【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电力电子，具体而言，涉及一种关断电阻的驱动方法和电力电子变换器。
技术介绍
1、目前，在传统的驱动电路中，为了减少开关管的关断损耗，需要加快开关管的关断速度，但较快的关断速度会导致开关管的关断应力过高，从而存在传统驱动电路无法同时兼顾关断速度和关断应力的问题。
2、针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种关断电阻的驱动方法和电力电子变换器，以至少解决传统驱动电路无法同时兼顾关断速度和关断应力的技术问题。
2、根据本申请实施例的一个方面，提供了一种关断电阻的驱动方法，该方法应用于关断电阻的驱动电路，该驱动电路至少包括：脉宽调制驱动器、非门、信号开关、第一关断电阻、第二关断电阻、寄生电容和功率金属氧化物半导体mos管。其中，该方法可以包括：获取脉宽调制驱动器的第一输出电压，以及非门的第二输出电压；响应于第一输出电压为低电平，且第二输出电压为高电平，控制信号开关导通；利用导通的信号开关，控制寄生电容同时通过第一关断电...
【技术保护点】
1.一种关断电阻的驱动方法，其特征在于，应用于关断电阻的驱动电路，所述驱动电路至少包括：脉宽调制驱动器、非门、信号开关、第一关断电阻、第二关断电阻、寄生电容和功率金属氧化物半导体MOS管，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述驱动电路还包括：图腾驱动电路，其中，所述图腾驱动电路包括：第一电阻、第二电阻、第一MOS管和第二MOS管，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述驱动电路还包括：第一电容，响应于所述第一输出电压为低电平，...
【技术特征摘要】
1.一种关断电阻的驱动方法，其特征在于，应用于关断电阻的驱动电路，所述驱动电路至少包括：脉宽调制驱动器、非门、信号开关、第一关断电阻、第二关断电阻、寄生电容和功率金属氧化物半导体mos管，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述驱动电路还包括：图腾驱动电路，其中，所述图腾驱动电路包括：第一电阻、第二电阻、第一mos管和第二mos管，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述驱动电路还包括：第一电容，响应于所述第一输出电压为低电平，且所述第二输出电压为高电平，控制所述信号开关导通...
【专利技术属性】
技术研发人员：李锐，朱益波，孙涛，王金鑫，
申请(专利权)人：杭州中恒电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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