【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及三氯氢硅合成领域，尤其涉及一种三氯氢硅合成炉和均衡三氯氢硅合成炉温度的方法。
技术介绍
1、目前三氯氢硅的合成通常是向三氯氢硅合成炉中添加硅粉和干燥的氯化氢，通过控制反应温度、压力使其在合成炉内发生反应。当合成炉反应温度较低时会产生二氯二氢硅，反应温度过高则会生成四氯化硅，这些副产物的产生导致三氯氢硅转化率变低。
2、现有的合成炉在使用时，通过下料管直接向炉体内投入硅粉，导致投入炉体内的硅粉易堆积在一处，使得反应不充分，而且由于炉体大多采用夹套降温，导致炉体内靠近夹套侧反应温度低，产生二氯二氢硅；而远离夹套的中心温度高，产生四氯化硅。合成炉内反应温度不均一，导致了三氯氢硅转化率的下降。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种三氯氢硅合成炉和均衡三氯氢硅合成炉温度的方法，以解决现有的三氯氢硅合成炉内反应温度不均一，导致三氯氢硅生成效率降低的问题。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术是这样实现的：
3、第一方面，本专利技术实施例提供了一种三氯氢硅合成炉，包括：
4、炉体、进料口、冷却外夹套、风帽、花盘、温度均衡组件、测温装置和原料气进气口；
5、所述炉体包括依次连接的上炉体、中间炉体和下炉体，所述炉体内形成为密闭的腔室；所述进料口设置在所述中间炉体靠近所述上炉体一侧的炉壁上；所述冷却外夹套套设在所述中间炉体的外侧炉壁上；所述花盘设置在所述中间炉体靠近所述下炉体一端；所述风帽和所述温度均衡组件设置在所述
6、可选的，所述温度均衡组件包括烧结滤芯和氢气进气口；所述烧结滤芯设置在所述花盘远离所述下炉体的一侧上，所述氢气进气口设置在所述下炉体上，并与所述烧结滤芯连接。
7、可选的，所述烧结滤芯形成为圆柱形，通过螺栓固定或焊接的方式设置在所述花盘的中心。
8、可选的，所述风帽设置为至少一个，并围绕所述烧结滤芯设置。
9、可选的，还包括：
10、气体流量调节阀，所述气体流量调节阀设置在所述氢气进气口远离所述烧结滤芯的一端上。
11、可选的，所述测温装置包括：炉内测温装置和炉外测温装置，所述炉内测温装置设置在所述中间炉体靠近所述下炉体的一端上，并纵向伸入所述中间炉体的内部；
12、所述炉外测温装置设置在所述中间炉体的外壁上。
13、可选的，所述炉内测温装置伸入所述中间炉体的内部的高度与所述炉外测温装置的高度相同。
14、可选的，所述原料气进气口设置为至少一个；所述原料气进气口包括氮气进气口和氯化氢气体进气口。
15、可选的，所述上炉体的最大内径大于所述中间炉体的最大内径；
16、所述下炉体设置为倒锥形。
17、第二方面，本专利技术实施例提供了一种均衡三氯氢硅合成炉温度的方法，应用如第一方面中任一项所述的三氯氢硅合成炉，该方法包括：
18、向所述原料气进气口通入氮气直至测温装置显示所述三氯氢硅合成炉的温度满足第一温度时，向所述进料口中加入硅粉；
19、当测温装置显示所述三氯氢硅合成炉的温度满足第二温度时，向所述原料气进气口通入氯化氢气体，并在所述冷却外夹套中通入冷却水；
20、当测温装置显示所述三氯氢硅合成炉的温度满足第三温度时，通过所述温度均衡装置通入氢气，并根据所述测温装置显示的温度调节所述氢气的流量。
21、在本专利技术中，，通过在花盘中心装温度均衡组件，通过温度均衡组件向反应中心通入氢气，氢气穿过温度均衡组件的小孔向四周扩散带走反应中心热量，并将热量带到靠近外夹套处，使得反应温度达到均衡状态，解决了现有的三氯氢硅合成炉内反应温度不均一，导致三氯氢硅生成效率降低的问题。
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1.一种三氯氢硅合成炉，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，
10.一种均衡三氯氢硅合成炉温度的方法，其特征在于，应用如权利要求1-9中任一项所述的三氯氢硅合成炉，该方法包括：
【技术特征摘要】
1.一种三氯氢硅合成炉，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的三...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴昌勇，郭芳，孙运德，陈光强，赵俊明，刘勇飞，马文华，吕春生，
申请(专利权)人：新特能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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