【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在磁共振成像装置中使用的高频线圈单元，尤其涉及一种高频线圈单元所具备的rf屏蔽件。
技术介绍
1、在磁共振成像(magnetic resonance imaging)装置(以下，称为“mri装置”)中，对于在静磁场磁铁产生的均匀的静磁场中配置的受检体照射电磁波即高频信号(以下，称为“rf(radio frequency)信号”)，激励受检体内的核自旋，并且接收核自旋产生的电磁波即nmr(nuclear magnetic resona nnce：核磁共振)信号进行信号处理，由此获取受检体的磁共振图像。
2、rf信号的照射和nmr信号的接收是通过发送或接收射频电磁波的rf天线或rf线圈等天线装置来进行的。作为这种天线装置，已知有使用鸟笼型(bir，d cage type)线圈的高频线圈单元。
3、通常，经常使用的鸟笼型线圈构成为如下：具有呈端环的圆环状两个环导体、连接这两个环导体的直线状多个横档(rung)(横木)导体、以及电容器、二极管、供电电缆(未图示)等，电容器被插入到在环导体中等间隔地设置的间隙中，二极管被插入到横档导体的间隙中。
4、这种圆筒形鸟笼型线圈通常通过被称为rf屏蔽件的圆筒形状的导体被围绕，设置在鸟笼型线圈上的电容器由rf屏蔽件和横档导体调整为以mri装置中的特定频率进行共振。在鸟笼型线圈中，其特征在于，所照射的rf信号产生的rf磁场(也称为“照射磁场”)的均匀空间的扩展度比简单的环形线圈或鞍型(saddle type)线圈高。根据该特征，目前鸟笼型线圈成为隧
5、在水平磁场mri装置中，对磁场赋予磁场梯度的倾斜磁场线圈通常使用成型为圆筒状的圆筒形倾斜磁场线圈，多数情况下，鸟笼型线圈其rf屏蔽件设置于圆筒形倾斜磁场线圈的内筒面。
6、这种rf屏蔽件应该满足的重要的要件之一是，在rf频率(例如在1.5特斯拉的mri装置中约64mhz)下具有尽可能良好的导电度，另一个是在倾斜磁场线圈产生的几khz左右的频率区域中，即使因从倾斜磁场线圈产生的磁场而引发涡流，也不会过度发热、或者不会燃烧。然而，例如若使用导电度优异的铜薄膜作为rf屏蔽件，则存在因涡流而导致发热并熔化等问题，要求兼顾上述两个要件。
7、为了满足两个要求，有如下方法：在rf屏蔽件的两面上使用铜箔，制作瓷砖状图案，并将表面与背面作为电容器进行连接，在64mhz附近几乎没有电阻，但涡流仅在一个瓷砖内产生(专利文献1、2)。将该方法称为瓷砖化方法。
8、例如，在专利文献2中公开的rf屏蔽件的图案中，记载了在表面和背面上瓷砖以沿圆周方向交错的方式重叠。然而，在该图案中，在与鸟笼型线圈的环部分相应的近处，在周向上没有连接部，导致鸟笼型线圈的q值下降，难以实用。相反地，即使在专利文献2中公开的rf屏蔽件的图案中在周向上有连接部的情况下，也由于不具有与圆筒轴垂直的方向的狭缝，因此无法应对x、y、z的倾斜磁场产生的涡流，不足以抑制涡流的发热。
9、另一方面，在专利文献1中公开的rf线圈中构成为如下：在将两面铜箔图案瓷砖化的rf屏蔽件中，如图9所示，将圆筒的轴线方向的两侧的区域192、194和它们之间的区域(中央的区域)184进行分开，在两侧的区域中瓷砖(长条)185的长边方向沿周向排列，在中央的区域184中瓷砖的长边方向沿圆筒的轴线方向排列。另外，图9中示出表面侧图案(上图)和背面侧图案(下图)，但省略背面侧图案的说明。根据这种结构，上述rf屏蔽件在两侧的区域192、194中沿着在鸟笼型线圈的环导体中流过的电流而流过电流，在中央的区域184中沿着在鸟笼型线圈的横档导体中流过的电流而流过电流，将涡流的产生位置限定在瓷砖内，并且维持良好的导电度。
10、以往技术文献
11、专利文献
12、专利文献1：美国专利第5367261号说明书
13、专利文献2：美国专利第5574372号说明书
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术课题
2、通过倾斜磁场线圈产生的磁场而在rf屏蔽件上产生的涡流的大小与倾斜磁场圈产生的磁场强度成比例。倾斜磁场线圈由在x方向、y方向及z方向三个轴向上产生倾斜磁场的三组倾斜磁场线圈组成，在圆筒形倾斜磁场线圈中成为将这三组倾斜磁场线圈沿圆筒的厚度方向重叠的结构。从而，在rf屏蔽件中产生的涡流受到三组倾斜磁场线圈中配置于圆筒的最内侧的倾斜磁场线圈，即，位于与rf屏蔽件最接近位置上的倾斜磁场线圈的影响最大。例如，在图8所示的倾斜磁场线圈中，x方向倾斜磁场线圈(402)的椭圆状图案位于最靠近rf屏蔽件的位置，在图8中左右配置。通常，x方向倾斜磁场线圈产生的磁场最强的位置是左右椭圆图案的中心部附近(由粗单点划线表示的位置)。即，在与圆筒轴的磁场中心的距离为d502的距离由倾斜磁场线圈产生的磁场强。
3、在专利文献1中记载的rf屏蔽件中设为在圆筒的轴向两侧的区域沿着周向瓷砖化的图案，但在该rf屏蔽件的图案中，为了在倾斜磁场线圈产生的磁场最强的位置，即，在距磁场中心图8的距离d502尽可能抑制涡流的产生，需要改变瓷砖的宽度进行设计。即，关于在专利文献1中记载的rf屏蔽件，若考虑到倾斜磁场线圈的配置要降低涡流，则图案变得复杂，设计困难。尤其，瓷砖宽度的确定无论在实验性地进行的方法中，还是在计算中进行的方法中，均有许多项目需要验证，并且需要大量的劳力。
4、本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种rf屏蔽件图案作为鸟笼型照射线圈的rf屏蔽件，其保持照射效率、防止由涡流引起的发热，并且设计比较简单。
5、用于解决技术课题的手段
6、为了解决上述课题，在本专利技术的高频线圈单元中，rf屏蔽件的图案具有如下特征。将在绝缘体的两面上设置有导电薄膜图案的片材制成圆筒状的rf屏蔽件构成为如下：为了防止由涡流引起的发热，在表背的导电薄膜上形成长条状图案，将该长条沿圆筒的轴向配置，在圆筒的轴向两端，表背的长条交错重叠。并且，与rf线圈的环导体对应的部分构成为如下：以在流过环导体的电流的镜像电流所通过的部分尽可能不形成切断部的方式连接长条，以确保rf频率下的良好的导电度，并确保作为电容器的电容。
7、即，本专利技术的高频线圈单元包括具有配置于两端的环导体及连接该两端的环导体的多个横档导体的圆筒状rf线圈、以及以覆盖该rf线圈的外周的方式配置的圆筒状rf屏蔽件，rf屏蔽件包括绝缘片和在该绝缘片的表面及背面上形成的导体图案。导体图案在圆筒的轴向上分割成大小不同的第1导体区域及第2导体区域，各导体区域在圆筒的轴向中的至少一处具有沿着圆筒的周向的连接部，并且包括通过沿着圆筒的轴向局部地形成的多个狭缝被局部地划分的多个长条，并且沿着所述圆筒的周向的连接部在圆筒的一圈的至少一处被切断，并且该切断部的位置是在绝缘片的表面及背面上在周向上错开的位置(不是相同位置)。
8、表面的导体图案和背面的导体图案以一方的第1导本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高频线圈单元，其包括：圆筒状RF线圈，具有配置于两端的环导体及连接该两端的环导体的多个横档导体；及圆筒状RF屏蔽件，配置成覆盖该RF线圈的外周，所述高频线圈单元的特征在于，
2.根据权利要求1所述的高频线圈单元，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的高频线圈单元，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的高频线圈单元，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的高频线圈单元，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的高频线圈单元，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的高频线圈单元，其特征在于，
8.一种磁共振成像装置，其特征在于，具备权利要求1至7中任一项所述的高频线圈单元。
9.根据权利要求8所述的磁共振成像装置，其中，
【技术特征摘要】
1.一种高频线圈单元，其包括：圆筒状rf线圈，具有配置于两端的环导体及连接该两端的环导体的多个横档导体；及圆筒状rf屏蔽件，配置成覆盖该rf线圈的外周，所述高频线圈单元的特征在于，
2.根据权利要求1所述的高频线圈单元，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的高频线圈单元，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的高频线圈单元，...
【专利技术属性】
技术研发人员：羽原秀太，铃木伸一郎，今村幸信，
申请(专利权)人：富士胶片医疗健康株式会社，
类型：发明
国别省市：
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