【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种半导体结构及制备方法。
技术介绍
1、现有技术的半导体结构的连接插塞例如连接源漏以及栅极结构的插塞，不同位置的连接插塞一般采用同步形成，但由于连接插塞的形成位置不同，形成连接插塞的空间大小不同，导致形成的连接插塞容易产生不对准或断裂的风险，例如相关技术中核心区域的栅极结构之间的间距小于外围区域的栅极结构之间的间距，后续形成源漏插塞时，容易导致核心区域的源漏插塞不易对准，而且由于形成空间较小形成的源漏插塞容易发生断裂，也容易发生短路现象。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其制备方法，能够提高连接插塞的对准效果，降低断裂和短路的风险。
2、根据本专利技术实施例的半导体结构的制备方法，包括：提供基底，所述基底具有第一区域和第二区域；于所述基底上形成栅极结构，位于所述第一区域的相邻的栅极结构的间距小于位于所述第二区域的相邻的栅极结构的间距；于所述栅极结构表面形成第一绝缘层，在所述第一区域，所述栅极结构侧壁的第一绝缘层之间形成有...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述栅极结构表面形成第一绝缘层的步骤包括：
3.根据权利要求2所述半导体结构的制备方法，其特征在于，在形成第二绝缘层的步骤中，于位于所述第二区域的所述第二子绝缘层的侧壁形成第三子绝缘层，所述第三子绝缘层之间形成第三子凹槽，所述第二绝缘层包括第三子绝缘层；
4.根据权利要求3所述半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第二绝缘层的步骤还包括至少于所述第三子绝缘层的表面形成第四子绝缘层，所述第四子绝缘层和所述第三子绝缘层共同形成
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述栅极结构表面形成第一绝缘层的步骤包括：
3.根据权利要求2所述半导体结构的制备方法，其特征在于，在形成第二绝缘层的步骤中，于位于所述第二区域的所述第二子绝缘层的侧壁形成第三子绝缘层，所述第三子绝缘层之间形成第三子凹槽，所述第二绝缘层包括第三子绝缘层；
4.根据权利要求3所述半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第二绝缘层的步骤还包括至少于所述第三子绝缘层的表面形成第四子绝缘层，所述第四子绝缘层和所述第三子绝缘层共同形成所述第二绝缘层。
5.根据权利要求4所述半导体结构的制备方法，其特征在于，在形成所述第四子绝缘层之前还包括：
6.根据权利要求5所述半导体结构的制备方法，其特征在于，采用原子层沉积法形成所述第一牺牲层。
7.根据权利要求5所述半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一连接插塞和所述第二连接插塞的步骤包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：唐衍哲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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