一种高绝缘、高导热聚合物基复合薄膜材料及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种高绝缘、高导热聚合物基复合薄膜材料及其制备方法，属于复合材料制备技术领域。本发明专利技术公开选用羟基化六方氮化硼纳米片和不同尺寸大小的碳化硅晶须作为导热填料，聚芳醚腈和邻苯二甲腈作为聚合物基体。利用反应诱导相分离法制备邻苯二甲腈微球，再利用静电吸附及氢键作用使氮化硼纳米片包覆在微球表面；将具有核壳结构的邻苯二甲腈微球@氮化硼纳米片填料以不同质量分数比与聚芳醚腈树脂共混流延成膜；在筛选出优异性能的配方条件下，物理共混碳化硅晶须进一步改善薄膜材料的性能，以最终获得一种高绝缘、高导热、高玻璃化转变温度且易加工的聚芳醚腈薄膜，在高性能电子器件中具有巨大的应用潜力，可规模化生产与应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料制备，涉及高分子材料合成及纳米复合材料的制备及加工工艺，具体涉及一种聚芳醚腈复合薄膜材料的制备方法，尤其为一种高绝缘、高导热聚合物基复合薄膜材料的制备方法。

技术介绍

1、随着微电子科学技术的快速发展，人类对于微电子产品的小型化、轻量化、高效化和多功能等要求逐渐严苛。具体来说，在5nm芯片的制备工艺下，集成化晶体管个数可高达153亿个，如此高的密集程度使得工作功率密度大幅提升。然而，小型化、集成化及高功率化必然会导致器件积累热量出现过热现象。研究表明，电子设备的工作环境每升高1℃将会降低电子设备4％的工作稳定性，若无法及时将热量扩散出去，则会导致电子元器件内部发热集中，破坏电子器件的工作环境，最终热失效。因此，对电子材料用高导热系数材料的研究是迫切需要的。

2、与传统导热材料(金属类、陶瓷类)相较而言，聚合物通常具有质量轻、易加工成型、耐腐蚀及良好的绝缘特性，是制备导热复合材料的良本体。然而，大多数聚合物材料由于链段的不规整性(无定型聚合物)导致低的本征导热系数，因此在散热领域的应用受到了较大的限制。截至目前，在聚合物基体中构本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高绝缘、高导热聚合物基复合薄膜材料，其特征在于，所述材料通过亲核取代反应、反应诱导相分离法、溶液流延法、核壳结构填料的设计及杂化填料协同改性的方法获得，且所述高绝缘、高导热聚合物基复合薄膜材料中聚合物为聚芳醚腈、邻苯二甲腈，无机填料为氮化硼纳米片和碳化硅晶须。

2.一种如权利要求1所述高绝缘、高导热聚合物基复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述方法具体包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述的高绝缘、高导热聚合物基复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述聚芳醚腈树脂、具有核壳结构的邻苯二甲腈微球@氮化硼纳米片填料与N-甲基吡咯烷酮的比例关系为1g：0.10...

【技术特征摘要】

1.一种高绝缘、高导热聚合物基复合薄膜材料，其特征在于，所述材料通过亲核取代反应、反应诱导相分离法、溶液流延法、核壳结构填料的设计及杂化填料协同改性的方法获得，且所述高绝缘、高导热聚合物基复合薄膜材料中聚合物为聚芳醚腈、邻苯二甲腈，无机填料为氮化硼纳米片和碳化硅晶须。

2.一种如权利要求1所述高绝缘、高导热聚合物基复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述方法具体包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述的高绝缘、高导热聚合物基复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述聚芳醚腈树脂、具有核壳结构的邻苯二甲腈微球@氮化硼纳米片填料与n-甲基吡咯烷酮的比例关系为1g：0.10～0.25g：10～15ml，所述聚芳醚腈/邻苯二甲腈微球@氮化硼纳米片、碳化硅晶须与n-甲基吡咯烷酮的比例关系为1g：0.075～0.25g：1～5ml。

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【专利技术属性】
技术研发人员：童利芬，何亮，刘孝波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：