一种过渡金属硫化物二维材料的制备方法技术

本发明专利技术属于二维材料制备技术领域，具体涉及一种过渡金属硫化物二维材料的制备方法。本发明专利技术提供的制备方法包括：以过渡金属硫化物为靶材，以聚硅氧烷材料为衬底，进行物理气相沉积，得到聚硅氧烷材料‑过渡金属硫化物复合材料；所述聚硅氧烷材料‑过渡金属硫化物复合材料包括聚硅氧烷材料和负载于聚硅氧烷材料表面的过渡金属硫化物二维材料薄膜；所述聚硅氧烷材料包括甲基硅油、乙基硅油和苯基硅油中的一种或几种；利用四氯化碳溶解聚硅氧烷材料‑过渡金属硫化物复合材料中的聚硅氧烷材料，得到所述过渡金属硫化物二维材料。本发明专利技术以液态的聚硅氧烷材料为基底负载过渡金属硫化物，突破了以往二维材料尺寸细小的缺点，并可自由控制二维材料的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于二维材料制备，具体涉及一种过渡金属硫化物二维材料的制备方法。

技术介绍

1、二维材料作为一种新型材料，因其具有较高的比表面积、较好的机械性能、可逆可操控化学反应、高电导率和热传导率等，在现代科技发展中展现出越来越重要的作用，尤其是在半导体、传感器、催化、光学、热学、储能等领域有着广阔的应用前景。尽管如此，二维材料的制备仍存在诸多问题与挑战。目前常见的制备技术主要有机械剥离法、超声剥离法、化学气相沉积法、电化学剥离法、球磨等，但这些方法制备出的二维材料尺寸小，剥离方法缺陷多，普适性差，产率低。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种过渡金属硫化物二维材料的制备方法。本专利技术提供的制备方法简单、过渡金属硫化物二维材料容易剥离，普适性高，且可以随意控制二维材料的尺寸。

2、为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：

3、本专利技术提供了一种过渡金属硫化物二维材料的制备方法，包括以下步骤：

4、以过渡金属硫化物为靶材，以聚硅氧烷材料为衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种过渡金属硫化物二维材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述过渡金属硫化物为二硫化钼、二硫化钨、二硒化铌和二硒化铼中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述物理气相沉积包括溅射。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述溅射包括射频溅射或射频磁控溅射。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述溅射的功率为2～160kW/m2，溅射的气压为0.2～20Pa，溅射的工作气体为氩气；所述溅射的偏压为0～1200V；靶材与聚硅氧烷材料的距离为2...

【技术特征摘要】

1.一种过渡金属硫化物二维材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述过渡金属硫化物为二硫化钼、二硫化钨、二硒化铌和二硒化铼中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述物理气相沉积包括溅射。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述溅...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜栋，王琴琴，伏彦龙，高晓明，赵旭，胡明，王德生，杨军，刘志鲁，郭龙帮，孙嘉奕，翁立军，
申请(专利权)人：中国科学院兰州化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：