图像传感器及其制造方法技术

由于具有不同表面特性的相邻微透镜之间存在着排斥力，所以图像传感器具有大的桥接余量。由于具有在两个区域之间的阶梯部分的结构，所以图像传感器具有较大的桥接余量，其中，该阶梯部分的结构在两个区域之下的平坦化层上方，第一和第二组微透镜形成在这两个区域。因此，实现了零间隙，即，在微透镜之间不存在间隙，微透镜的填充系数被最大化。通过零间隙的实现，减少了干涉效应，噪声减少了，填充系数提高了，因此提高了图像传感器的灵敏度，特别提高了绿色灵敏度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更具体地，涉及一 种具有相邻微透镜的，其中，相邻微透镜具有不同的表面净争寸生(surface property )。
技术介绍
图像传感器是一种将光学图像转换成电信号的半导体器件。图 像传感器的类型包括CCD (电荷耦合器件)图像传感器和CMOS (互补金属氧化物半导体)图像传感器。CMOS图像传感器是一种利用CMOS制造技术将光学图^f象转 换成电信号的器件。CMOS传感器采用了一种开关方法，该开关方 法使得MOS晶体管的数量和相素数量一样多，并用它们来顺序检 测输出。CMOS图像传感器与CCD图像传感器相比更易于操作， 扫描方法灵活，并且通过将图像检测和信号处理电路集成到单个晶 片上而减小了最终产品的尺寸。此外，由于CMOS图像传感器是使 用普遍兼容的CMOS技术来制造的，所以可以降低制造成本，并且 大幅降低了 CMOS图像传感器的能耗。在图像传感器的制造工艺中，人们尽力去最大化感光性(photo sensitivity )。 一种方法就是优化聚光装置 (light condensing apparatus),例如，CMOS图像传感器包括检测光的光检测器和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：　半导体衬底；　光检测器，形成在所述半导体衬底中；　第一组微透镜，形成在所述半导体衬底上方并彼此隔离，所述第一组微透镜中的每个透镜具有第一表面特性；以及　第二组微透镜，形成在所述第一组微透镜之间，所述第二组微透镜中的 每个微透镜具有第二表面特性。

【技术特征摘要】
KR 2008-9-4 10-2008-00871521.一种装置，包括半导体衬底；光检测器，形成在所述半导体衬底中；第一组微透镜，形成在所述半导体衬底上方并彼此隔离，所述第一组微透镜中的每个透镜具有第一表面特性；以及第二组微透镜，形成在所述第一组微透镜之间，所述第二组微透镜中的每个微透镜具有第二表面特性。2. 根据权利要求1所述的装置，包括平坦化层，形成在所述半导体衬底上方、所述第一和第 二组孩t透4竟之下，其中，所述平坦化层具有相应于形成所述第 一组纟效透4竟的区域的阶梯部分，和相应于形成所述第二组樣史透 镜的区域的阶梯部分。3. 根据权利要求2所述的装置，其中，所述平坦化层是由光刻胶、 氧化膜和氮化膜之一制成的绝缘膜。4. 根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一表面特性为亲水 的，而所述第二表面特性为疏水的。5. 根据权利要求1所述的装置，包括在所述第一和第二组透镜上 方的〗呆护层。6. 根据权利要求1所述的装置，包括形成在所述半导体衬底上 方、所述第一和第二组微透镜之下的滤色器阵列。7. 根据权利要求6所述的装置，包括形成在所述半导体衬底上 方、所述滤色器阵列之下的保护层...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴珍皞，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]