【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属镓提纯,具体涉及一种高纯镓结晶晶种加注方法与装置。
技术介绍
1、结晶法是镓提纯的方法之一,结晶过程中在镓液体中加入一定的镓晶体作为晶种,促使晶体生长,析出的晶体比初始的液体纯度更高,而杂质逐步富集到液体中。将未结晶残液排除,已结晶固体重新加热得到液态后重复以上过程,可得到结晶提纯后的高纯镓。
2、目前结晶法提纯镓金属,存在诸多不足,例如,若先放入籽晶在冷却容器内,再加入镓溶液,这种方法由于温度控制原因存在不确定性,籽晶会溶解从而影响结晶过程。此外,结晶法最主要的缺点是时间较长。基于此,本专利技术提供一种高纯镓结晶晶种加注方法与装置。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题,本专利技术提供种高纯镓结晶晶种加注方法与装置。具体包括以下技术方案:
2、第一方面,提供一种高纯镓结晶晶种加注方法,包括以下步骤:
3、(1)将待提纯镓溶液装入容器内;
4、(2)往容器中充入惰性保护性气体后进行冷却,冷却后的待提纯镓溶液的温度为25-29
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【技术保护点】
1.一种高纯镓结晶晶种加注方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的高纯镓结晶晶种加注方法,其特征在于,步骤(3)与步骤(4)中晶种的温度低于步骤(2)中冷却后的待提纯镓溶液的温度。
3.如权利要求2所述的高纯镓结晶晶种加注方法,其特征在于,步骤(3)与步骤(4)中,所述的晶种为纯度为5N-7N的高纯镓。
4.如权利要求3所述的高纯镓结晶晶种加注方法,其特征在于,步骤(3)中,注入容器中的晶种的粒径为500μm-2cm;步骤(4)中,注入容器中的晶种的粒径为2-6cm。
5.如权利要求4所述的高纯镓结晶晶种
...【技术特征摘要】
1.一种高纯镓结晶晶种加注方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的高纯镓结晶晶种加注方法,其特征在于,步骤(3)与步骤(4)中晶种的温度低于步骤(2)中冷却后的待提纯镓溶液的温度。
3.如权利要求2所述的高纯镓结晶晶种加注方法,其特征在于,步骤(3)与步骤(4)中,所述的晶种为纯度为5n-7n的高纯镓。
4.如权利要求3所述的高纯镓结晶晶种加注方法,其特征在于,步骤(3)中,注入容器中的晶种的粒径为500μm-2cm;步骤(4)中,注入容器中的晶种的粒径为2-6cm。
5.如权利要求4所述的高纯镓结晶晶种加注方法,其特征在于,步骤(4)中晶种的温度低于步骤(3)中晶种的温度;步骤(4)中晶种的粒径大于步骤(3)中晶种的粒径。
6.如权利要求5所述的高纯镓结晶晶种加注方...
【专利技术属性】
技术研发人员:谈逊,刘才,张顺,聂国政,李欣,谈谦,王占玲,刘宁波,陈绮雯,李可,许泽峰,林智成,
申请(专利权)人:华厦镓碳科技深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:
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