【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通过以4黄向电场才莫式的液晶4丸4于显示的液晶显示设备。
技术介绍
一种类型的液晶显示设备使用诸如FFS (边缘场切换)模式的 横向电场模式的液晶。图11示出了 FFS模式的液晶显示设备100 的部分放大截面部分。FFS模式下的液晶显示设备100设置有构成 液晶显示面板的两个玻璃基才反101a和101b。在3皮璃基一反10la和 101b之间》文置确定3皮璃基才反101a和101b之间的距离的隔离物102。 在玻璃基4反101a的一侧上形成薄膜晶体管103。在薄膜晶体管103 上,通过有机膜等形成用于使粗糙平坦化的层间绝缘膜104。在层 间绝缘膜104上,顺序堆叠共电极膜105和^f象素绝缘膜106,另外, 在其上堆叠具有裂缝状间隙的像素电极膜107。在像素电极膜107 和玻璃基板101b之间放置液晶层108。在日本未审查专利申请公开 第2008-20753号中4皮露了这种液晶显示设备100。
技术实现思路
如上所述,在液晶显示i殳备中,隔离物^皮;改置在1象素的内侧或 外侧上。然而,例如,在4象素中》文置隔离物的情况下,并没有具体 考虑到像素用于中放 ...
【技术保护点】
一种液晶显示设备,包括: 第一基板,具有形成在基底绝缘层上的共电极膜和经由像素绝缘膜形成在所述共电极膜之上的像素电极膜; 第二基板,放置在所述像素电极膜的一侧上以面对所述第一基板; 液晶层,设置在所述第一基板和所述第二基板之间;以及 隔离物,限定所述第一和第二基板之间的距离, 其中,所述共电极膜、所述像素电极膜或这两者在对应于所述隔离物的区域中被部分去除,并且 所述像素绝缘膜在对应于所述隔离物的所述区域中被部分去除。
【技术特征摘要】
JP 2008-8-27 2008-2176371.一种液晶显示设备,包括第一基板,具有形成在基底绝缘层上的共电极膜和经由像素绝缘膜形成在所述共电极膜之上的像素电极膜;第二基板,放置在所述像素电极膜的一侧上以面对所述第一基板;液晶层,设置在所述第一基板和所述第二基板之间;以及隔离物,限定所述第一和第二基板之间的距离,其中,所述共电极膜、所述像素电极膜或这两者在对应于所述隔离物的区域中被部分去除,并且所述像素绝缘膜在对应于所述隔离物的所述区域中被部分去除。2. 根据权利要求1所述的液晶显示设备,其中,所述共电极膜在 对应于所述隔离物的所述区域中#1部分去除。3. 根据权利要求2所述的液晶显示设备,其中,在所述像素绝缘 膜和所述共电极膜被部分去除的所述区域中形成的孔的内部 覆盖有所述像素电极膜,并且所述隔离物的端面之一与在所述孔的下表面上的所述l象 素电极膜接触。4. 根据权利要求1所述的液晶显示设备,其中,所述像素电极膜 在对应于所述隔离物的所述区域中#1部分去除。5. 根据权利要求4所述的液晶显示设备,其中,所述共电极膜在 所述像素电极膜...
【专利技术属性】
技术研发人员:金谷康弘,八木圭一,
申请(专利权)人:索尼株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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