【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及革兰氏阴性菌的降毒领域，特别涉及一种革兰氏阴性菌的脂多糖的降毒装置及降毒方法。
技术介绍
1、革兰氏阴性菌细胞外膜上的脂多糖是保护细菌免受抗生素作用的关键屏障，同时其作为内毒素会在细胞死亡或分解后被释放并作用于动物细胞发挥毒性。目前控制手段多依靠热处理，但脂多糖热稳定性强，100℃的高温加热1h也不被破坏，115℃、30min湿热仅破坏25％左右的热原质，只有180℃、3～4h或250℃、1～2h干烤，或用强碱、强酸及强氧化剂加温煮沸30min才能破坏其生物活性。这种热或化学处理有作用不均匀、效果不显著、缺少针对性等缺点，同时脂多糖交联网络阻碍了化学物质与毒性位点接触，无法发挥其降毒作用。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的上述缺点与不足，本专利技术的目的在于提供一种革兰氏阴性菌的脂多糖的降毒装置，将雾化水汽传输到放电区域，在将短寿命活性粒子转化为长寿命强效活性物质的同时，介质阻挡放电过程中产生的紫外光、超声波、强电场等物理效应也同时发挥作用，有助于提升对脂多糖的破坏和降毒...
【技术保护点】
1.一种革兰氏阴性菌的脂多糖的降毒装置，其特征在于，包括雾化器、雾化导管、上介质板、下介质板、上电极、下电极及脉冲电源；
2.根据权利要求1所述的革兰氏阴性菌的脂多糖的降毒装置，其特征在于，所述雾化导管中设有流速监测仪，用于监测雾化导管中的雾化水汽流动速度。
3.根据权利要求1所述的革兰氏阴性菌的脂多糖的降毒装置，其特征在于，所述下电极的下方设有移动杆，用于调节下电极在垂直方向的位置，以调节放电间隙的距离。
4.根据权利要求1所述的革兰氏阴性菌的脂多糖的降毒装置，其特征在于，所述上电极、下电极分别连接有作为接口的导电铜箔；所述上电极...
【技术特征摘要】
1.一种革兰氏阴性菌的脂多糖的降毒装置，其特征在于，包括雾化器、雾化导管、上介质板、下介质板、上电极、下电极及脉冲电源；
2.根据权利要求1所述的革兰氏阴性菌的脂多糖的降毒装置，其特征在于，所述雾化导管中设有流速监测仪，用于监测雾化导管中的雾化水汽流动速度。
3.根据权利要求1所述的革兰氏阴性菌的脂多糖的降毒装置，其特征在于，所述下电极的下方设有移动杆，用于调节下电极在垂直方向的位置，以调节放电间隙的距离。
4.根据权利要求1所述的革兰氏阴性菌的脂多糖的降毒装置，其特征在于，所述上电极、下电极分别连接有作为接口的导电铜箔；所述上电极连接脉冲电源的高压接口；所述下电极为接地电极，与接地端连接；所述脉冲电源通过电阻和接地端连接。
5.根据权利要求1所述的革兰氏阴性菌的脂多糖的降毒装...
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