【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体前端加工,具体为一种硅片边缘清洁装置。
技术介绍
1、目前,在硅片的cmp工艺制程中,需要对加工硅片进行清洗干燥处理,去除硅片表面的化学品及杂质残留,目前的清洗方式分为两种,分别是批处理式和单片式。批处理式,即等一盒硅片全部加工完之后再搬运至专门的硅片清洗设备,此方法杂质在硅片上附着时间更长,更难去除,且对多片硅片同时清洁,工艺与设备要求更加复杂,每一片的清洁质量难以保证。单片式,将清洁与干燥装置直接安装在硅片加工设备的内部,提高了清洁质量,避免了硅片之间的相互污染,但能保障清洁质量的装置设计大多十分复杂,会占用设备大量空间,使设备体积增大。
技术实现思路
1、本技术提供了一种硅片边缘清洁装置,以解决
技术介绍
中的问题。
2、为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种硅片边缘清洁装置,包括箱体,所述箱体的内腔安装有支架,所述支架整体呈u形,所述支架的两臂顶端均安装有对硅片进行限位的滚轮,所述支架的底内壁一侧设有驱动硅片进行转动并对其进行清洁的刷辊,所述箱体的顶部
...【技术保护点】
1.一种硅片边缘清洁装置,包括箱体(1),其特征在于:所述箱体(1)的内腔安装有支架(2),所述支架(2)整体呈U形,所述支架(2)的两臂顶端均安装有对硅片进行限位的滚轮(3),所述支架(2)的底内壁一侧设有驱动硅片进行转动并对其进行清洁的刷辊(4),所述箱体(1)的顶部设有配合刷辊(4)对硅片进行限位的限位机构,所述箱体(1)的内腔位于支架(2)的一侧设有对硅片喷淋清洗液的喷淋机构。
2.根据权利要求1所述的一种硅片边缘清洁装置,其特征在于:所述支架(2)的底内壁一侧安装有对硅片进行支撑的支撑轮(5)。
3.根据权利要求1所述的一种硅片边缘清
...【技术特征摘要】
1.一种硅片边缘清洁装置,包括箱体(1),其特征在于:所述箱体(1)的内腔安装有支架(2),所述支架(2)整体呈u形,所述支架(2)的两臂顶端均安装有对硅片进行限位的滚轮(3),所述支架(2)的底内壁一侧设有驱动硅片进行转动并对其进行清洁的刷辊(4),所述箱体(1)的顶部设有配合刷辊(4)对硅片进行限位的限位机构,所述箱体(1)的内腔位于支架(2)的一侧设有对硅片喷淋清洗液的喷淋机构。
2.根据权利要求1所述的一种硅片边缘清洁装置,其特征在于:所述支架(2)的底内壁一侧安装有对硅片进行支撑的支撑轮(5)。
3.根据权利要求1所述的一种硅片边缘清洁装置,其特征在于:喷淋机构包括安装杆(6)和喷头(7),所述安装杆(6)上安装有外接水源的喷头(7)。
4.根据权利要求1所述的一种硅片边缘清洁装置,其特征在于:所述箱体(1)上安装有驱动电机(8),所述驱动电机(8)的输出轴通过联轴器连接有传动轴(9),所述传动...
【专利技术属性】
技术研发人员:李文明,龙科,
申请(专利权)人:深圳至元精密设备有限公司,
类型:新型
国别省市:
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