【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路，具体涉及一种温度补偿的无运放电流源电路。
技术介绍
1、电流源电路是模拟集成电路系统中的重要模块，在高精度a/d和d/a转换器、存储器以及开关电源等领域被广泛应用；随着模拟集成电路系统的发展，其对内部的电流源电路的性能要求越来越高。
2、图1为一种传统的电流源电路，pmos管mp3、pmos管mp4与pmos管mp6完全相同，pmos管mp1、pmos管mp2与pmos管mp5完全相同，nmos管mn1的沟道宽长比是nmos管mn2的n倍，电路输出端iout向负载提供的电流iout为其中μn为电子迁移率，cox为单位面积的栅氧化层电容，(w/l)n2为nmos管mn2的沟道宽长比，r1为电阻r1的阻值。无论怎样，该传统的电流源电路提供的电流iout具有高温度漂移特性的问题，使得传统的电流源电路在高精度系统中的应用受到了很大的限制。
技术实现思路
1、本专利技术旨在解决以上现有技术的问题。提出了一种温度补偿的无运放电流源电路。本专利技术的技术方案如下：
2、一种温度补偿的无运放电流源电路，其包括：偏置电路、电流源核心电路及温度补偿电路，其中，所述偏置电路的信号输出端连接所述电流源核心电路的信号输入端，所述电流源核心电路的信号输出端分别连接所述偏置电路的信号输入端以及所述温度补偿电路的信号输入端，所述温度补偿电路的信号输出端连接所述电流源核心电路的信号输入端；所述偏置电路用于为所述电流源核心电路提供偏置信号，所述电流源核心电路用于产生一阶
3、进一步的，所述偏置电路包括：nmos管ms1、nmos管ms2、nmos管ms3、pmos管ms4、pmos管ms5、pmos管ms6、pmos管ms7、pmos管ms8、pmos管ms9、nmos管ma1、pmos管ma2、pmos管mp5、pmos管mp6、pmos管mp7、pmos管mp8、pmos管mp9、电容c1以及电阻rs1，其中pmos管ms7的源极分别与pmos管ms8的源极、pmos管ms9的源极、电容c1的一端、pmos管mp9的源极以及外部电源vdd相连，pmos管ms7的漏极与pmos管ms4的源极相连，pmos管ms4的栅极分别与pmos管ms4的漏极、nmos管ms1的漏极、pmos管ms7的栅极、pmos管ms8的栅极、pmos管ms5的栅极、pmos管ms9的栅极、pmos管ms6的栅极、pmos管mp9的栅极、pmos管mp8的栅极以及pmos管ma2的源极相连，pmos管ms8的漏极与pmos管ms5的源极相连，pmos管ms5的漏极分别与nmos管ms1的栅极以及nmos管ms2的漏极相连，pmos管ms9的漏极与pmos管ms6的源极相连，pmos管ms6的漏极分别与nmos管ms2的栅极、nmos管ms3的栅极、nmos管ms3的漏极以及nmos管ma1的栅极相连，nmos管ms3的源极分别与nmos管ms1的源极以及电阻rs1的一端相连，电阻rs1的另一端分别与nmos管ms2的源极、pmos管ma2的漏极、nmos管ma1的源极、pmos管mp5的漏极以及外部地线gnd相连，电容c1的另一端分别与pmos管ma2的栅极以及nmos管ma1的漏极相连，pmos管mp9的漏极与pmos管mp8的源极相连，pmos管mp8的漏极分别与nmos管mn3的栅极以及pmos管mp7的源极相连，pmos管mp7的栅极分别与pmos管mp7的漏极以及pmos管mp6的源极相连，pmos管mp6的栅极分别与pmos管mp6的漏极以及pmos管mp5的源极相连。
4、进一步的，所述偏置电路中，pmos管ms4与pmos管ms7、pmos管ms5与pmos管ms8、pmos管ms6与pmos管ms9分别构成低压共源共栅电流镜，抑制mos管的沟道调制效应；pmos管ms6的漏极电流is6有其中μn为电子迁移率，cox为单位面积的栅氧化层电容，(w/l)s3为nmos管ms3的沟道宽长比，(w/l)s2为nmos管ms2的沟道宽长比，rs1为电阻rs1的阻值。pmos管ms9与pmos管mp9完全相同，pmos管ms6与pmos管mp8完全相同，从而使得pmos管mp9的漏极电流等于pmos管ms6的漏极电流，并为所述电流源核心电路中nmos管mn3提供偏置。
5、进一步的，所述电流源核心电路包括：nmos管mb1、pmos管mb2、pmos管mb3、nmos管mb4、nmos管mn1、nmos管mn2、nmos管mn3、pmos管mp1、pmos管mp2、pmos管mp3、pmos管mp4、pmos管mp10、pmos管mp11、pmos管mp12、pmos管mp13、npn三极管q1、npn三极管q2、电阻r1、电阻r2、电阻r3以及电容c2，其中nmos管mn3的漏极分别与pmos管mp12的源极、pmos管mp13的源极以及外部电源vdd相连，nmos管mn3的源极分别与nmos管mn2的栅极、pmos管mb3的源极、pmos管mp3的源极、pmos管mp4的源极、pmos管mc2的源极、pmos管mc5的源极以及pmos管mc6的源极相连，pmos管mb3的栅极分别与pmos管mb3的漏极与pmos管mb2的源极相连，pmos管mb2的栅极分别与nmos管mb1的栅极以及nmos管mb4的栅极相连，nmos管mb1的源极分别与nmos管mb4的源极、电阻r2的一端、电容c2的一端、电阻r3的一端以及外部地线gnd相连，pmos管mp3的漏极与pmos管mp1的源极相连，pmos管mp1的栅极分别与pmos管mp1的漏极、nmos管mb4的漏极、npn三极管q1的集电极、pmos管mp2的栅极、pmos管mp3的栅极、pmos管mp4的栅极、pmos管mc1的栅极、pmos管mc2的栅极、pmos管mc11的栅极以及pmos管mc12的栅极相连，npn三极管q1的发射极与电阻r1的一端相连，电阻r1的另一端分别与电阻r2的另一端以及npn三极管q2的发射极相连，pmos管mp4的漏极与pmos管mp2的源极相连，pmos管mp2的漏极分别与nmos管mn1的栅极、电容c2的另一端以及npn三极管q2的集电极相连，pmos管mp12的漏极与pmos管mp10的源极相连，pmos管mp10的栅极分别与pmos管mp10的漏极、nmos管mn2的漏极、pmos管mp11的栅极、pmos管mp12的栅极以及pmos管mp13的栅极相连，nmos管mn2的源极与nmos管mn1的漏极相连，nmos管mn1的源极分别与pmos管mp5的栅极、pmos管mb2的漏极、nmos管mb1的漏极、npn三极管q1的基极、npn三极管q2的基极、电阻r3的另一端、nmos管mc20的漏极以及信号端vref相连，pmos管mp13的漏极与pmos管mp11的源极相连，pmos管mp11本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种温度补偿的无运放电流源电路，其特征在于，包括：偏置电路(1)、电流源核心电路(2)及温度补偿电路(3)，其中，所述偏置电路(1)的信号输出端连接所述电流源核心电路(2)的信号输入端，所述电流源核心电路(2)的信号输出端分别连接所述偏置电路(1)的信号输入端以及所述温度补偿电路(3)的信号输入端，所述温度补偿电路(3)的信号输出端连接所述电流源核心电路(2)的信号输入端；所述偏置电路(1)用于为所述电流源核心电路(2)提供偏置信号，所述电流源核心电路(2)用于产生一阶带隙基准电流，所述温度补偿电路(3)用于为一阶带隙基准电流提供一温度补偿的电流从而在电路输出端Iout产生一低温漂的电流。
2.根据权利要求1所述的一种温度补偿的无运放电流源电路，其特征在于，所述偏置电路(1)包括：NMOS管MS1、NMOS管MS2、NMOS管MS3、PMOS管MS4、PMOS管MS5、PMOS管MS6、PMOS管MS7、PMOS管MS8、PMOS管MS9、NMOS管MA1、PMOS管MA2、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8、PMOS管MP9、
3.根据权利要求2所述的一种温度补偿的无运放电流源电路，其特征在于，所述偏置电路(1)中，PMOS管MS4与PMOS管MS7、PMOS管MS5与PMOS管MS8、PMOS管MS6与PMOS管MS9分别构成低压共源共栅电流镜，抑制MOS管的沟道调制效应；PMOS管MS6的漏极电流IS6有其中μn为电子迁移率，Cox为单位面积的栅氧化层电容，(W/L)S3为NMOS管MS3的沟道宽长比，(W/L)S2为NMOS管MS2的沟道宽长比，RS1为电阻RS1的阻值。PMOS管MS9与PMOS管MP9完全相同，PMOS管MS6与PMOS管MP8完全相同，从而使得PMOS管MP9的漏极电流等于PMOS管MS6的漏极电流，并为所述电流源核心电路(2)中NMOS管MN3提供偏置。
4.根据权利要求1所述的一种温度补偿的无运放电流源电路，其特征在于，所述电流源核心电路(2)包括：NMOS管MB1、PMOS管MB2、PMOS管MB3、NMOS管MB4、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP10、PMOS管MP11、PMOS管MP12、PMOS管MP13、NPN三极管Q1、NPN三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3以及电容C2，其中NMOS管MN3的漏极分别与PMOS管MP12的源极、PMOS管MP13的源极以及外部电源VDD相连，NMOS管MN3的源极分别与NMOS管MN2的栅极、PMOS管MB3的源极、PMOS管MP3的源极、PMOS管MP4的源极、PMOS管MC2的源极、PMOS管MC5的源极以及PMOS管MC6的源极相连，PMOS管MB3的栅极分别与PMOS管MB3的漏极与PMOS管MB2的源极相连，PMOS管MB2的栅极分别与NMOS管MB1的栅极以及NMOS...
【技术特征摘要】
1.一种温度补偿的无运放电流源电路，其特征在于，包括：偏置电路(1)、电流源核心电路(2)及温度补偿电路(3)，其中，所述偏置电路(1)的信号输出端连接所述电流源核心电路(2)的信号输入端，所述电流源核心电路(2)的信号输出端分别连接所述偏置电路(1)的信号输入端以及所述温度补偿电路(3)的信号输入端，所述温度补偿电路(3)的信号输出端连接所述电流源核心电路(2)的信号输入端；所述偏置电路(1)用于为所述电流源核心电路(2)提供偏置信号，所述电流源核心电路(2)用于产生一阶带隙基准电流，所述温度补偿电路(3)用于为一阶带隙基准电流提供一温度补偿的电流从而在电路输出端iout产生一低温漂的电流。
2.根据权利要求1所述的一种温度补偿的无运放电流源电路，其特征在于，所述偏置电路(1)包括：nmos管ms1、nmos管ms2、nmos管ms3、pmos管ms4、pmos管ms5、pmos管ms6、pmos管ms7、pmos管ms8、pmos管ms9、nmos管ma1、pmos管ma2、pmos管mp5、pmos管mp6、pmos管mp7、pmos管mp8、pmos管mp9、电容c1以及电阻rs1，其中pmos管ms7的源极分别与pmos管ms8的源极、pmos管ms9的源极、电容c1的一端、pmos管mp9的源极以及外部电源vdd相连，pmos管ms7的漏极与pmos管ms4的源极相连，pmos管ms4的栅极分别与pmos管ms4的漏极、nmos管ms1的漏极、pmos管ms7的栅极、pmos管ms8的栅极、pmos管ms5的栅极、pmos管ms9的栅极、pmos管ms6的栅极、pmos管mp9的栅极、pmos管mp8的栅极以及pmos管ma2的源极相连，pmos管ms8的漏极与pmos管ms5的源极相连，pmos管ms5的漏极分别与nmos管ms1的栅极以及nmos管ms2的漏极相连，pmos管ms9的漏极与pmos管ms6的源极相连，pmos管ms6的漏极分别与nmos管ms2的栅极、nmos管ms3的栅极、nmos管ms3的漏极以及nmos管ma1的栅极相连，nmos管ms3的源极分别与nmos管ms1的源极以及电阻rs1的一端相连，电阻rs1的另一端分别与nmos管ms2的源极、pmos管ma2的漏极、nmos管ma1的源极、pmos管mp5的漏极以及外部地线gnd相连，电容c1的另一端分别与pmos管ma2的栅极以及nmos管ma1的漏极相连，pmos管mp9的漏极与pmos管mp8的源极相连，pmos管mp8的漏极分别与nmos管mn3的栅极以及pmos管mp7的源极相连，pmos管mp7的栅极分别与pmos管mp7的漏极以及pmos管mp6的源极相连，pmos管mp6的栅极分别与pmos管mp6的漏极以及pmos管mp5的源极相连。
3.根据权利要求2所述的一种温度补偿的无运放电流源电路，其特征在于，所述偏置电路(1)中，pmos管ms4与pmos管ms7、pmos管ms5与pmos管ms8、pmos管ms6与pmos管ms9分别构成低压共源共栅电流镜，抑制mos管的沟道调制效应；pmos管ms6的漏极电流is6有其中μn为电子迁移率，cox为单位面积的栅氧化层电容，(w/l)s3为nmos管ms3的沟道宽长比，(w/l)s2为nmos管ms2的沟道宽长比，rs1为电阻rs1的阻值。pmos管ms9与pmos管mp9完全相同，pmos管ms6与pmos管mp8完全相同，从而使得pmos管mp9的漏极电流等于pmos管ms6的漏极电流，并为所述电流源核心电路(2)中nmos管mn3提供偏置。
4.根据权利要求1所述的一种温度补偿的无运放电流源电路，其特征在于，所述电流源核心电路(2)包括：nmos管mb1、pmos管mb2、pmos管mb3、nmos管mb4、nmos管mn1、nmos管mn2、nmos管mn3、pmos管mp1、pmos管mp2、pmos管mp3、pmos管mp4、pmos管mp10、pmos管mp11、pmos管mp12、pmos管mp13、npn三极管q1、npn三极管q2、电阻r1、电阻r2、电阻r3以及电容c2，其中nmos管mn3的漏极分别与pmos管mp12的源极、pmos管mp13的源极以及外部电源vdd相连，nmos管mn3的源极分别与nmos管mn2的栅极、pmos管mb3的源极、pmos管mp3的源极、pmos管mp4的源极、pmos管mc2的源极、pmos管mc5的源极以及pmos管mc6的源极相连，pmos管mb3的栅极分别与pmos管mb3的漏极与pmos管mb2的源极相连，pmos管mb2的栅极分别与nmos管mb1的栅极以及nmos管mb4的栅极相连，nmos管mb1的源极分别与nmos管mb4的源极、电阻r2的一端、电容c2的一端、电阻r3的一端以及外部地线gnd相连，pmos管mp3的漏极与pmos管mp1的源极相连，pmos管mp1的栅极分别与pmos管mp1的漏极、nmos管mb4的漏极、npn三极管q1的集电极、pmos管mp2的栅极、pmos管mp3的栅极、pmos管mp4的栅极、pmos管mc1的栅极、pmos管mc2的栅极、pmos管mc11的栅极以及pmos管mc12的栅极相连，npn三极管q1的发射极与电阻r1的一端相连，电阻r1的另一端分别与电阻r2的另一端以及npn三极管q2的发射极相连，pmos管mp4的漏极与pmos管mp2的源极相连，pmos管mp2的漏极分别与nmos管mn1的栅极、电容c2的另...
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