【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电池片检测,具体为一种晶硅电池片表面缺陷与沾污检测设备。
技术介绍
1、多晶硅可作拉制单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面,例如,在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显,在电学性质方面,多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著,甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面,两者的差异极小,多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别,但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等,多晶硅是生产单晶硅的直接原料,是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料;
2、现有技术中,公告号;cn214334845u的中国
技术实现思路
,公开了一种太阳能多晶硅电池片表面缺陷与沾污检测设备,其技术方案是:包括箱体,所述箱体内部设有太阳能多晶硅电池片本体,所述箱体内部设有辅助机构,所述辅助机构延伸出箱体外部,所述辅助机构包括电机,所述电机固定设于箱体一侧,所述电机通过输出轴固定连接有转动杆,所述转动杆延伸入箱体内部并与箱体通过轴承连接,所述箱体内腔一侧壁固定设有固定框,该技 ...
【技术保护点】
1.一种晶硅电池片表面缺陷与沾污检测设备,包括底板(1),其特征在于:所述底板(1)的上表面的两端分别固定连接有固定板(2)和侧板(9),所述底板(1)的上表面滑动连接有活动板(3),所述固定板(2)与活动板(3)相对一侧均设置有传送机构(4),且固定板(2)与活动板(3)相对一侧的上下两端均设置有检测装置(7),所述固定板(2)的一侧设置有除尘机构(6),所述固定板(2)与侧板(9)的相对一侧设置有调距机构(5);
2.根据权利要求1所述的一种晶硅电池片表面缺陷与沾污检测设备,其特征在于:两组所述传送机构(4)均包括多组导轮(42)和多组连接轴(43),
...【技术特征摘要】
1.一种晶硅电池片表面缺陷与沾污检测设备,包括底板(1),其特征在于:所述底板(1)的上表面的两端分别固定连接有固定板(2)和侧板(9),所述底板(1)的上表面滑动连接有活动板(3),所述固定板(2)与活动板(3)相对一侧均设置有传送机构(4),且固定板(2)与活动板(3)相对一侧的上下两端均设置有检测装置(7),所述固定板(2)的一侧设置有除尘机构(6),所述固定板(2)与侧板(9)的相对一侧设置有调距机构(5);
2.根据权利要求1所述的一种晶硅电池片表面缺陷与沾污检测设备,其特征在于:两组所述传送机构(4)均包括多组导轮(42)和多组连接轴(43),且多组导轮(42)均固定连接在多组连接轴(43)的一端,且多组导轮(42)均通过传送带(44)传动连接,其中一组连接轴(43)的一端通过伺服电机(41)驱动。
3.根据权利要求2所述的一种晶硅电池片表面缺陷与沾污检测设备,其特征在于:多组所述连接轴(43)均设置在同一平面,且多组连接轴(43)呈等间距设置,所述固定板(2)与活动板(3)呈平行设置,两组所述传送带(44)上表面设置有电池片本体(10)。
4.根据权利要求1所述的一种晶硅电池片表面缺陷与沾污检测设备,其特征在于:所...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁锦辉,黎小琳,邓晓文,
申请(专利权)人:抚州尚弘光伏能源有限公司,
类型:新型
国别省市:
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