调用FLASH存储单元内数据的防错方法及ECM电机技术

技术编号:41385676 阅读:26 留言:0更新日期:2024-05-20 19:07
本发明专利技术公开了调用FLASH存储单元内数据的防错方法及ECM电机,运行单元通过对需要写入FLASH存储单元内某一地址的数据进行加密,在运行单元调用该地址存储的数据时,通过对数据进行解密判断该地址存储的数据是否异常,若异常不使用该数据,运行单元调用默认值;若正常,则再判断存储在FLASH内的数据是否被刷写过和是否在运行单元设定的范围内,当运行单元判断存储在FLASH内的数据不在范围内或被刷写过时,运行单元调用默认值,若未被刷写过和在运行单元设定的范围,调用该地址存储的数据,当数据发生错误时,运行单元不会对其进行解密后调用,防止了电机运行中出错的发生,提高了电机运行的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

:本专利技术涉及调用flash存储单元内数据的防错方法及ecm电机。


技术介绍

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技术介绍

1、在电机实际应用过程中,某些数据需要拥有在电机掉电不丢失的特性(解释;断电再上电的情况下,这个值没有丢失),而flash芯片是内存储器件的一种,是一种非易失性(non-volatile)内存,可以通过对具体位置的读和写入,来达到保存数据的目的。针对这种需求,电机行业内通过对微处理器mcu芯片内部flash存储单元进行刷写与读取,达到以上掉电保存数据目的。但flash存储区域刷写过程中易出现故障,或某种外部条件误更改了flash内的数据。这种情况下芯片运行过程中会读到错误的数据,导致电机运行异常情况的发生。


技术实现思路

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技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种调用flash存储单元内数据的防错方法及ecm电机,解决现有技术中ecm电机在掉电时利用flash存储单元保存数据,但flash存储区域刷写过程中易出现故障,或某种外部条件误更改了flash内的数据,造成存储数据错乱,导致电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种调用FLASH存储单元内数据的防错方法,FLASH存储单元受微处理器中的运行单元控制,其特征在于:运行单元通过对需要写入FLASH存储单元内某一地址的数据进行加密,在运行单元调用该地址存储的数据时,通过对数据进行解密判断该地址存储的数据是否异常,若异常不使用该数据,运行单元调用默认值;若正常,则再判断存储在FLASH内的数据是否被刷写过和是否在运行单元设定的范围内,当运行单元判断存储在FLASH内的数据不在范围内或被刷写过时,运行单元调用默认值,若未被刷写过和在运行单元设定的范围,调用该地址存储的数据。

2.根据权利要求1所述的调用FLASH存储单元内数据的防错方法,...

【技术特征摘要】

1.一种调用flash存储单元内数据的防错方法,flash存储单元受微处理器中的运行单元控制,其特征在于:运行单元通过对需要写入flash存储单元内某一地址的数据进行加密,在运行单元调用该地址存储的数据时,通过对数据进行解密判断该地址存储的数据是否异常,若异常不使用该数据,运行单元调用默认值;若正常,则再判断存储在flash内的数据是否被刷写过和是否在运行单元设定的范围内,当运行单元判断存储在flash内的数据不在范围内或被刷写过时,运行单元调用默认值,若未被刷写过和在运行单元设定的范围,调用该地址存储的数据。

2.根据权利要求1所述的调用flash存储单元内数据的防错方法,其特征在于:运行单元通过对需要写入flash存储单元内的每一数据都单独加密,调用时都单独解密来判断数据是否异常。

【专利技术属性】
技术研发人员:张杰陈云生官金仁边文清
申请(专利权)人:大洋电机武汉研究院有限公司
类型:发明
国别省市:

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