一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法，属于光伏电池制备技术领域。包括：对N型硅片的正面和背面进行制绒处理；对完成制绒处理的N型硅片正面进行硼扩处理；对完成硼扩处理的N型硅片的正面进行氧化处理；对完成氧化处理的N型硅片背面进行去BSG处理；对完成去BSG处理的N型硅片背面依次进行碱抛处理、碱洗处理和酸洗处理；在完成酸洗处理的N型硅片背面沉积隧穿氧化层。通过在酸洗处理过程中使用氢氟酸和氯化氢的混合溶液，可将游离的氧原子与N型硅片背面进行氧化反应后形成的自然氧化层去除，从而提高隧穿氧化层沉积的均匀性和最终的钝化效果，进而提高TOPCon电池的工作效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏电池制备，尤其涉及一种topcon电池隧穿氧化层的制备方法。

技术介绍

1、光伏电池可以在有阳光照射的情况下产生电流，所以光伏发电的可使用范围非常广泛。但同时这种新兴行业也随着技术的不断进步使得市场竞争日趋激烈。高效率、低成本、高可靠性的光伏电池才是市场竞争的核心竞争力。topcon电池是光伏晶硅电池的一种，近年来，由于其具有高转换效率、低衰减性能、高量产性价比等明显优势，逐步被行内企业采纳。topcon电池的核心结构为隧穿氧化层及多晶硅薄膜层。隧穿氧化层质量的好坏对topcon电池的效率起关键作用。

2、采用pecvd方式制备的隧穿氧化层，因其轻微绕镀、可原位掺杂等优点突出，目前被许多制造电池的企业所采用，但是采用pecvd方式制备的隧穿氧化层的效率和合格率相较于lpcvd的效率和合格率偏低，效率偏低0.05％-0.1％，良率偏低1％-2％，主要原因是采用pecvd方式制备的隧穿氧化层生长的均匀性较难控制，并且在制备过程中，产生游离的氧原子与n型硅片背面进行氧化反应，在n型硅片的背面形成一层自然氧化层(sio2膜层)，自然氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述S2在对完成硼扩处理的N型硅片正面进行氧化处理之前，还包括：

3.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述S3在对完成去BSG处理的N型硅片背面依次进行碱抛处理、碱洗处理和酸洗处理时，包括：

4.根据权利要求3所述的一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述酸洗处理之后还包括：

5.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法...

【技术特征摘要】

1.一种topcon电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种topcon电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述s2在对完成硼扩处理的n型硅片正面进行氧化处理之前，还包括：

3.根据权利要求1所述的一种topcon电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述s3在对完成去bsg处理的n型硅片背面依次进行碱抛处理、碱洗处理和酸洗处理时，包括：

4.根据权利要求3所述的一种topcon电池隧穿氧化层的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：武啟强，崔宁，张伟，褚君凯，穆晓超，王菲，胡文敏，李德蓉，张洁，贾慧君，
申请(专利权)人：晋能光伏技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：