【技术实现步骤摘要】
本技术属于mpcvd设备，尤其涉及一种mpcvd设备的测温传感器支架。
技术介绍
1、mpcvd(microwave plasma chemical vapor deposition)微波等离子化学气相沉淀法是指高纯度氢气在强大的微波作用下产生高能量的等离子火球，高纯度甲烷气体在等离子作用下变成游离的碳原子和氢原子，这些游离的碳原子在强大能量的等离子作用下会逐步按立体排列的方式沉积到底部的钻石种子上，使钻石种子逐步长厚形成与天然钻石结构、成分完全一样的cvd人工钻石。但在制备过程中对温度控制精度有着严格的要求，现有设备只能监测整个反应腔的温度情况，或者某个位点的温度情况，而在金刚石制备过程中，中心温度和周边温度情况相差较大，需要对每个生长位点进行精准监测，以满足高质量金刚石的生长制备。
技术实现思路
1、本技术提供了一种mpcvd设备的测温传感器支架，可以有效解决上述问题。
2、本技术是这样实现的：
3、一种mpcvd设备的测温传感器支架，包括固定座、导轨、滑块、安装架、测角仪和传感器，所述固定座为圆环型，所述导轨径向固定于固定座的圆环上，所述滑块设于安装架下端与导轨连接，所述测角仪竖直安装于安装架内侧，所述传感器竖直设于测角仪上。
4、作为进一步改进的，所述测角仪为单轴型测角仪。
5、作为进一步改进的，所述测角仪为双轴型测角仪。
6、作为进一步改进的，所述滑块上贯穿设有定位孔，所述定位孔内设有定位螺栓与导轨连接。
...【技术保护点】
1.一种MPCVD设备的测温传感器支架，其特征在于，包括固定座、导轨、滑块、安装架、测角仪和传感器，所述固定座为圆环型，所述导轨径向固定于固定座的圆环上，所述滑块设于安装架下端与导轨连接，所述测角仪竖直安装于安装架内侧，所述传感器竖直设于测角仪上。
2.根据权利要求1所述的一种MPCVD设备的测温传感器支架，其特征在于，所述测角仪为单轴型测角仪。
3.根据权利要求1所述的一种MPCVD设备的测温传感器支架，其特征在于，所述测角仪为双轴型测角仪。
4.根据权利要求1所述的一种MPCVD设备的测温传感器支架，其特征在于，所述滑块上贯穿设有定位孔，所述定位孔内设有定位螺栓与导轨连接。
5.根据权利要求1所述的一种MPCVD设备的测温传感器支架，其特征在于，所述固定座外周设有定位环，定位环的内径与石英视窗法兰的外径对应。
6.根据权利要求5所述的一种MPCVD设备的测温传感器支架，其特征在于，所述定位环内壁上均匀分布有卡凸。
7.根据权利要求5所述的一种MPCVD设备的测温传感器支架，其特征在于，所述固定座内设有转环
8.根据权利要求7所述的一种MPCVD设备的测温传感器支架，其特征在于，所述定位环上设有调节孔，所述调节孔内设有调节螺母与转环抵接。
...【技术特征摘要】
1.一种mpcvd设备的测温传感器支架，其特征在于，包括固定座、导轨、滑块、安装架、测角仪和传感器，所述固定座为圆环型，所述导轨径向固定于固定座的圆环上，所述滑块设于安装架下端与导轨连接，所述测角仪竖直安装于安装架内侧，所述传感器竖直设于测角仪上。
2.根据权利要求1所述的一种mpcvd设备的测温传感器支架，其特征在于，所述测角仪为单轴型测角仪。
3.根据权利要求1所述的一种mpcvd设备的测温传感器支架，其特征在于，所述测角仪为双轴型测角仪。
4.根据权利要求1所述的一种mpcvd设备的测温传感器支架，其特征在于，所述滑块上贯穿设有定位孔，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈永超，张坤锋，张星，
申请(专利权)人：化合积电厦门半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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