【技术实现步骤摘要】
本申请涉及力学本构模型，尤其涉及一种纳米孪晶铜再布线方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品。
技术介绍
1、随着芯片封装尺寸不断减小，传统电镀铜的服役条件越来越恶劣易发生多种失效，为了提高封装效果，在铜的微观结构中引入纳米级孪晶，从而实现在不影响其电导率的条件下，提高铜的机械强度、抗电迁移能力的效果。
2、目前阶段仍主要通过可靠性试验或有限元仿真给出再布线结构的优化建议，但是其建模过程依旧采用的是块体铜材料的本构模型，从而导致描述纳米级孪晶铜的再布线力学特征效果较差。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种纳米孪晶铜再布线方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品，旨在解决用普通力学本构时描述纳米级孪晶铜的再布线力学响应特性效果较差的技术问题。
2、为实现上述目的，本申请提供一种纳米孪晶铜再布线方法，所述纳米孪晶铜再布线方法包括以下步骤：
3、获取纳米孪晶铜对应铺设的布线结构和所述纳米孪晶铜的应力应变参数；
4、根据所述布线结构和所述应力应变参数，构建得到所述布线结构的仿真模型；
5、根据所述仿真模型，计算得到所述布线结构的应力应变分布情况，并根据所述应力应变分布情况，优化所述的布线结构。
6、可选地，所述根据所述布线结构和所述应力应变参数，构建得到所述布线结构的仿真模型的步骤，包括：
7、根据所述应力应变参数，确定所述纳米孪晶铜所表征的力学性质参数；
8、根据所述力学性质参
9、根据所述布线结构和所述本构模型，构建得到所述布线结构的仿真模型。
10、可选地，所述根据所述应力应变参数，确定所述纳米孪晶铜所表征的力学性质参数的步骤，包括：
11、在所述应力应变参数包括不同取向的应力应变参数时，根据所述不同取向的应力应变参数，确定在不同取向下所述纳米孪晶铜所表征的力学性质参数。
12、可选地，所述根据所述不同取向的应力应变参数，确定在不同取向下所述纳米孪晶铜所表征的力学性质参数的步骤之后，所述方法还包括：
13、获取由单一取向的应力应变参数构建得到的力学模型；
14、根据所述力学模型，确定所述布线结构的应力应变的对照数据；
15、将所述对照数据和所述应力应变分布情况进行比对，并在比对的结果不满足预设条件时，优化所述仿真模型。
16、可选地，所述获取纳米孪晶铜对应铺设的布线结构和所述纳米孪晶铜的应力应变参数的步骤，包括：
17、获取纳米孪晶铜在横纵方向上的拉伸测试结果，其中，所述纳米孪晶铜为通过电镀工艺制备得到的不同取向的孪晶铜样本；
18、根据所述拉伸测试结果，计算得到所述纳米孪晶铜在所述横纵方向上对应不同取向的应力应变参数。
19、可选地，所述根据所述仿真模型，计算得到所述布线结构的应力应变分布情况的步骤，包括：
20、根据所述仿真模型，模拟所述布线结构在预设工艺流程中所产生的应力变化，并根据模拟后的结果，计算得到所述布线结构的应力应变分布情况。
21、此外，为实现上述目的，本申请还提供一种纳米孪晶铜再布线装置，所述纳米孪晶铜再布线装置包括：
22、获取模块，用于获取纳米孪晶铜对应铺设的布线结构和所述纳米孪晶铜的应力应变参数；
23、构建模块，用于根据所述布线结构和所述应力应变参数，构建得到所述布线结构的仿真模型；
24、优化模块，用于根据所述仿真模型，计算得到所述布线结构的应力应变分布情况，并根据所述应力应变分布情况，优化所述的布线结构。
25、此外，为实现上述目的，本申请还提供一种纳米孪晶铜再布线设备，所述纳米孪晶铜再布线设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的纳米孪晶铜再布线程序，所述纳米孪晶铜再布线程序配置为实现如上所述的纳米孪晶铜再布线方法的步骤。
26、此外，为实现上述目的，本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有纳米孪晶铜再布线程序，所述纳米孪晶铜再布线程序被处理器执行时实现如上所述的纳米孪晶铜再布线方法的步骤。
27、此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括纳米孪晶铜再布线程序，所述纳米孪晶铜再布线程序被处理器执行时实现如上文所述的纳米孪晶铜再布线方法的步骤。
28、本申请通过获取纳米孪晶铜对应铺设的布线结构和所述纳米孪晶铜的应力应变参数；根据所述布线结构和所述应力应变参数，构建得到所述布线结构的仿真模型；根据所述仿真模型，计算得到所述布线结构的应力应变分布情况，并根据所述应力应变分布情况，优化所述的布线结构，即通过在构建模型时，增加纳米孪晶铜的应力应变参数，从而使得构建得到的仿真模型参照到纳米孪晶铜对整体电路结构应力产生的影响，进而可根据该仿真模型，确定出当前布线结构的应力应变分布情况，并根据该应力应变分布情况，优化该布线结构，因而提高再布线结构优化的效果。
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1.一种纳米孪晶铜再布线方法，其特征在于，所述纳米孪晶铜再布线方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的纳米孪晶铜再布线方法，其特征在于，所述根据所述布线结构和所述应力应变参数，构建得到所述布线结构的仿真模型的步骤，包括：
3.如权利要求2所述的纳米孪晶铜再布线方法，其特征在于，所述根据所述应力应变参数，确定所述纳米孪晶铜所表征的力学性质参数的步骤，包括：
4.如权利要求3所述的纳米孪晶铜再布线方法，其特征在于，所述根据所述不同取向的应力应变参数，确定在不同取向下所述纳米孪晶铜所表征的力学性质参数的步骤之后，所述方法还包括：
5.如权利要求3所述的纳米孪晶铜再布线方法，其特征在于，所述获取纳米孪晶铜对应铺设的布线结构和所述纳米孪晶铜的应力应变参数的步骤，包括：
6.如权利要求1所述的纳米孪晶铜再布线方法，其特征在于，所述根据所述仿真模型，计算得到所述布线结构的应力应变分布情况的步骤，包括：
7.一种纳米孪晶铜再布线装置，其特征在于，所述纳米孪晶铜再布线装置包括：
8.一种纳米孪晶铜再布线设备，其特
9.一种存储介质，其特征在于，存储介质上存储有实现纳米孪晶铜再布线方法的程序，实现纳米孪晶铜再布线方法的程序被处理器执行以实现如权利要求1至6中任一项所述纳米孪晶铜再布线方法的步骤。
10.一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品包括纳米孪晶铜再布线程序，所述纳米孪晶铜再布线程序被处理器执行时实现如权利要求1至6中任一项所述的纳米孪晶铜再布线方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种纳米孪晶铜再布线方法，其特征在于，所述纳米孪晶铜再布线方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的纳米孪晶铜再布线方法，其特征在于，所述根据所述布线结构和所述应力应变参数，构建得到所述布线结构的仿真模型的步骤，包括：
3.如权利要求2所述的纳米孪晶铜再布线方法，其特征在于，所述根据所述应力应变参数，确定所述纳米孪晶铜所表征的力学性质参数的步骤，包括：
4.如权利要求3所述的纳米孪晶铜再布线方法，其特征在于，所述根据所述不同取向的应力应变参数，确定在不同取向下所述纳米孪晶铜所表征的力学性质参数的步骤之后，所述方法还包括：
5.如权利要求3所述的纳米孪晶铜再布线方法，其特征在于，所述获取纳米孪晶铜对应铺设的布线结构和所述纳米孪晶铜的应力应变参数的步骤，包括：
6.如权利要求1所述的纳米孪晶铜再布线方法，其特征在于，所述根据所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志权，王泽淞，钟诚，
申请(专利权)人：中国科学院深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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