【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及现场可编程门阵列(field programmable gate array,fpga),尤其涉及一种fpga片上非易失性存储器的读写方法及装置。
技术介绍
1、fpga器件大多基于静态随机存取存储器(static random-access memory,sram)结构,掉电后编程信息立即丢失。每次上电时,需要将编程信息加载到fpga片内的配置sram中,完成这一配置过程后,fpga芯片才能按照用户的设计开始工作。fpga配置方式主要可分为主动配置方式、被动配置方式和联合测试工作组(joint test action group,jtag)配置方式。其中,主动配置方式通常使用片外非易失性存储器或fpga片上非易失性存储器来实现。
2、在使用fpga片上非易失性存储器来进行主动配置时,通常会将该片上存储器划分为多个区域,主要包括功能信息区域、配置数据区域和用户数据区域。功能信息区域用于存储配置功能信息,配置数据区域用于存储用户的编程信息,用户数据区域用于存储用户的其他数据。可通过不同的命令对片上非易失性存储器的
...【技术保护点】
1.一种FPGA片上非易失性存储器的读写方法,应用于FPGA芯片,所述FPGA芯片包括片上非易失性存储器,其特征在于,所述FPGA芯片还包括增加多个中间寄存器的FPGA片上非易失性存储器控制模块,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在当所述更新功能信息数据正确时,在所述片上非易失性存储器中,读取所述更新功能信息数据对应的保护区域,并测试所述保护区域的保护功能的正确性之后,所述方法还包括:
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述存取命令包括直接操作字和分步操作字,所述直接操作字用于指示对应的存取模式为所述直接存取模式
...【技术特征摘要】
1.一种fpga片上非易失性存储器的读写方法,应用于fpga芯片,所述fpga芯片包括片上非易失性存储器,其特征在于,所述fpga芯片还包括增加多个中间寄存器的fpga片上非易失性存储器控制模块,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在当所述更新功能信息数据正确时,在所述片上非易失性存储器中,读取所述更新功能信息数据对应的保护区域,并测试所述保护区域的保护功能的正确性之后,所述方法还包括:
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述存取命令包括直接操作字和分步操作字,所述直接操作字用于指示对应的存取模式为所述直接存取模式,所述分步操作字用于指示对应的存取模式为所述分步存取模式,所述接收到存取命令时,根据所述存取命令确定存取模式为直接存取模式或分步存取模式,包括:
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在接收到读功能信息指令时,根据第一预设规则验证所述更新功能信息数据的正确性,包括:
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述保护区域的保护功能包括擦除保护功能,所述当所述更新功能信息数据正确时,在所述片上非易失性存储器中,读取所述更新功能信息数据对应的保护区域,并测试所述保护区域的保护功能的正确性,包括:
【专利技术属性】
技术研发人员:张亭亭,王黎明,王若岩,贾弘翊,韦嶔,张红荣,
申请(专利权)人:西安智多晶微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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