一种GaN功率器件桥臂串扰抑制电路制造技术

本发明专利技术属于电力电子技术领域，具体提供一种GaN功率器件桥臂串扰抑制电路，包括：驱动电阻R<subgt;G1</subgt;与R<subgt;G2</subgt;、钳位NPN三极管Q<subgt;clp1</subgt;与Q<subgt;clp2</subgt;、基极保护电阻R<subgt;b</subgt;；其中，驱动电阻R<subgt;G1</subgt;与R<subgt;G2</subgt;串联，驱动电阻R<subgt;G1</subgt;的另一端连接氮化镓器件的栅极，驱动电阻R<subgt;G2</subgt;的另一端连接驱动芯片的电压输出端，钳位三极管Q<subgt;clp1</subgt;的发射极连接于驱动电阻R<subgt;G1</subgt;与R<subgt;G2</subgt;的连接点、集电极连接于氮化镓器件的栅极，钳位三极管Q<subgt;clp2</subgt;的集电极连接于驱动电阻R<subgt;G1</subgt;与R<subgt;G2</subgt;的连接点、发射极连接于氮化镓器件的栅极，钳位三极管Q<subgt;clp1</subgt;与Q<subgt;clp2</subgt;的基极相连并串联基极保护电阻R<subgt;b</subgt;，基极保护电阻R<subgt;b</subgt;的另一端连接氮化镓器件的源极。本发明专利技术能够有效地抑制桥臂串扰现象，并且无需降低开通或者关断的速度，适用于所有的桥臂式电路拓扑。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电力电子，涉及桥臂串扰抑制电路，具体提供一种gan功率器件桥臂串扰抑制电路。

技术介绍

1、第三代半导体中，氮化镓得到了广泛的应用，相比于普通的si mosfet，gan hemt具有更低的栅极电荷qg、零栅极-漏极恢复电荷qrr和更低的导通态电阻rds(on)，因此可以达到更高的开关速度、更低的开通损耗、更高的开关频率，减小了无源组件的体积，也可以达到更高的功率密度。但是，gan hemt也面临着严峻的问题，桥臂串扰便是其中一项；桥臂串扰是指当桥式电路其中一个开关开通或关断后，其互补器件的漏源极寄生电容上会产生比较高的dv/dt，从而产生充放电电流，充放电电流流过栅极阻抗，并给漏源电容充电，便会在栅源极之间产生正向或者负向的尖峰；正向尖峰可能会超越器件的阈值电压，从而导致器件误导通，引发额外的损耗；负向尖峰可能会导致栅源极被击穿，从而损坏器件。因此，在串扰发生时，如何对正向、负向尖峰进行有效抑制成为研究热点。

2、为了抑制桥臂串扰现象，已经有很多学者提出了有效的串扰抑制电路，这些串扰抑制电路可以简单分为以下三类：

3本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN功率器件桥臂串扰抑制电路，其特征在于，包括：驱动电阻RG1、驱动电阻RG2、钳位NPN三极管Qclp1、钳位NPN三极管Qclp2与基极保护电阻Rb；其中，驱动电阻RG1与驱动电阻RG2串联，驱动电阻RG1的另一端连接氮化镓器件的栅极，驱动电阻RG2的另一端连接驱动芯片的电压输出端，钳位三极管Qclp1的发射极连接于驱动电阻RG1与驱动电阻RG2的连接点、集电极连接于氮化镓器件的栅极，钳位三极管Qclp2的集电极连接于驱动电阻RG1与驱动电阻RG2的连接点、发射极连接于氮化镓器件的栅极，钳位三极管Qclp1与Qclp2的基极相连并串联基极保护电阻Rb，基极保护电阻Rb的另一...

【技术特征摘要】

1.一种gan功率器件桥臂串扰抑制电路，其特征在于，包括：驱动电阻rg1、驱动电阻rg2、钳位npn三极管qclp1、钳位npn三极管qclp2与基极保护电阻rb；其中，驱动电阻rg1与驱动电阻rg2串联，驱动电阻rg1的另一端连接氮化镓器件的栅极，驱动电阻rg2的另一端连接驱动芯片的电压输出端，钳位三极管q...

【专利技术属性】
技术研发人员：毕闯，王天赐，段钰，罗嗣勇，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：