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一种大尺寸近红外发光的磷化铟量子点的制备方法技术

技术编号:41335901 阅读:29 留言:0更新日期:2024-05-20 09:55
本发明专利技术涉及胶体量子点的合成和能源技术领域,具体涉及一种大尺寸近红外发光的磷化铟量子点的制备方法。所述方法包括:加入In(I)Cl、三正辛基膦、油胺、拟卤素铵盐反应,加热并抽真空除去多余气体;拟卤素铵盐受热分解产生拟卤素离子,间接产生In‑拟卤素键;温度继续升高,注入磷源,反应即可得到近红外发光的InP量子点,发射峰在780nm左右,制备的InP量子点的粒径为10.5±1.3nm;然后纯化、包裹壳层,得到InP/ZnS/ZnS。本发明专利技术采用安全环保的拟卤素铵盐原位处理方式,产生的拟卤素离子蚀刻掉磷化铟量子点的表面含氧基团,包裹双层壳后,提高了InP量子点的产率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及胶体量子点的合成和能源,特别是涉及一种大尺寸近红外发光的磷化铟量子点的制备方法


技术介绍

1、由于低毒性、可调光范围从可见光到近红外,有限的发射光谱以及竞争力的光学性能,磷化铟(inp)量子点被认为是替代基于镉的量子点的最可行选择之一。制定创新的合成方法,以降低inp量子点生产的成本和环境影响,同时增强光物理性能。然而,基于inp的量子点的发射峰通常在~750nm以下,目前在nir范围的发光强度仍明显低于可见区域。已经进行了各种努力来扩展inp量子点的发射光谱。例如,过渡金属离子掺杂策略,如(cu-掺杂inp),已被创造出来以扩展发光范围。尽管这些掺杂策略展示了轻松调整近红外发射,但这种发射机制被认为在本质上限制了发射体的最大亮度并增加了发射峰宽度。同时,创建ii型或倒置型i型带间隙的核壳结构inp量子点也可以提供可调发射以扩展波长。但是,这些复杂的结构与异质结构的晶格失配相关,导致更长的光致发光寿命和较低的发光强度。在这个意义上,直接增加量子点的大小似乎是一种简单且可行的技术,以扩展发射范围。

2、inp是一种iii-v半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大尺寸近红外发光的磷化铟量子点的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸近红外发光的磷化铟量子点的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,拟卤素为CN-、NCO-、SCN-、NCO-、O22-、OH-、SeCN-、HCOO-、CH3COO-、IO4-、TFSI-、PF6-、BF4-、SeO42-中的任一种。

3.根据权利要求1所述的一种大尺寸近红外发光的磷化铟量子点的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,In(I)Cl、拟卤素铵盐、三正辛基膦的摩尔比为25:20~35:35;In(I)Cl的摩尔与油胺的体积比为:0...

【技术特征摘要】

1.一种大尺寸近红外发光的磷化铟量子点的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸近红外发光的磷化铟量子点的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,拟卤素为cn-、nco-、scn-、nco-、o22-、oh-、secn-、hcoo-、ch3coo-、io4-、tfsi-、pf6-、bf4-、seo42-中的任一种。

3.根据权利要求1所述的一种大尺寸近红外发光的磷化铟量子点的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,in(i)cl、拟卤素铵盐、三正辛基膦的摩尔比为25:20~35:35;in(i)cl的摩尔与油胺的体积比为:0.25mmol:4.5ml;加热的温度为50~60℃。

4.根据权利要求1所述的一种大尺寸近红外发光的磷化铟量子点的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,注入磷源的温度为220℃;所述磷源为无机磷化物或者有机磷化物,其中,无机磷化物为三磷化铟、磷化氢、单质磷、磷酸铟中的任一种,有机磷化物为有机磷酸酯、有机磷胺。

5.根据权利要求1所述的一种大尺寸近红外发光的磷化铟量子点的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,以4000~4500rpm离心分离;重复纯化...

【专利技术属性】
技术研发人员:杜中林侯庆港唐建国
申请(专利权)人:青岛大学
类型:发明
国别省市:

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