【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及配电保护
，具体涉及一种配电保护方法及配电保护装置。
技术介绍
配电保护电路中，经常使用断路器。传统的断路器有热断路器及电磁断路 器。近几年，出现了一种新的断路器，即半导体开关器件(如金属氧化物-半导体-场效应晶体管(MOSFET , Metal画Oxide-Semiconductor-Filed-Effect Transistor))。图1是现有技术中配电保护示意图。如图1所示，主要包括保险模块 14、电流采样^f莫块15、场效应晶体管MOSFET 16、过流保护4莫块17、驱动控 制模块18、负载19。其中，MOSFET16与电流采样模块15及负载19呈串联 关系；过流保护模块17分别与电路采样模块15和驱动控制模块18连接。过 流保护模块17将电路采样模块15采集的采样电流与预设的极限保护值比较， 当采样电流值大于极限保护值时，由驱动控制模块18发出控制信号关断 MOSFET16，实现过流保护功能。在对现有技术的研究和实践过程中，本专利技术的专利技术人发现 现有技术中是利用半导体器件的线性工作区特性限流的方式实现过流保 护，受器件制约大...
【技术保护点】
一种配电保护方法，其特征在于，包括： 对被保护电路进行采样，获取采样电流值，其中所述被保护电路包括半导体开关器件、电感和续流二极管，所述半导体开关器件与所述电感串联，所述半导体开关器件与所述电感之间共接续流二极管； 将所述采样电 流值与极限保护值进行比较， 当所述采样电流值大于额定电流值且小于或等于所述极限保护值时，计算在所述采样电流值大于额定电流值且小于或等于所述极限保护值时间内的所述采样电流值的累积能量值，若所述累积能量值大于预设能量值，通过驱动信号关断所 述半导体开关器件； 当所述采样电流值大于所述极限保护值时，通过驱动信号关断所述半导体开关器件。
【技术特征摘要】
1、一种配电保护方法，其特征在于，包括对被保护电路进行采样，获取采样电流值，其中所述被保护电路包括半导体开关器件、电感和续流二极管，所述半导体开关器件与所述电感串联，所述半导体开关器件与所述电感之间共接续流二极管；将所述采样电流值与极限保护值进行比较，当所述采样电流值大于额定电流值且小于或等于所述极限保护值时，计算在所述采样电流值大于额定电流值且小于或等于所述极限保护值时间内的所述采样电流值的累积能量值，若所述累积能量值大于预设能量值，通过驱动信号关断所述半导体开关器件；当所述采样电流值大于所述极限保护值时，通过驱动信号关断所述半导体开关器件。2、 根据权利要求l所述的配电保护方法，其特征在于所述计算在所述采样电流值大于额定电流值且小于或等于所述极限保护值时间内的所述采样电流值的累积能量值包括通过模拟的积分电路对在所述采样电流值大于额定电流值且小于或等于所述极限保护值时间内的所述采样电流值进行积分计算，得到累积能量值；或者，通过模拟/数字转换器将所述在所述采样电流值大于额定电流值且小于或等于所述极限保护值时间内的所述采样电流值从模拟值转换为数字值后，对所述数字值进行积分计算，得到累积能量值。3、 根据权利要求1或2所述的配电保护方法，其特征在于，还包括通过本地接口或远程接口 ，接收用户输入的控制命令；当所述控制命令为改变所述额定电流值时，根据所述控制命令改变所述额定电流值；当所述控制命令为关断半导体开关器件时，根据所述控制命令关断半导体开关器件。4、 根据权利要求2所述的配电保护方法，其特征在于所述采样电流值的累积能量值具体为所述采样电流值的平方与累积的设定时间的乘积，或所述采样电流值与累积的设定时间的乘积。5、 一种配电保护装置，其特征在于，包括采样电路模块，用于对被保护电路进行采样得到采样电流值，其中所述被 保护电路包括半导体开关器件、电感和续流二极管，所述半导体开关器件与所述电感串联，所述半导体开关器件与所述电感之间共接续流二极管；第二保护模块，用于将所述采样电路模块采样得到的采样电流值与极限保护值进行比较，在所述采样电流值大于极限保护值时，改变逻辑电平；第一保护模块，用于在所述采样电流值小于或等于所述极限保护值时，将所述采样电流值与额定电流值比较，当所述采样电流值大于额定电流值且小于或等于所述极限保护值时，计算在所述采样电流值大于额定电流值且小于或等于所述极限保护值时间内的所述采样电流值的累积能量值，并在所述累积...
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