【技术实现步骤摘要】
本申请属于太阳能电池，尤其涉及一种太阳能电池以及太阳能电池的制备方法。
技术介绍
1、隧穿氧化钝化接触（topcon）电池是太阳能电池的一种，通过隧穿氧化层和掺杂的多晶硅层形成钝化接触结构，减少电子空穴复合，提升电池的开路电压和短路电流，具有高转换效率、低衰减性能、高量产性价比等特点。
2、topcon电池的理论极限效率达28.7%，接近晶硅光伏电池的效率极限29.43%，对太阳光的寄生吸收以及电池钝化性能是影响topcon电池最终转化效率的重要因素。目前，大多通过掺杂浓度降低光的寄生吸收，但这类技术对电池钝化性能的提升有限，电池最终的转化效率较低。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种太阳能电池以及太阳能电池的制备方法，可以增强电池钝化性能，有助于提高电池转化效率。
2、第一方面，本申请提供了一种太阳能电池，包括：
3、硅衬底；
4、第一隧穿氧化层，所述第一隧穿氧化层设置于所述硅衬底的受光面；
5、第一掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层设置于所述第一隧穿氧化层远离所述硅衬底的一面，所述第一掺杂多晶硅层分为第一栅线区域和第一非栅线区域，所述第一掺杂多晶硅层包括第一掺杂元素；
6、第一栅线，所述第一栅线设置于所述第一掺杂多晶硅层远离所述第一隧穿氧化层的一面，且位于所述第一栅线区域；
7、透明导电介质层，所述透明导电介质层设置于所述第一掺杂多晶硅层远离所
8、第一钝化层，所述第一钝化层设置于所述透明导电介质层上远离所述第一掺杂多晶硅层的一面。
9、根据本申请的太阳能电池，通过在电池正面非栅线区域设置第一掺杂多晶硅层和透明导电介质层接触的结构，第一掺杂多晶硅层和透明导电介质层带隙宽度不同，形成较大的能带偏移，降低反向饱和电流，有效提高电池钝化性能，透明导电介质层还可以降低正面遮光面积、减小接触电阻，有效提高电池转化效率。
10、根据本申请的一个实施例，还包括：
11、第二隧穿氧化层，所述第二隧穿氧化层设置于所述硅衬底的背光面；
12、第二掺杂多晶硅层，所述第二掺杂多晶硅层设置于所述第二隧穿氧化层远离所述硅衬底的一面，所述第二掺杂多晶硅层包括与所述第一掺杂元素掺杂类型相反的第二掺杂元素，所述第二掺杂多晶硅层分为第二栅线区域和第二非栅线区域；
13、第二栅线，所述第二栅线设置于所述第二掺杂多晶硅层远离所述第二隧穿氧化层的一面，且位于所述第二栅线区域；
14、第二钝化层，所述第二钝化层设置于所述第二掺杂多晶硅层背离所述第二隧穿氧化层的一面，且位于所述第二非栅线区域。
15、根据本申请的一个实施例，所述第二栅线区域还包括第三掺杂元素。
16、根据本申请的一个实施例，所述第三掺杂元素为氧元素。
17、根据本申请的一个实施例，所述第二栅线区域内所述第二掺杂元素的掺杂浓度大于所述第二非栅线区域内所述第二掺杂元素的掺杂浓度。
18、根据本申请的一个实施例，所述第一栅线区域内所述第一掺杂元素的掺杂浓度大于所述第一非栅线区域内所述第一掺杂元素的掺杂浓度。
19、根据本申请的一个实施例，所述透明导电介质层为透明导电氧化物薄膜。
20、第二方面，本申请提供了一种太阳能电池的制备方法，该方法包括：
21、在硅衬底的受光面制备第一隧穿氧化层，并在所述第一隧穿氧化层远离所述硅衬底的一面制备第一前体层；
22、使用第一掺杂元素对所述第一前体层进行掺杂处理，得到第一掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层分为第一栅线区域和第一非栅线区域；
23、在所述第一掺杂多晶硅层远离所述第一隧穿氧化层一面的所述第一非栅线区域制备透明导电介质层，所述透明导电介质层的带隙宽度与所述第一掺杂多晶硅层的带隙宽度不同；
24、在所述透明导电介质层的远离所述第一掺杂多晶硅层的一面制备第一钝化层，并在所述第一掺杂多晶硅层远离所述第一隧穿氧化层一面的所述第一栅线区域制备第一栅线。
25、根据本申请的太阳能电池的制备方法，通过在电池正面非栅线区域设置第一掺杂多晶硅层和透明导电介质层接触的结构，第一掺杂多晶硅层和透明导电介质层带隙宽度不同，形成较大的能带偏移，降低反向饱和电流，有效提高电池钝化性能，透明导电介质层还可以降低正面遮光面积、减小接触电阻，有效提高电池转化效率。
26、根据本申请的一个实施例，所述方法还包括：
27、在所述硅衬底的背光面制备第二隧穿氧化层，并在所述第二隧穿氧化层远离所述硅衬底的一面制备第二前体层；
28、使用与所述第一掺杂元素掺杂类型相反的第二掺杂元素对所述第二前体层进行掺杂处理，得到第二掺杂多晶硅层，所述第二掺杂多晶硅层分为第二栅线区域和第二非栅线区域；
29、在所述第二掺杂多晶硅层远离所述第二隧穿氧化层一面的所述第二栅线区域制备第二栅极，并在所述第二掺杂多晶硅层远离所述第二隧穿氧化层一面的所述第二非栅线区域制备第二钝化层。
30、根据本申请的一个实施例，所述使用与所述第一掺杂元素掺杂类型相反的第二掺杂元素对所述第二前体层进行掺杂处理，包括：
31、对所述第二前体层进行所述第二掺杂元素的扩散；
32、对所述第二栅线区域进行激光开模；
33、在所述第二栅线区域进行所述第二掺杂元素和第三掺杂元素的掺杂。
34、根据本申请的一个实施例，所述在所述第二栅线区域进行所述第二掺杂元素和第三掺杂元素的掺杂，包括：
35、以所述第二掺杂元素和所述第三掺杂元素作为掺杂源，通过等离子体增强化学气相沉积生成所述第二掺杂多晶硅层。
36、根据本申请的一个实施例，所述第二栅线区域内所述第二掺杂元素的掺杂浓度大于所述第二非栅线区域内所述第二掺杂元素的掺杂浓度。
37、根据本申请的一个实施例，所述第一栅线区域内所述第一掺杂元素的掺杂浓度大于所述第一非栅线区域内所述第一掺杂元素的掺杂浓度。
38、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
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1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二栅线区域还包括第三掺杂元素。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三掺杂元素为氧元素。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二栅线区域内所述第二掺杂元素的掺杂浓度大于所述第二非栅线区域内所述第二掺杂元素的掺杂浓度。
6.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一栅线区域内所述第一掺杂元素的掺杂浓度大于所述第一非栅线区域内所述第一掺杂元素的掺杂浓度。
7.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电介质层为透明导电氧化物薄膜。
8.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述使用与所述第一掺杂元素掺杂类型相反
11.根据权利要求10所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述第二栅线区域进行所述第二掺杂元素和第三掺杂元素的掺杂，包括：
12.根据权利要求10所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第二栅线区域内所述第二掺杂元素的掺杂浓度大于所述第二非栅线区域内所述第二掺杂元素的掺杂浓度。
13.根据权利要求8-12任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一栅线区域内所述第一掺杂元素的掺杂浓度大于所述第一非栅线区域内所述第一掺杂元素的掺杂浓度。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二栅线区域还包括第三掺杂元素。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三掺杂元素为氧元素。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二栅线区域内所述第二掺杂元素的掺杂浓度大于所述第二非栅线区域内所述第二掺杂元素的掺杂浓度。
6.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一栅线区域内所述第一掺杂元素的掺杂浓度大于所述第一非栅线区域内所述第一掺杂元素的掺杂浓度。
7.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电介质层为透明导电氧化物薄膜。
8.一种太阳能电池的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩秉伦，柳伟，陈达明，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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