【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电容器，尤其涉及一种薄膜的印压结构加工方法和电容器浸渍制备方法。
技术介绍
1、电容器极间局部放电主要发生在介质元件的端部，如图6所示，电容器中间的金属介质比两侧金属介质短，主要目的是在端部留有间隙以便喷金层在金属表面附着。但是，喷金层不可能完全填满端部间隙的气体(如空气)，必然造成端部有气体残留。现有去除电容器内容的气体残留是将电容器这个元件置于真空罐内，进行抽真空处理，然后将电容器用浸渍剂浸渍，将端部残留的气体被浸渍剂替代，提升电容器极间局放性能。
2、如图6所示，电容器上的薄膜一般采用4～8微米厚度的，电容器上薄膜的厚度尺寸远远小于分子自由程，使得其采用抽真空去除间隙中气体效果差，导致电容器的间隙仍然存在气体残留。若电容器采用厚度厚的薄膜(如金属膜)制作，但此薄膜的表面粗糙度非常低，浸渍剂难以浸入，无法去除电容器内部间隙中气体。通常油浸式电容器采用粗化膜或增加纤维层便于浸渍，但是粗化膜不用于金属化电容器，增加纤维层不利于电容器自愈性能。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种薄膜的印压结构加工方法和电容器浸渍制备方法，用于解决现有电容器结构内部存在间隙，间隙中残留气体无法有效去除导致电容器的局放性能差的技术问题。
2、为了实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：
3、一方面，提供了一种薄膜的印压结构加工方法，包括以下步骤：
4、通过传送装置将放卷辊上的待印压薄膜输送至分切装置；
5、采用所述分切装置的
6、采用所述印压装置对所述分切薄膜的非蒸镀面进行印压，得到具有印压结构的薄膜。
7、优选地，所述印压装置包括位于所述传送装置上方的第一印压辊和位于所述传送装置下方的第二印压辊，采用所述印压装置对所述分切薄膜的非蒸镀面进行印压的内容包括：通过所述第二印压辊向上抵压固定所述分切薄膜的金属面，采用2.2～3.0gpa压强、80～110℃温度的所述第一印压辊对所述分切薄膜的非蒸镀面进行印压。
8、优选地，所述印压结构包括多个一级凹槽曲面，每个所述一级凹槽曲面包括多个二级凹槽曲面，所述一级凹槽曲面的深度与宽度比为1：3～1：7，所述二级凹槽曲面的深度与宽度比为1：3～1：8，所述二级凹槽曲面的长宽比为4：1～1：1，所述二级凹槽曲面中微腔的深度与宽度比为1：3～1：7，所述二级凹槽曲面的微腔边缘角的角度为2°～8°。
9、又一方面，提供了一种电容器浸渍制备方法，包括以下步骤：
10、获取电容器内的间隙宽度和薄膜的印压区域，根据所述间隙宽度确定印压尺寸；
11、根据所述印压尺寸采用如权利要求1-3任意一项所述薄膜的印压结构加工方法对所述印压区域的薄膜进行印压操作，得到待浸渍电容器元件；
12、对所述待浸渍电容器元件采用真空浸渍方式进行浸渍处理，得到浸渍后的电容器。
13、优选地，所述真空浸渍方式的内容包括：
14、将所述待浸渍电容器元件竖直放置真空箱内，对所述待浸渍电容器元件进行加热并加热至设置温度，得到加热电容元件；
15、对所述加热电容元件进行抽真空，得到待浸渍电容元件；
16、将浸渍剂流入所述真空箱将所述待浸渍电容元件淹没，得到完全浸入浸渍剂的第一电容元件；
17、对所述第一电容元件保持真空时间不小于第一时间后，再对所述第一电容元件采用干燥空气/氮气进行破空处理，得到净化电容元件；
18、将所述净化电容元件放在所述真空箱内或所述真空箱外采用所述浸渍剂按第二时间浸渍，得到第二电容元件；
19、对所述第二电容元件进行离心、密封处理，得到浸渍后的电容器。
20、优选地，该电容器浸渍制备方法包括：在抽真空过程中，所述真空箱的真空度不高于1kpa。
21、优选地，该电容器浸渍制备方法包括采用5mm/min～20mm/min的速率将浸渍剂流入所述真空箱将所述待浸渍电容元件淹没。
22、优选地，所述设置温度为60℃及以上。
23、优选地，所述第一时间为1h，所述第二时间为2h～10h。
24、优选地，所述印压尺寸比所述间隙宽度小0.5mm～2mm。
25、该薄膜的印压结构加工方法和电容器浸渍制备方法，该加工方法包括通过传送装置将放卷辊上的待印压薄膜输送至分切装置；采用分切装置的分切刀对待印压薄膜进行分切，得到分切薄膜并将分切薄膜通过传送装置传送至印压装置；采用印压装置对分切薄膜的非蒸镀面进行印压，得到具有印压结构的薄膜。从以上技术方案可以看出，本申请实施例具有以下优点：通过该薄膜的印压结构加工方法生产的薄膜制作的电容器可以在浸渍过程中，让印压结构的薄膜将浸渍剂定向传输，降低浸渍工艺中的真空要求，提高了电容器的加工效率，降低真空处理的能耗，改善电容器端部局放性能，解决了现有电容器结构内部存在间隙，间隙中残留气体无法有效去除导致电容器的局放性能差的技术问题。
26、该电容器浸渍制备方法先在印压区域卷绕具有印压结构的薄膜，使得在浸渍过程中让浸渍剂自主被动式单向流体介质传输，实现高速的、选择性、定向的、流体介质传输通道，提高浸渍剂进入电容器内容间隙内部。
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1.一种薄膜的印压结构加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的薄膜的印压结构加工方法，其特征在于，所述印压装置包括位于所述传送装置上方的第一印压辊和位于所述传送装置下方的第二印压辊，采用所述印压装置对所述分切薄膜的非蒸镀面进行印压的内容包括：通过所述第二印压辊向上抵压固定所述分切薄膜的金属面，采用2.2～3.0GPa压强、80～110℃温度的所述第一印压辊对所述分切薄膜的非蒸镀面进行印压。
3.根据权利要求1所述的薄膜的印压结构加工方法，其特征在于，所述印压结构包括多个一级凹槽曲面，每个所述一级凹槽曲面包括多个二级凹槽曲面，所述一级凹槽曲面的深度与宽度比为1：3～1：7，所述二级凹槽曲面的深度与宽度比为1：3～1：8，所述二级凹槽曲面的长宽比为4：1～1：1，所述二级凹槽曲面中微腔的深度与宽度比为1：3～1：7，所述二级凹槽曲面的微腔边缘角的角度为2°～8°。
4.一种电容器浸渍制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的电容器浸渍制备方法，其特征在于，所述真空浸渍方式的内容包括：
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