【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片，特别是涉及一种电路、射频芯片和电路的使用方法。
技术介绍
1、射频芯片是一种重要的集成电路芯片，主要用于无线通信、雷达、导航和广播电视等领域。在射频芯片的设计过程中，为保证输出功率的有效传输，需要配置满足阻抗匹配要求的无源器件；为抑制射频输出频谱上的杂波(主要是三次谐波)，需要采用滤波器进行谐波抑制。
2、当前有两种方案可以满足射频芯片使用过程中的阻抗匹配和谐波抑制的要求。第一种方案如图1所示，即在射频芯片前连接输入阻抗匹配网络、在射频芯片后连接输出阻抗匹配网络，再连接滤波器。此种方案需要额外采购实现阻抗匹配的无源器件和实现三次谐波过滤的滤波器，过程繁琐且需要较大的印刷电路板的面积。
3、第二中方案是将实现阻抗匹配的无源器件和lc滤波器集成在射频芯片内部，但由于电感需要占据较大的面积，导致射频芯片的面积较大，两种方案均难以满足当前通讯系统小型化的使用需求。
4、因此，在射频芯片可以实现阻抗匹配和谐波抑制的前提下，如何尽量降低射频芯片的面积，使其能够满足通讯系统小型化的使用需求，成为亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、基于上述问题，本申请提供了一种电路，用以满足射频芯片可以实现阻抗匹配和谐波抑制的前提下，进一步降低射频芯片的面积，使其能够满足通讯系统小型化的使用需求。
2、本申请实施例公开了如下技术方案：
3、本申请第一方面提供了一种电路，所述电路应用在射频芯片上，所述电路包括：片上变压器和lc滤波器；所
4、在一种可选的实现方式中，所述lc滤波器中的电感采用“8”字形结构。
5、在一种可选的实现方式中，所述片上变压器在所述射频芯片的顶层金属层走线。
6、在一种可选的实现方式中，所述lc滤波器中的电容在所述射频芯片的第一层金属层与所述顶层金属层之间的多个金属层走线。
7、在一种可选的实现方式中，利用目标金属在所述射频芯片底层按预设图案走线；所述目标金属的材质与所述第一层金属层中的金属材质相同。
8、在一种可选的实现方式中，所述lc滤波器的引脚与所述第一线圈的引脚相连，包括：
9、所述第一线圈的第一引脚与所述电感的第三引脚相连；
10、所述电感的第四引脚与所述电容的第五引脚相连；
11、所述电容的第六引脚与所述第一线圈的第二引脚相连。
12、在一种可选的实现方式中，所述lc滤波器的引脚与所述第一线圈的引脚相连，包括：
13、所述第一线圈的第一引脚与所述电容的第五引脚相连；
14、所述电容的第六引脚与所述电感的第三引脚相连；
15、所述电感的第四引脚与所述第一线圈的第二引脚相连。
16、在一种可选的实现方式中，所述lc滤波器的引脚与所述第一线圈的引脚相连，包括：
17、所述第一线圈的第一引脚、所述电容的第五引脚和所述电感的第三引脚相连；
18、所述第一线圈的第二引脚、所述电容的第六引脚和所述电感的第四引脚相连。
19、本申请第二方面提供了一种射频芯片，所述射频芯片上第一方面任一项所述的电路。
20、本申请第三方面提供了一种电路的使用方法，所述方法应用于第一方面任一项所述的电路，所述方法包括：
21、获取第一电信号；所述第一电信号包括谐波；
22、基于所述第一电信号和所述电路，获得第二电信号；所述第二电信号中的谐波小于所述第一电信号中的谐波，所述第一电信号的功率与所述第二电信号的功率间的差值小于预设的功率差值。
23、相较于现有技术，本申请具有以下有益效果：
24、本申请提供一种电路，应用在射频芯片上，该电路包括：片上变压器和lc滤波器；片上变压器的第一线圈和第二线圈围成中空区域，该中空区域的横截面积大于lc滤波器在射频芯片上占据的面积，lc滤波器的引脚与第一线圈的引脚相连；lc滤波器位于中空区域内。
25、本申请中的lc滤波器位于第一线圈和第二线圈围成的中空区域内。当本申请中的电路被集成在射频芯片中，如果片上变压器位于射频芯片的第一区域，则lc滤波器也位于该第一区域，实现了对第一区域的重复利用。由于片上变压器可以实现阻抗匹配，lc滤波器可以实现谐波抑制，所以本申请中的方案既可以满足射频芯片实现阻抗匹配和谐波抑制的需求，又可以降低射频芯片的面积，使得其能够满足通讯系统小型化的使用需求。
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1.一种电路，其特征在于，所述电路应用在射频芯片上，所述电路包括：片上变压器和LC滤波器；所述片上变压器的第一线圈和第二线圈围成中空区域；所述中空区域的横截面积大于所述LC滤波器在所述射频芯片上占据的面积；所述LC滤波器的引脚与所述第一线圈的引脚相连；所述LC滤波器位于所述中空区域内。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述LC滤波器中的电感采用“8”字形结构。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述片上变压器在所述射频芯片的顶层金属层走线。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述LC滤波器中的电容在所述射频芯片的第一层金属层与所述顶层金属层之间的多个金属层走线。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，利用目标金属在所述射频芯片底层按预设图案走线；所述目标金属的材质与所述第一层金属层中的金属材质相同。
6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述LC滤波器的引脚与所述第一线圈的引脚相连，包括：
7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述LC滤波器的引脚与所述第一线圈的引脚相连
8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述LC滤波器的引脚与所述第一线圈的引脚相连，包括：
9.一种射频芯片，其特征在于，所述射频芯片上包括权利要求1-8任一项所述的电路。
10.一种电路的使用方法，其特征在于，所述方法应用于所述权利要求1-8中任一项所述的电路，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电路，其特征在于，所述电路应用在射频芯片上，所述电路包括：片上变压器和lc滤波器；所述片上变压器的第一线圈和第二线圈围成中空区域；所述中空区域的横截面积大于所述lc滤波器在所述射频芯片上占据的面积；所述lc滤波器的引脚与所述第一线圈的引脚相连；所述lc滤波器位于所述中空区域内。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述lc滤波器中的电感采用“8”字形结构。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述片上变压器在所述射频芯片的顶层金属层走线。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述lc滤波器中的电容在所述射频芯片的第一层金属层与所述顶层金属层之间的多个金属层走线。
5.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐鹏，
申请(专利权)人：无锡有容微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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