【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及神经电极，具体地涉及一种植入式器件及其制造方法。
技术介绍
1、seeg(立体三维脑电图，stereo-electroencephalography，也称立体定向脑电图)和dbs(脑深部刺激术，deep brain stimulation)是两种较常见的植入深部脑区进行诊断和治疗的临床手段。其中，seeg是以临床症状-皮层放电-神经解剖为依据，采用立体定向的方法，三维立体地植入深部电极，对癫痫放电的起源、传播形式进行记录，从时间上和空间上对癫痫病灶进行定位评估，了解脑皮质三维脑电传播网络形式，对致痫灶进行精准定位；dbs是一种神经外科手术，涉及将电极植入大脑内的特定位置，并从植入的电池电源中提供恒定或间断的电流。dbs在神经、精神疾病领域均具有广泛应用或者应用前景，目前已成为治疗帕金森症、肌张力障碍和原发性震颤的治疗标准。
2、目前，seeg和dbs技术所采用的神经电极(以下统称为颅内脑电极，可简称为电极)的尺寸都在毫米级别并通常为金属材料制成，相对于脑组织及神经元来说，存在硬度过高和尺寸过大的问题。在电极植入...
【技术保护点】
1.一种植入式器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的植入式器件，其特征在于，所述导管的端部或者管壁开设有用于供所述第二电极从所述导管伸出的开口。
3.根据权利要求2所述的植入式器件，其特征在于，所述至少一个第二电极位点分布于所述第二电极伸出所述开口的部分。
4.根据权利要求3所述的植入式器件，其特征在于，任一所述第一电极位点指向任一所述第二电极位点的方向与所述导管的径向具有非零夹角。
5.根据权利要求2所述的植入式器件，其特征在于，所述第二电极可在收缩位置和伸出位置之间运动，位于所述收缩位置的所述第二电极收纳...
【技术特征摘要】
1.一种植入式器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的植入式器件，其特征在于，所述导管的端部或者管壁开设有用于供所述第二电极从所述导管伸出的开口。
3.根据权利要求2所述的植入式器件，其特征在于，所述至少一个第二电极位点分布于所述第二电极伸出所述开口的部分。
4.根据权利要求3所述的植入式器件，其特征在于，任一所述第一电极位点指向任一所述第二电极位点的方向与所述导管的径向具有非零夹角。
5.根据权利要求2所述的植入式器件，其特征在于，所述第二电极可在收缩位置和伸出位置之间运动，位于所述收缩位置的所述第二电极收纳于所述腔体内，位于所述伸出位置的所述第二电极的至少一部分自所述开口伸出所述导管之外。
6.根据权利要求1所述的植入式器件，其特征在于，还包括：固定部，设置于所述腔体内，所述固定部用于固定所述至少一个第二电极。
7.根据权利要求1所述的植入式器件，其特征在于，还包括：端头，连接于所述导管的端部以封闭所述端部的开口的至少一部分，所述端头的外表面设置有所述第一电极位点。
8.根据权利要求1所述的植入式器件，其特征在于，还包括：多根第一导线，埋置于所述导管的绝缘层中，所述多根第一导线和所述多个第一电极位点一一对应地耦接。
9.根据权利要求1所述的植入式器件，其特征在于，还包括：多根第一导线，容置于所述导管的腔体内或者埋置于所述导管的管壁内，所述多根第一导线和所述多个第一电极位点一一对应地耦接。
10.根据权利要求9所述的植入式器件，其特征在于，所述腔体包括多个互相独立的子腔体，其中每一所述子腔体均沿所述导管的轴向延伸，所述多根第一导线和所述至少一个第二电极分别容置于所述多个子腔体。
11.根据权利要求10所述的植入式器件，其特征在于，还包括：导引杆，所述导引杆容置于所述多个子腔体中的一个，所述多根第一导线和所述至少一个第二电极分别容置于所述多个子腔体中的剩余子腔体。
12.根据权利要求10或11所述的植入式器件，所述导管的端部或者管壁开设有用于供所述第二电极从所述导管伸出的开口，所述开口连通所述多个子腔体中用于容置所述至少一个第二电极的子腔体。
13.根据权利要求1所述的植入式器件，其特征在于，还包括：至少一根引导针，所述至少一根引导针和所述至少一个第二电极一一对应地容置于所述腔体内。
14.根据权利要求1所述的植入式器件，其特征在于，所述第一电极包括颅内脑电极，所述第二电极包括柔性电极。
15.根据权利要求1所述的植入式器件，其特征在于，所述第二电极包括：
16.根据权利要求15所述的植入式器件，其特征在于，所述防水材料层的材料选自以下材料中的一种，或者选自以下两种或两种以上材料的堆叠层：氮化硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：张世强，
申请(专利权)人：上海阶梯医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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