【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及二维微观器件，具体涉及一种二维延伸材料的制备方法及其所得材料和应用。
技术介绍
1、自2013年干法转移技术诞生以来，干法转移被广泛应用于各种范德瓦尔斯异质结器件堆叠，相比于之间的湿法转移技术，干法转移后的器件核心区域具有极高的纯净度，几乎没有杂质，极大地提高了当时异质结器件的质量。
2、然而干法转移对二维材料大多是进行三维方向上的堆叠，而很难对其做到二维方向的延伸。若想实现两种不同材料在二维方向上的延伸，在不留有缝隙的基础上，两种材料必然会在三维方向上有所堆叠，在三维方向上通过范德瓦尔斯力结合在一起的不同材料之间可能存在势垒，妨碍了不同材料之间电子的跃迁，导致电荷传输效率低下。因此这种方法下的半导体器件质量受到了接触电阻的极大制约，无效的能量损耗极大。同时，这种方法下实现的二维延伸材料受到二维材料的初始形状的极大制约，而且通过机械剥离或气相沉积法得到的二维材料形状是完全不可控的，这也极大地限制了二维延伸材料的制备效率。不同材料之间的二维延伸边界是完全由材料初始边缘所定义的，无法通过刻蚀等后续步骤改变。此外，在...
【技术保护点】
1.一种二维延伸材料的制备方法，其特征在于，利用激光局部加热真空环境中的材料，导致材料局部升温相变，得到二维延伸材料；所述材料为满足温度相变特性的二维材料。
2.根据权利要求1所述制备二维延伸材料的方法，其特征在于，所述材料厚度为1~100nm。
3.根据权利要求1所述制备二维延伸材料的方法，其特征在于，所述温度相变温度范围在77~600 K。
4.根据权利要求1所述制备二维延伸材料的方法，其特征在于，所述激光波长为488~1064 nm。
5.根据权利要求1所述制备二维延伸材料的方法，其特征在于，所述激光光斑最小半径在...
【技术特征摘要】
1.一种二维延伸材料的制备方法，其特征在于，利用激光局部加热真空环境中的材料，导致材料局部升温相变，得到二维延伸材料；所述材料为满足温度相变特性的二维材料。
2.根据权利要求1所述制备二维延伸材料的方法，其特征在于，所述材料厚度为1~100nm。
3.根据权利要求1所述制备二维延伸材料的方法，其特征在于，所述温度相变温度范围在77~600 k。
4.根据权利要求1所述制备二维延伸材料的方法，其特征在于，所述激光波长为488~1064 nm。
5.根据权利要求1所述制备二维延伸材料的方法，其特征在于，所述激光光斑最小半径在1...
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