【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，尤其涉及氧化镓衬底减薄方法、衬底及超宽禁带半导体。
技术介绍
1、氧化镓(ga2o3)是一种新型超宽禁带半导体材料，相比于第三代半导体氮化镓(gan)和碳化硅(sic)，ga2o3材料具有超宽的禁带宽度(～4.8ev)和超高临界击穿场强(～8mv/cm)，巴利加优值(baliga's figure of merit，bfom)是gan材料的4倍，sic材料的10倍，si材料的3444倍，在相同的耐压条件下ga2o3基功率器件具有更小的导通电阻。此外，高质量的ga2o3单晶衬底材料可以通过熔融法进行大规模生产，包括悬浮区熔法、导模法等，未来在成本上将比sic和gan等材料更具优势。因此，ga2o3是制备肖特基二极管(sbd)、场效应晶体管(mosfet)等低功耗、高压开关及高功率应用的优选材料之一。
2、尽管ga2o3拥有非常多优异的物理性能，且具有较低成本的单晶生长技术，在高功率电子器件等领域有着极其诱人的前景，但也存在着低热导率的缺陷，这使得散热问题成为制约ga2o3器件发展的瓶颈。对于工作在大电流条件下...
【技术保护点】
1.一种氧化镓衬底减薄方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的氧化镓衬底减薄方法，其特征在于，所述将所述待减薄的氧化镓衬底和所述晶圆固定于载物盘上之前，还包括：
3.如权利要求2所述的氧化镓衬底减薄方法，其特征在于，所述将所述待减薄的氧化镓衬底和所述晶圆通过所述保护层固定于石英载物盘上，包括：
4.如权利要求3所述的氧化镓衬底减薄方法，其特征在于，所述依次对所述待减薄的氧化镓衬底的背面和所述晶圆的背面进行研磨处理和抛光处理，包括：
5.如权利要求4所述的氧化镓衬底减薄方法，其特征在于，所述对研磨完成的所述待减薄的...
【技术特征摘要】
1.一种氧化镓衬底减薄方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的氧化镓衬底减薄方法，其特征在于，所述将所述待减薄的氧化镓衬底和所述晶圆固定于载物盘上之前，还包括：
3.如权利要求2所述的氧化镓衬底减薄方法，其特征在于，所述将所述待减薄的氧化镓衬底和所述晶圆通过所述保护层固定于石英载物盘上，包括：
4.如权利要求3所述的氧化镓衬底减薄方法，其特征在于，所述依次对所述待减薄的氧化镓衬底的背面和所述晶圆的背面进行研磨处理和抛光处理，包括：
5.如权利要求4所述的氧化镓衬底减薄方法，其特征在于，所述对研磨完成的所述待减薄的氧化镓衬底的背面和所述晶圆的背面进行抛光处理，包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：冯志红，韩仕达，王元刚，敦少博，韩婷婷，刘宏宇，吕元杰，郭红雨，王维，张栋耀，李鹏雨，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：
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