【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及锗回收，具体涉及一种等离子氧化装置及废锗处理方法。
技术介绍
1、锗锭经区域熔融炉提纯，切头尾后获得区熔锗锭，头部和尾部的废锗锭中含有锗含量很高，其含锗一般都在90％以上甚至更高。因此从废锗锭中回收锗是有效和经济地生产和利用锗的重要方法，目前对锗废料的回收主要采用氯气直接在单管炉内氯化生成四氯化锗，或者破碎后加入碳酸钠，再经过焙烧转化成锗酸钠，然后再加酸蒸馏产出四氯化锗，再经提纯水解获得高纯二氧化锗。这种回收方法容易造成环境污染。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于针对现有技术的不足之处，提供一种等离子氧化装置及废锗处理方法。
2、本专利技术解决上述问题的技术方案为：一种等离子氧化装置，包括炉体，进料仓；
3、炉体由上至下依次包括排气段、第二等离子加热段、进料段、第一等离子加热段，所述第二等离子加热段与进料段之间设有隔板；
4、所述进料段的侧壁上设有进料口，所述进料口连接进料仓；
5、所述第一等离子加热段两侧侧壁上分别设有等离子加热炬，所述第一等离子加热段的侧壁上设有第一进气口；第一等离子加热段的侧壁上设有第一排气口，所述第二等离子加热段的侧壁上设有第二进气口和第三进气口，所述第一排气口与第二进气口通过第一管道连接，所述第一管道上设有单向阀和第一阀门；
6、所述第二等离子加热段两侧侧壁上分别设有等离子加热炬。
7、进一步的，所述排气段侧壁上设有第二排气口，所述进料仓外壁上设有夹套，所述夹套下端
8、一种废锗处理方法，具体包括以下步骤：
9、步骤1，将废锗锭进行破碎处理成粉末状废锗料；
10、步骤2，将粉末状废锗料投入上述等离子氧化装置进行氧化得到气态二氧化锗，再将气态二氧化锗经冷却后收集得到二氧化锗粉末；
11、步骤3，将获得的二氧化锗粉末进行氯化蒸馏，得到四氯化锗；
12、步骤4，将获得的四氯化锗与盐酸进行复蒸、精馏；
13、步骤5，将精馏后的四氯化锗进行水解。
14、步骤7，将水解得到的二氧化锗采用微负压烘箱烘干。
15、进一步的，步骤2中，等离子氧化装置的第一等离子加热段内气压在真空条件下，第一等离子加热段内加热温度为1950k-2100k；。
16、进一步的，步骤2中，等离子氧化装置的第二等离子加热段内加热温度为1500℃-2000℃。
17、进一步的，步骤2中，等离子氧化装置的第一等离子加热段达到1800k之前，炉内通入氮气将其余杂质吹出。
18、本专利技术具有有益效果：
19、本专利技术提供了一种等离子氧化装置及废锗处理方法，回收处理工艺污染小，经过等离子氧化装置处理之后得到的二氧化锗纯度较高，等离子氧化装置对粉料进行两次等离子加热，第一次加热是将锗与其他杂质进行分离，并在粉料不飞扬的情况下进行初步氧化，第二次加热并通入足量氧气保证充分氧化，气态的二氧化锗含有大量的热量，直接冷却收集造成热量浪费，本专利技术将气态二氧化锗的热量进行余热回收对进料仓内的粉料经常预热，预热后的粉料进行第一次等离子加热时加热速度快，提高反应速率。
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1.一种等离子氧化装置，其特征在于：包括炉体，进料仓；
2.如权利要求1所述的一种等离子氧化装置，其特征在于：所述排气段侧壁上设有第二排气口，所述进料仓外壁上设有夹套，所述夹套下端设有第一余热进气口，上端设有第一余热出气口，所述第一余热进气口与第二排气口通过管道连接。
3.一种废锗处理方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
4.如权利要求3所述的一种等离子氧化装置，其特征在于：步骤2中，等离子氧化装置的第一等离子加热段内气压在真空条件下，第一等离子加热段内加热温度为1950K-2100K。
5.如权利要求3或4所述的一种等离子氧化装置，其特征在于：步骤2中，等离子氧化装置的第二等离子加热段内加热温度为1500℃-2000℃。
6.如权利要求3所述的一种等离子氧化装置，其特征在于：步骤2中，等离子氧化装置的第一等离子加热段达到1800k之前，炉内通入氮气将其余杂质吹出。
【技术特征摘要】
1.一种等离子氧化装置，其特征在于：包括炉体，进料仓；
2.如权利要求1所述的一种等离子氧化装置，其特征在于：所述排气段侧壁上设有第二排气口，所述进料仓外壁上设有夹套，所述夹套下端设有第一余热进气口，上端设有第一余热出气口，所述第一余热进气口与第二排气口通过管道连接。
3.一种废锗处理方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
4.如权利要求3所述的一种等离子氧化装置，其特征在于：步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：岳喜龙，吴彤，袁承乾，李轩，姜炜，李静，许志鹏，王亲猛，李栋，郭学益，
申请(专利权)人：江苏宁达环保股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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