本发明专利技术提供了一种通过防止出现像素缺陷以实现提高的可靠性的液晶显示设备。该液晶显示设备包括第一和第二基板。隔离物维持第一和第二玻璃基板之间的距离。在第一和第二基板之间设置液晶层。在第一基板的基底绝缘膜上形成像素电极膜和共电极膜以将像素绝缘膜夹在中间。共电极膜、像素电极膜或这两者在对应于隔离物的区域中被部分去除，且像素绝缘膜在该区域中被部分去除。这防止膜结构由于由施加到隔离物上的压力引起的柔软材料所制成的基底绝缘膜的变形而引起的破裂。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通过以4黄向电场才莫式的液晶4丸4于显示的液晶显示设备。
技术介绍
一种类型的液晶显示设备使用诸如FFS (边缘场切换)模式的 横向电场模式的液晶。图11示出了 FFS模式的液晶显示设备100 的部分放大截面部分。FFS模式下的液晶显示设备100设置有构成 液晶显示面板的两个玻璃基才反101a和101b。在3皮璃基一反10la和 101b之间》文置确定3皮璃基才反101a和101b之间的距离的隔离物102。 在玻璃基4反101a的一侧上形成薄膜晶体管103。在薄膜晶体管103 上，通过有机膜等形成用于使粗糙平坦化的层间绝缘膜104。在层 间绝缘膜104上，顺序堆叠共电极膜105和^f象素绝缘膜106，另外， 在其上堆叠具有裂缝状间隙的像素电极膜107。在像素电极膜107 和玻璃基板101b之间放置液晶层108。在日本未审查专利申请公开 第2008-20753号中4皮露了这种液晶显示设备100。
技术实现思路
如上所述，在液晶显示i殳备中，隔离物^皮;改置在1象素的内侧或 外侧上。然而，例如，在4象素中》文置隔离物的情况下，并没有具体 考虑到像素用于中放置隔离物的适当位置、用于放置隔离物的合适结构等。图11示出了在像素中放置隔离物的情况的实例。当施加用于 按压具有这种结构的液晶显示设备的屏幕的力时，力被传递给隔离 物102并被进一步传递给隔离物102下的像素电极膜107、像素绝 缘膜106和共电极膜105。像素电极膜107和共电极膜105通常由 诸如氧化铟的硬质材料制成，而像素绝缘膜106通常也由诸如SiN (氮化硅)的硬质材料制成。相反，共电极膜105下的层间绝缘膜 104通常由诸如丙烯酸树脂的有机材料制成且柔软而容易变形。因 此，例如，如图12中所示，当对隔离物102施加4交力时，隔离物 102下的层间绝缘膜104部分变形，并且同时，在像素电极膜107、 像素绝缘膜106和共电才及膜105中出现裂缝。在某些情况下，可能 会完全破裂。在此情况下，像素电极膜107和共电极膜105由于破 裂的像素电极膜107和共电极膜105的一部分而短路，并在液晶显 示设备100中出现像素缺陷。特别地，这个问题在像素绝缘膜106 变薄而增大像素的电场时会变明显。此外，近来提出了一种不l义具有显示功能而且还具有图像才合取 功能的液晶显示设备。然而，在特别具有这种图像拾取功能的液晶 显示设备中，屏幕与手指等频繁接触。因此，由于对屏幕的压力施 加而引起的出现像素缺陷的问题出现的可能性很高。因此，需要才是供一种能够通过防止由于对屏幕的压力施加而？ 1 起的像素缺陷的出现来实现改进的可靠性的液晶显示设备。根据本专利技术实施例的液晶显示设备包括第一基板，具有形成 在基底绝缘膜上的共电极膜以及经由像素绝缘膜而形成在共电极 膜之上的像素电极膜；第二基板，放置在像素电极膜的一侧上以面 向第一基板；液晶层，设置在第一基板和第二基板之间；以及隔离 物，限定第一基板和第二基板之间的距离，其中，共电极膜、像素 电才及膜或这两者在对应于隔离物的区域中被部分去除，并且《象素绝 缘膜在对应于隔离物的区域中被部分去除。在根据本专利技术实施例的液晶显示设备中，当向第二基板施力口力 时，隔离物被力推向第一基板的一侧。在对应于隔离物的区域中， 共电才及膜、像素电才及膜或这两者-皮部分去除，并且〗象素绝纟彖膜在对 应于隔离物的区域中净皮部分去除。因此，抑制了由于隔离物的压力 而引起的破裂的出现。即使出现破裂，在共电极膜和像素电极膜之 间仍不会出现短路。在根据本专利技术实施例的液晶显示设备中，共电极膜、像素电极 膜或这两者在对应于隔离物的区域中#皮部分去除，以及<象素绝《彖膜 在对应于隔离物的区域中^^皮部分去除。因此，可以避免由于石皮裂发 生而引起的电极之间的短路。因此，防止了由于屏幕上的压力而引 起的像素缺陷的出现，且确保了可靠性。从以下描述将更加全面了解本专利技术的其他和进一步的目标、特 征和优点。附图说明图1是示出了根据本专利技术的第一实施例的液晶显示设备的主要 部分的结构的平面图。图2是图1中的隔离物部分的放大图。图3是沿图1中的线A-A截取的4黄截面。图4A和图4B是示出了液晶显示i殳备的主要部分的配置的透视图。图5A和图5B是沿图1中的线B-B截取的4黄截面。图6是用于描述图1中所示的液晶显示设备的操作的横截面；图7是示出了根据第二实施例的液晶显示设备的主要部分的结 构的纟黄截面。图8是示出了在图7中所示的液晶显示设备中的像素电极膜破 裂情况下的状态的截面。图9是示出了根据第三实施例的液晶显示设备的主要部分的结构的横截面。图10是示出了根据第四实施例的液晶显示设备的主要部分的 结构的一黄截面。图11是示出了在FFS才莫式下的现有液晶显示设备的主要部分 的结构的一黄截面。图12是示出了在图11中所示的液晶显示设备中像素电极膜、 像素绝缘膜和共电极膜石皮裂情况下的状态的4黄截面。具体实施方式以下将参考附图详细描述本专利技术的实施例。 [第一实施例]图1是示出了根据本专利技术的第一实施例的液晶显示设备l的主要部分的配置的平面图。图2是图1中的隔离物部分的方文大图。图 3是沿图1中的线A-A截取的横截面。图1和图2示出了出去液晶 层36之上的组件的状态。如图3所示，液晶显示设备l包括作为本专利技术的第一基板 的一个具体实例的第一玻璃基板10和作为本专利技术的第二基才反 的一个具体实例的第二^皮璃基纟反35。在第一3皮璃基4反10和第二玻 璃基板35之间;故置用于维持第一玻璃基4反10和第二玻璃基板35 之间的距离的隔离物31。在第一玻璃基板10的一侧上，设置被形 成以将像素绝缘膜26夹在中间的像素电极膜29和共电极膜23。在 第一3皮璃基板10和第二玻璃基板35之间放置液晶层36。液晶显示i殳备1的详细配置如下。如图3所示，作为选4奪线的多条才册才及线11在第一J皮璃基斧反10 的上表面上沿行方向(图1中的水平方向)延伸。在构成一个像素 12的区域中，用于驱动像素12的薄膜晶体管(TFT ) 13的栅极13a 从栅极线11沿列方向(图1中的垂直方向)延伸。在所示的实例 中，两个栅极13a彼此平行延伸，从而建立了所谓的双数据结构。 在第一玻璃基板10的上表面上，设置一册极绝纟彖膜14以覆盖栅极线 11和栅极13a。如图3所示，在栅极绝缘膜14的上表面上，设置充当TFT13 的活动层的半导体层15。在本实施例中，半导体层15沿4于方向延 长(图1 )。半导体层15和棚-才及13a在半导体层15中相交的区i或充 当TFT 13的通道。在^册极绝缘膜14上，设置具有用于保护TFT 13 的绝缘性的晶体管保护膜16以覆盖半导体层15。晶体管保护膜16 是由(例如)SiN等制成的硬膜。因此，即使施加力时晶体管保护 膜16也不会变形。在晶体管保护膜16中，在半导体层15 —端(源极13c )的一 侧上设置第一接触孔17,而在半导体层15另一端(漏极13d)的 一侧上设置第二接触孔18 (图1 )。第一接触孔17充满导体，从而 形成电连接至半导体层15的第一4妄触19。同样，第二4妄触孔18充 满导体，/人而形成电连^妄至半导体层15的第二4妻触20 (图1 )。第 一接触19使T本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液晶显示设备，包括： 第一基板，具有形成在基底绝缘层上的共电极膜和经由像素绝缘膜形成在所述共电极膜之上的像素电极膜； 第二基板，放置在所述像素电极膜的一侧上以面对所述第一基板； 液晶层，设置在所述第一基板和所述第二基板之间；以及 隔离物，限定所述第一和第二基板之间的距离， 其中，所述共电极膜、所述像素电极膜或这两者在对应于所述隔离物的区域中被部分去除，并且 所述像素绝缘膜在对应于所述隔离物的所述区域中被部分去除。
【技术特征摘要】
JP 2008-8-27 2008-2176371.一种液晶显示设备，包括第一基板，具有形成在基底绝缘层上的共电极膜和经由像素绝缘膜形成在所述共电极膜之上的像素电极膜；第二基板，放置在所述像素电极膜的一侧上以面对所述第一基板；液晶层，设置在所述第一基板和所述第二基板之间；以及隔离物，限定所述第一和第二基板之间的距离，其中，所述共电极膜、所述像素电极膜或这两者在对应于所述隔离物的区域中被部分去除，并且所述像素绝缘膜在对应于所述隔离物的所述区域中被部分去除。2. 根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中，所述共电极膜在 对应于所述隔离物的所述区域中#1部分去除。3. 根据权利要求2所述的液晶显示设备，其中，在所述像素绝缘 膜和所述共电极膜被部分去除的所述区域中形成的孔的内部 覆盖有所述像素电极膜，并且所述隔离物的端面之一与在所述孔的下表面上的所述l象 素电极膜接触。4. 根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中，所述像素电极膜 在对应于所述隔离物的所述区域中#1部分去除。5. 根据权利要求4所述的液晶显示设备，其中，所述共电极膜在 所述像素电极膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：金谷康弘，八木圭一，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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