气体倒吸并提高离子透过率的装置，包括依次设置的离子源装置、电极片和反应管装置；所述离子源装置包括辉光放电区和位于所述辉光放电区后端的母体离子提纯区；所述电极片具有一通道，所述通道为文丘里氏结构，所述通道包括收缩段、喉道以及扩散段；所述收缩段位于靠近离子源装置的一侧，所述扩散段位于靠近反应管装置的一侧。在离子源装置和反应管装置之间安装文丘里式电极片，且文丘里式电极片的收缩段、扩散段以及喉道尺寸一定时，可以增大离子源装置到反应管装置的气体流速，气体流速越大，反应管内待测气体因自由扩散倒吸进入离子源区域的量越少，即防倒吸能力越强，提高了仪器定性定量的能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及离子传输，尤其涉及到一种解决反应管内待测气体倒吸并提高离子透过率的装置。

技术介绍

1、在传统的质子转移反应质谱中，水蒸气进入离子源的空心阴极区，产生各种荷电离子后进入离子源的母体离子纯化区提纯产生高纯度母体离子h3o+，之后母体离子进入反应管区域与待测气体发生质子转移反应产生在待测气体基础上加h+的待测离子并进入质量分析器，使得最终谱图上呈现出来与待测气体相关的峰仅有一个加氢离子峰。

2、然而，一方面待测气体会不可避免的倒吸进入离子源区域，导致产生no+、o2+等杂质离子与待测气体发生反应；另一方面倒吸进去的待测气体还有可能被荷电离子电离成碎片；这些都会导致质谱最终呈现出来的谱图可读性大大降低，让质谱无法对待测气体进行定性定量分析。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种解决反应管内待测气体倒吸并提高离子透过率的装置。

2、本专利技术是通过以下技术方案实现的：

3、解决反应管内待测气体倒吸并提高离子透过率的装置，包括依次连接的离本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.解决反应管内待测气体倒吸并提高离子透过率的装置，其特征在于，包括依次连接的离子源装置(100)、文丘里氏电极片(200)和反应管装置(300)；

2.根据权利要求1所述的解决反应管内待测气体倒吸并提高离子透过率的装置，其特征在于：所述离子源装置(100)是由N片电极堆叠而成，N≥3；

3.根据权利要求1所述的解决反应管内待测气体倒吸并提高离子透过率的装置，其特征在于：所述反应管装置(300)是由M片电极同轴等间距堆叠而成，M≥10；所述反应管装置(300)的电极片均施加直流电压。

4.根据权利要求3所述的解决反应管内待测气体倒吸并提高离子透过率的装...

【技术特征摘要】

1.解决反应管内待测气体倒吸并提高离子透过率的装置，其特征在于，包括依次连接的离子源装置(100)、文丘里氏电极片(200)和反应管装置(300)；

2.根据权利要求1所述的解决反应管内待测气体倒吸并提高离子透过率的装置，其特征在于：所述离子源装置(100)是由n片电极堆叠而成，n≥3；

3.根据权利要求1所述的解决反应管内待测气体倒吸并提高离子透过率的装置，其特征在于：所述反应管装置(300)是由m片电极同轴等间距堆叠而成，m≥10；所述反应管装置(300)的电极片均施加直流电压。

4.根据权利要求3所述的解决反应管内待测气体倒吸并提高离子透过率的装置，其特征在于：电极片的内径全部相同。

5.根据权利要求3所述的解决反应管内待测气体倒吸并提高离子透过率的装置，其特征在于：靠近文丘里氏电极片(200)的部分电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：程平，杨彤，黄玉梁，谢春光，贾滨，
申请(专利权)人：上海海珊智能仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：