一种高时间精度高能射线光子探测器和感光装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了高时间精度高能射线光子探测器和感光装置及其制备方法，感光装置包括衬底，衬底上设置微米线阵列，微米线阵列包括若干微米线单元，微米线单元包括若干田字形分布且并联的NbN微米线，NbN微米线为若干首尾相连的U形结构，与钛电阻相连；微米线阵列的周向设置若干复合电极，复合电极与微米线单元相连。本发明专利技术在一定程度上兼顾了对γ射线探测的探测效率、信噪比、时间精度、计数率，具有较好的综合探测性能，在4.2K以下温度工作综合性能优异；以铅玻璃切伦科夫辐射体作为γ射线吸收体、再耦合至感光模块的间接探测法，解决超导微条材料有效原子序数低而几乎不与γ射线发生作用的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光子探测器及其制法，具体为一种高时间精度高能射线光子探测器和感光装置及其制备方法。

技术介绍

1、γ射线又称γ粒子流，是原子核能级跃迁退激时释放出的射线，是一种波长短于0.01nm、能量高于124kev、频率超过30ehz(3×1019hz)的电磁波。实现γ射线的高质量探测在医疗影像检测、物品安检、工业探伤、环境检测、军事国防以及科学研究等多个领域中具有重要意义。

2、γ射线的探测方法可以分为直接探测与间接探测两种。此前世界上已成功实践的直接探测主要有气体探测器(如g-m计数管)和半导体探测器(如硅探测器、高纯锗探测器、碲化镉探测器、碲锌镉探测器)，间接探测主要有闪烁体探测器(如采用nai(tl)晶体闪烁体、csi(tl)晶体闪烁体、bgo锗酸铋闪烁体、lyso：ce晶体闪烁体)。上述γ射线探测器虽能满足各自的基本设计指标，但基本都存在探测效率低、信噪比低、时间精度低、计数率低这四个问题中的一个或多个问题，难以满足高质量γ射线探测的将来需求。

3、传统的γ射线探测器在探测效率、信噪比、时间精度、计数率方面基本都存在一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种感光装置，其特征在于：包括衬底(1)，所述衬底(1)上设置微米线阵列(2)，所述微米线阵列(2)包括若干微米线单元(21)，所述微米线单元(21)包括若干田字形分布且并联的NbN微米线(211)，所述NbN微米线(211)为若干首尾相连的U形结构，并在U形结构的一端串联钛电阻(3)；所述微米线阵列(21)的周向设置若干复合电极(4)，所述复合电极(4)与微米线单元(21)相连。

2.根据权利要求1所述的一种感光装置，其特征在于：所述NbN微米线(211)的线宽为0.5～2μm，厚度为5～200nm，所述微米线阵列(2)在衬底(1)上的投影面积为13％以上。

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【技术特征摘要】

1.一种感光装置，其特征在于：包括衬底(1)，所述衬底(1)上设置微米线阵列(2)，所述微米线阵列(2)包括若干微米线单元(21)，所述微米线单元(21)包括若干田字形分布且并联的nbn微米线(211)，所述nbn微米线(211)为若干首尾相连的u形结构，并在u形结构的一端串联钛电阻(3)；所述微米线阵列(21)的周向设置若干复合电极(4)，所述复合电极(4)与微米线单元(21)相连。

2.根据权利要求1所述的一种感光装置，其特征在于：所述nbn微米线(211)的线宽为0.5～2μm，厚度为5～200nm，所述微米线阵列(2)在衬底(1)上的投影面积为13％以上。

3.根据权利要求1所述的一种感光装置，其特征在于：所述复合电极(4)包括nbn层(41)、ti层(42)、au层(43)，所述衬底(1)表面沿着远离衬底(1)的方向依次设置nbn层(41)、ti层(42)、au层(43)。

4.根据权利要求3所述的一种感光装置，其特征在于：所述nbn层(41)的厚度为5～15nm，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张蜡宝，张力扬，郭书亚，谭静柔，陈奇，吴培亨，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：

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