使用两件式盖子保护模版的系统和方法技术方案

本发明专利技术公开了一种使用两件式盖子保护模版的系统和方法。它们包括提供一个固定在两件式盖子中的模版。该两件式盖子包括用于保护颗粒不受污染的可除去保护部分。该盖子可以保持在用于将盖子从大气部分向真空部分传送通过光刻系统的吊舱或者盒子内。在真空部分，在晶片上形成模版上的图案的曝光过程中移动该可除去的盖子。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光刻技术，尤其涉及不使用薄皮对光刻模版进行保护。
技术介绍
光刻技术是一种在衬底的表面上产生特征的方法。衬底可以包括在制造平板显示器、电路板、各种集成电路等中所使用的那些村底。例如可以使用半导体晶片作为衬底来制造集成电路。在光刻技术中，使用模版将所需图案转移到村底上。模版可以由对所使用的光刻波长来说是透明的材料制成。例如在可见光的情况下使用玻璃。模版也可以形成为能够反射所使用的光刻波长，例如反射极紫外线(EUV)。模版上印有图像、针对使用模版的具体系统来选择模版的尺寸。例如可以使用6英寸x 6英寸并且厚度为1/4英寸的模版。在光刻过程中，放置在晶片台上的晶片被暴露于根据模版上所印图像而投射到晶片表面上的图像。所投射的图像使沉积在晶片表面上的层(例如光致抗蚀剂层)的特性发生变化。这些变化与曝光过程中投射到晶片上的特征相对应。在曝光之后，该层可以被刻蚀，以形成带图案的层。该图案对应于在曝光过程中投射到晶片上的那些特征。然后使用该带有图案的层来除去该晶片内的在下面的结构层(例如导电层、半导电层或绝缘层)的曝光部分。重复该过程以及其它步骤，直至在晶片的表面上形成所需的特征。从上面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于保持反射型掩模的框架，该框架为矩形并且基本上绕该掩模的边缘包围该掩模，从而保持该掩模的反射表面敞开，该框架包括缘边，该缘边在该掩模的反射表面的边缘处支撑该掩模。

【技术特征摘要】
US 2002-2-22 60/358,354;US 2002-3-15 60/364,129;US1.一种用于保持反射型掩模的框架，该框架为矩形并且基本上绕该掩模的边缘包围该掩模，从而保持该掩模的反射表面敞开，该框架包括缘边，该缘边在该掩模的反射表面的边缘处支撑该掩模。2. 根据权利要求1所述的框架，其中，该框架具有适合于与一闩锁 相协作的舌片。3. 根据权利要求1所述的框架，其中，该框架具有定位配件，该定 位配件接触该掩模，从而相对于该框架定位该掩模。4. 根据权利要求1所述的框架，其中，该定位配件设于该框架的至 少一个角部。5. 根据权利要求1所述的框架，具有与运动定位器相协...

【专利技术属性】
技术研发人员：圣地亚哥E德尔普埃尔托，埃里克R卢普斯特拉，安德鲁马萨尔，杜安P基什，阿卜杜拉阿里汗，伍德罗J奥尔松，乔纳森H费罗斯，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[]