【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及变换器控制，特别是涉及一种两电平dab的电流应力调制方法及存储介质。
技术介绍
1、两电平双有源桥变换器(dab)最传统的控制策略为单移相控制(single phaseshift，sps)，它通过控制原副边的桥间移相角来改变传输功率的方向和大小，但是它只有一个控制自由度，且传统控制策略均为固定半周期占空比的情况下进行移相控制，无法实现变占空比移相控制，因为会在变压器上产生偏磁而致其无法正常工作。将传统的控制用于带有隔直电容的两电平双有源桥变换器，当变换器两侧电压不匹配时，即k不等于1时，尤其在请在工况下难以实现全范围的零电压开通，但在输入输出电压匹配时可以实现全功率范围的零电压开通，而且存在电流应力大和变换器效率低等缺点。此时需要使用多个控制自由度，又因不同控制自由度之间存在耦合关系，使得控制量越多控制越复杂，越难以通过传统数学方法对电流应力进行优化。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种两电平dab的电流调制方法及存储介质，能够基于控制边界和离线最优控制表对变换器进行控制，增加变换器的控制自由度，提高整体运行效率。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
3、一种两电平dab的电流调制方法及存储介质，包括：
4、对两电平dab的电流运行模式进行划分，确定在所述电流运行模式下的电感电流和传输功率；所述电流运行模式包括八个模式；
5、计算各模态下所述传输功率和电感电流的峰值，即电流应力，并在对应的传输功率范
6、利用所述实际控制边界和所述优化控制表，对所述两电平dab进行电流调制。
7、可选地，所述对两电平dab的电流运行模式进行划分，确定在所述电流运行模式下的电感电流和传输功率，具体包括：
8、根据两电平dab的原副边输出电压上升沿的相位关系，划分八种工作模式；所述两电平dab的工作模式包括模式a、模式b、模式c、模式d、模式e、模式f、模式g、和模式h；
9、基于划分的所述两电平dab的工作模式，根据等效电路模型和典型电压波形分别求解八种模式下的电感电流和传输功率。
10、可选地，所述等效电路模型是由原边全桥、副边全桥、漏感等效电感、高频隔离变压器、隔直电容和4个旁路电容组成的；所述原边全桥是由4个开关管和4个反并联二极管组成的；所述副边全桥是由4个开关管和4个反并联二极管组成的；所述漏感等效电路是高频电感和变压器漏感之和；所述隔直电容是串联在高频隔离变压器原副边的。
11、可选地，计算各模态下所述电感电流的峰值，即电流应力，并在对应的传输功率范围内对所述应力进行数值离散优化，得到离线最优控制表，具体包括：
12、计算各模态下所述传输功率和电感电流的瞬时值，对比得到电感电流峰值，即电流应力，并以所述电感电流的电流应力为优化目标，以传输功率和zvs范围为限制条件在全功率范围内对电感电流应力进行离散数值化寻优，建立离线最优控制表。
13、可选地，利用所述优化控制表，对所述两电平dab进行电流调制，具体包括：
14、利用所述优化控制表，在对应工作模式下令所述两电平dab产生对应的直流偏置电压，以满足不同输入输出电压比值，完成电流调制。
15、本专利技术还提供了一种记忆性电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器用于存储控制器执行程序，所述处理器运行所述控制器执行程序以使所述记忆性电子设备执行根据上述的两电平dab的电流调制方法。
16、本专利技术还提供了一种计算机可读的存储介质，其存储有计算机执行程序，所述计算机执行程序被处理器运行时实现如上所述的两电平dab的电流调制方法。
17、根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
18、本专利技术公开一种两电平的dab电感电流应力调制方法及存储介质，所述方法包括对两电平dab的电流运行模式进行划分，确定在所述电流运行模式下的电感电流和传输功率；电流运行模式包括八种运行模式；划分zvs范围并计算所述各模式的电感电流的应力，即电感电流峰值，并在对应传输功率范围内和zvs范围内对电流应力进行数值离散优化，得到离线最优控制表，对所述两电平dab进行电流调制。本专利技术将脉宽调制策略与隔直电容相结合的调制方法运用于变换器，可以在对应工作模式下令变换器产生对应的直流偏置电压以适应不同输入输出电压比值，实现全开关管的zvs，降低变换器的开关损耗；同时基于离线最优控制表对变换器进行控制，增加变换器的控制自由度，使变换器电流应力减小，降低通态损耗，在确保安全运行的前提下提高整体运行效率。
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1.一种两电平DAB的电流调制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的两电平DAB的电流调制方法，其特征在于，所述对两电平DAB的电流运行模式进行划分，确定在所述电流运行模式下的电感电流和传输功率，具体包括：
3.根据权利要求2所述的两电平DAB的电流调制方法，其特征在于，所述等效电路模型是由原边全桥、副边全桥、漏感等效电感、高频隔离变压器、隔直电容和2个旁路电容组成的；所述原边全桥是由4个开关管和4个反并联二极管组成的；所述副边全桥是由4个开关管和4个反并联二极管组成的；所述漏感等效电路是高频电感和变压器漏感之和；所述隔直电容是串联在高频隔离变压器两端的。
4.根据权利要求1所述的两电平DAB的电流调制方法，其特征在于，计算各模态下所述传输功率和电感电流的峰值，即电流应力具体包括：
5.根据权利要求1所述的两电平DAB的电流调制方法，其特征在于，所述在对应的传输功率范围和零电压开通范围内对所述电流应力进行数值离散优化，得到离线最优控制表，具体包括：
6.根据权利要求1所述的两电平DAB的电流调制方法，其特征在
7.一种记忆性电子设备，其特征在于，包括存储器及处理器，所述存储器用于存储控制器执行程序，所述处理器运行所述控制器执行程序以使所述记忆性电子设备执行根据权利要求1-6中所述的两电平DAB的电流调制方法。
8.一种计算机可读的存储介质，其特征在于，其存储有计算机执行程序，所述计算机执行程序被处理器运行时实现如权利要求1-6中所述的两电平DAB的电流调制方法。
...【技术特征摘要】
1.一种两电平dab的电流调制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的两电平dab的电流调制方法，其特征在于，所述对两电平dab的电流运行模式进行划分，确定在所述电流运行模式下的电感电流和传输功率，具体包括：
3.根据权利要求2所述的两电平dab的电流调制方法，其特征在于，所述等效电路模型是由原边全桥、副边全桥、漏感等效电感、高频隔离变压器、隔直电容和2个旁路电容组成的；所述原边全桥是由4个开关管和4个反并联二极管组成的；所述副边全桥是由4个开关管和4个反并联二极管组成的；所述漏感等效电路是高频电感和变压器漏感之和；所述隔直电容是串联在高频隔离变压器两端的。
4.根据权利要求1所述的两电平dab的电流调制方法，其特征在于，计算各模态下所述传输功率和电感电流的峰值，即电...
【专利技术属性】
技术研发人员：方世琦，刘恕宇，高明畅，鲍君仪，戴鹏，黄云辰，杨梓薇，王冠淇，郭庆，郭灿，
申请(专利权)人：中国矿业大学，
类型：发明
国别省市：
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