一种内部电源产生电路、存储芯片及电子设备制造技术

本发明专利技术涉及芯片电路技术领域，具体公开了一种内部电源产生电路、存储芯片及电子设备，其中，内部电源产生电路包括开关模块、开关模块、负反馈模块、第一支路电流模块、第二支路电流模块、第三支路电流模块、钳位模块、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一电阻、第二电阻及电源输出端；该内部电源产生电路的第四PMOS管直连于供电电压，使得本申请的内部电源产生电路无需依赖电流镜产生输出电压，令电源输出端的输出电流的大小由其连接的后级负载和输出电压来决定，避免了不必要的电流的产生，有效解决了内部电源产生电路的静态电流过大的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及芯片电路，具体而言，涉及一种内部电源产生电路、存储芯片及电子设备。

技术介绍

1、如附图1所示为现有的内部电源产生电路，内部电源产生电路基于电流镜产生输出电压，其在高压下（供电电压较高时），会使得图中电流镜中的晶体管p1和晶体管p2的漏源电压相差较大而产生不匹配，导致晶体管p2输出的电流过大，进而产生了不必要的电流，导致内部电源产生电路存在静态电流过大的问题。

2、针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种内部电源产生电路、存储芯片及电子设备，以避免不必要的电流的产生，解决内部电源产生电路的静态电流过大的问题。

2、第一方面，本申请提供了一种内部电源产生电路，所述内部电源产生电路包括：开关模块、负反馈模块、第一支路电流模块、第二支路电流模块、第三支路电流模块、钳位模块、第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第一电阻、第二电阻及电源输出端；

3、所述第一支路电流模块一端与供电电压连接，另一端与所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种内部电源产生电路，其特征在于，所述内部电源产生电路包括：开关模块、负反馈模块、第一支路电流模块、第二支路电流模块、第三支路电流模块、钳位模块、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一电阻、第二电阻及电源输出端；

2.根据权利要求1所述的内部电源产生电路，其特征在于，所述钳位模块包括并联设置的第一电容和二极管。

3.根据权利要求1所述的内部电源产生电路，其特征在于，所述负反馈模块包括第一NMOS管、第二NMOS管；

4.根据权利要求3所述的内部电源产生电路，其特征在于，所述内部电源产生电路还包括降压模块，所述降压模块包...

【技术特征摘要】

1.一种内部电源产生电路，其特征在于，所述内部电源产生电路包括：开关模块、负反馈模块、第一支路电流模块、第二支路电流模块、第三支路电流模块、钳位模块、第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第一电阻、第二电阻及电源输出端；

2.根据权利要求1所述的内部电源产生电路，其特征在于，所述钳位模块包括并联设置的第一电容和二极管。

3.根据权利要求1所述的内部电源产生电路，其特征在于，所述负反馈模块包括第一nmos管、第二nmos管；

4.根据权利要求3所述的内部电源产生电路，其特征在于，所述内部电源产生电路还包括降压模块，所述降压模块包括第四nmos管和第四电阻；

5.根据权利要求1-4任一项所述的内部电源产生电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李振国，王兵，
申请(专利权)人：博尔微晶深圳科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：