【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电介质材料,具体涉及一种多元稀土掺杂改性铁酸铋基陶瓷及其制备方法。
技术介绍
1、自三次工业革命以来,第三产业蓬勃发展,对电子信息技术产业提出了更高的要求。特别是进入21世纪以来,电子元件的小型化和集成化已经成为发展的一大趋势。在这种大背景下,数据储存与读取元件的优化问题走进研究人员的视野。磁电耦合材料由于其独特的磁电共存特性,可以实现快速电写入和磁读取,相比传统的数据存储器,能够极大减少损耗,满足当今人们对信息存储密度和操控速度日益增长的需求。
2、bifeo3作为最著名的单相室温多铁性材料之一,由于其独特的物理性质,在存储器领域中拥有广阔应用前景。但是,bifeo3也存在漏电流大、矫顽场高以及自旋摆线型结构导致的磁性能弱等诸多问题。比较关键的,bifeo3的磁电耦合效应也比较弱。
3、为解决上述问题,科研人员针对性提出了a、b位离子置换的改性方案。以a位离子置换为例,主要是第二主族元素(sr、ba、ca等)及稀土元素(sm、nd、dy、la、ce、ho、yb等),其增强磁性能和电性能的基本原理是
...【技术保护点】
1.一种多元稀土掺杂改性铁酸铋基陶瓷,其特征在于,所述铁酸铋基陶瓷为A位多元稀土元素掺杂的铁酸铋基陶瓷,所述铁酸铋陶瓷的组分为Bi1-x(La1/4Nd1/4Sm1/4Gd1/4)xFeO3,其中,0.04≤x≤0.14。
2.如权利要求1所述的一种多元稀土掺杂改性铁酸铋基陶瓷,其特征在于,所述x为0.04、0.06、0.08、0.10、0.12或0.14。
3.一种如权利要求1或2所述的多元稀土掺杂改性铁酸铋基陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
4.如权利要求1所述的一种多元稀土掺杂改性铁酸铋基陶瓷的制备方法,其特征在于,
...【技术特征摘要】
1.一种多元稀土掺杂改性铁酸铋基陶瓷,其特征在于,所述铁酸铋基陶瓷为a位多元稀土元素掺杂的铁酸铋基陶瓷,所述铁酸铋陶瓷的组分为bi1-x(la1/4nd1/4sm1/4gd1/4)xfeo3,其中,0.04≤x≤0.14。
2.如权利要求1所述的一种多元稀土掺杂改性铁酸铋基陶瓷,其特征在于,所述x为0.04、0.06、0.08、0.10、0.12或0.14。
3.一种如权利要求1或2所述的多元稀土掺杂改性铁酸铋基陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
4.如权利要求1所述的一种多元稀土掺杂改性铁酸铋基陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤s1中干燥温度为80℃,干燥时间为48h。
5.如权利要求1所述的一种多元稀土掺杂改性铁酸铋基陶瓷的制备方法,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘娟,孙羽,余子龙,崔冰,白利红,葛梦茹,
申请(专利权)人:安徽工业大学,
类型:发明
国别省市:
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