【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片测试，尤其涉及一种芯片测试装置。
技术介绍
1、随着半导体芯片技术的发展，芯片发展趋势越来越向集成化、模块化方向发展，测试工艺作为半导体芯片研发生产过程中的重要工艺步骤，测试设备的功能与性能对于半导体研发生产有重要意义。
2、对于滤波器/多工器等射频芯片，散射参数、热态s参数（热态散射参数）、二次谐波是尤为重要的测试参数，测试机台仅可以单独测试散射参数，对于高性能滤波器/多工器等射频芯片测试能力不够，另外，针对大功率信号工作状态下的热态s参数测试较为困难，同时，芯片测试设备也存在测试速率较慢的问题。
3、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本专利技术的总体
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认，或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种芯片测试装置。
2、本专利技术的技术方案提供的一种芯片测试装置，所述测试装置包括：第一矢量网络分析仪；第二矢量网络分析仪；信号源，所述信号源输出大功率测试信号；第一开关模组，所述第一开关模组的第一侧与所述第一矢量网络分析仪、所述信号源、所述第二矢量网络分析仪连接；信号处理装置，所述信号处理装置与所述第一开关模组的第二侧连接；第二开关模组，所述第二开关模组的第一侧与所述信号处理装置、所述第一开关模组的第二侧连接；双工器，所述双工器的第一侧与所述第一开关模组的第二侧、所述第二开关模组的第二侧连接；信号耦合器，所述信号耦合
3、需要说明的是，本专利技术中在阐述某个器件的第一侧、第二侧时，是指的该器件相对的两侧，可以理解为该器件的左侧、右侧。
4、可选地，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述第一开关、所述第二开关能够被配置为形成用于测试双端口器件热态s参数的第一激励信号链路和第一测试信号链路；所述第一激励信号链路包括如下两路：大功率测试信号依次经过的所述信号源、所述第一开关模组、所述信号处理装置、所述第二开关模组、所述信号耦合器、所述第一开关、所述第一连接端口；小功率测试信号依次经过的所述第一矢量网络分析仪、所述第一开关模组、所述信号耦合器、所述第一开关、所述第一连接端口；所述第一测试信号链路包括：所述第二连接端口、所述第二开关、所述双工器、所述第一开关模组、所述第二矢量网络分析仪。
5、可选地，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述第一开关、所述第二开关能够被配置为形成用于测试单端口器件热态s参数的第二激励信号链路和第二测试信号链路；所述第二激励信号链路包括如下两路：大功率测试信号依次经过的所述信号源、所述第一开关模组、所述信号处理装置、所述第二开关模组、所述双工器、所述第二开关、所述第二连接端口；小功率测试信号依次经过的所述第二矢量网络分析仪、所述第一开关模组、所述双工器、所述第二开关、所述第二连接端口；所述第二测试信号链路包括：所述第二连接端口、所述第二开关、所述双工器、所述第一开关模组、所述第二矢量网络分析仪。
6、可选地，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述第一开关、所述第二开关能够被配置为形成用于测试双端口器件二次谐波的第三激励信号链路和第三测试信号链路；所述第三激励信号链路包括：大功率测试信号依次经过的所述信号源、所述第一开关模组、所述信号处理装置、所述第二开关模组、所述信号耦合器、所述第一开关、所述第一连接端口；所述第三测试信号链路包括如下两路：主信号依次经过的所述第二连接端口、所述第二开关、所述双工器、所述第二开关模组、所述第一开关模组、所述第二矢量网络分析仪；二次谐波依次经过的所述第二连接端口、所述第二开关、所述双工器、所述第一开关模组、所述第二矢量网络分析仪。
7、可选地，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述第一开关、所述第二开关能够被配置为形成用于测试单端口器件二次谐波的第四激励信号链路和第四测试信号链路；所述第四激励信号链路包括：大功率测试信号依次经过的所述信号源、所述第一开关模组、所述信号处理装置、所述第二开关模组、所述双工器、所述第二开关、所述第二连接端口；所述第四测试信号链路包括：二次谐波依次经过的所述第二连接端口、所述第二开关、所述双工器、所述第一开关模组、所述第二矢量网络分析仪。
8、可选地，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述第一开关、所述第二开关能够被配置为形成用于测试双端口器件散射参数的第五激励信号链路和第五测试信号链路；所述第五激励信号链路包括如下两路：小功率测试信号依次经过的所述第一矢量网络分析仪、所述第一开关模组、所述第一开关、所述第一连接端口；小功率测试信号依次经过的所述第二矢量网络分析仪、所述第一开关模组、所述第二开关、所述第二连接端口；所述第五测试信号链路包括如下两路：所述第一连接端口、所述第一开关、所述第一开关模组、所述第一矢量网络分析仪；所述第二连接端口、所述第二开关、所述第一开关模组、所述第二矢量网络分析仪。
9、可选地，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述第一开关、所述第二开关能够被配置为形成用于测试单端口器件散射参数的第六激励信号链路和第六测试信号链路；所述第六激励信号链路包括：小功率测试信号依次经过的所述第二矢量网络分析仪、所述第一开关模组、所述第二开关、所述第二连接端口；所述第六测试信号链路包括：所述第二连接端口、所述第二开关、所述第一开关模组、所述第二矢量网络分析仪。
10、可选地，所述第一开关模组的第二侧与所述信号耦合器的第一侧之间设置有第一保护装置，和/或，所述信号处理装置和所述第二开关模组的第一侧之间设置有第二保护装置，和/或，所述第一开关模组的第二侧和所述第二开关模组的第一侧之间设置有第三保护装置，和/或，所述第一开关模组的第二侧与所述双工器的第一侧之间设置有第四保护装置。
11、可选地，所述第一保护装置、所述第二保护装置、所述第三保护装置、所述第四保护装置，均包括如下的一种或多种：隔离器、环形器、衰减器、双向限幅器。
12、可选地，所述信号处理装置包括功率放大器和滤波器。
13、本专利技术的有益效果：本专利技术提供的芯片测试装置通过将多条可以快速切换的链路集成在一起，可以快速测试芯片的多种参数。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种芯片测试装置，其特征在于，所述测试装置包括：
2.根据权利要求1所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述第一开关、所述第二开关能够被配置为形成用于测试双端口器件热态S参数的第一激励信号链路和第一测试信号链路；
3.根据权利要求2所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述第一开关、所述第二开关能够被配置为形成用于测试单端口器件热态S参数的第二激励信号链路和第二测试信号链路；
4.根据权利要求1-3中任一所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述第一开关、所述第二开关能够被配置为形成用于测试双端口器件二次谐波的第三激励信号链路和第三测试信号链路；
5.根据权利要求4所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述第一开关、所述第二开关能够被配置为形成用于测试单端口器件二次谐波的第四激励信号链路和第四测试信号链路；
6.根据权利要求5所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述
7.根据权利要求6所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述第一开关、所述第二开关能够被配置为形成用于测试单端口器件散射参数的第六激励信号链路和第六测试信号链路；
8.根据权利要求7所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第一开关模组的第二侧与所述信号耦合器的第一侧之间设置有第一保护装置，和/或，所述信号处理装置和所述第二开关模组的第一侧之间设置有第二保护装置，和/或，所述第一开关模组的第二侧和所述第二开关模组的第一侧之间设置有第三保护装置，和/或，所述第一开关模组的第二侧与所述双工器的第一侧之间设置有第四保护装置。
9.根据权利要求8所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第一保护装置、所述第二保护装置、所述第三保护装置、所述第四保护装置，均包括如下的一种或多种：
10.根据权利要求1所述的芯片测试装置，其特征在于，所述信号处理装置包括功率放大器和滤波器。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片测试装置，其特征在于，所述测试装置包括：
2.根据权利要求1所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述第一开关、所述第二开关能够被配置为形成用于测试双端口器件热态s参数的第一激励信号链路和第一测试信号链路；
3.根据权利要求2所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述第一开关、所述第二开关能够被配置为形成用于测试单端口器件热态s参数的第二激励信号链路和第二测试信号链路；
4.根据权利要求1-3中任一所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述第一开关、所述第二开关能够被配置为形成用于测试双端口器件二次谐波的第三激励信号链路和第三测试信号链路；
5.根据权利要求4所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第一开关模组、所述第二开关模组、所述第一开关、所述第二开关能够被配置为形成用于测试单端口器件二次谐波的第四激励信号链路和第四测试信号链路；
6.根据权利要求5所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第一开关模...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宇，胡信伟，朱德佳，陈夏凯，
申请(专利权)人：上海知白智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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