适用于供电回路的自毁电路制造技术

一种适用于供电回路的自毁电路，供电回路连接在电源输入端Vin与负载之间，供电回路设有过流断路元件F1；自毁电路包括晶闸管Q1和晶闸管驱动电路；晶闸管Q1的阳极与供电回路连接，晶闸管Q1的阴极接地；晶闸管驱动电路的输出端与晶闸管Q1的控制极连接，晶闸管驱动电路用于在供电回路短路时，控制晶闸管Q1导通，以使过流断路元件F1过流断路，切断供电回路对负载的供电。本技术能够耐受较大的瞬时电流，电路结构简单，可靠性高，实施成本低。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及保护电路技术。

技术介绍

1、柴油机在冬天低温时难以启动，需要预热器将吸入发动机的空气预热。预热器属于短时间通电工作的器件，预热时间比较短，一般在3分钟以内。预热器工作时的温度超三千度，电流在100a到200a。

2、传统的预热器采用继电器接通，一旦继电器失效短路，会造成预热丝持续处于烧红状态，经过一段时间后会烧断。烧断的预热丝被发动机吸入气缸，造成发动机缸体和活塞损坏。

3、智能预热控制器采用mos管构成的高边开关控制，mos管也存在短路失效故障。图1示出了现有的适用于供电回路的自毁电路的电路图。如图1所示，供电回路中，如果高边开关q5短路，负载rload(在一种具体的应用中为汽车发动机预热器的发热丝)被持续供电，在浪费能量的同时，也会带来安全隐患。通过增加自毁电路，在高边开关q5短路后，可以将设置于供电回路中的过流断路元件熔断，断开通路。前述的过流断路元件可以是保险丝、pcb电路板的走线(trace)等，与保险丝相比，pcb电路板的走线不占体积，实现成本也更低，只需要在pcb电路板的功率走线上制作一段窄的走线，制造一个薄弱环节，就可以起到类似保险丝的功能。

4、图1所示的自毁电路采用了由mos管组成的低边开关q6。当高边开关q5短路时，驱动信号输入端vdrive会接收到外部输入的高电平驱动信号，从而使低边开关q6开通，低边开关q6对地短路，形成大电流，烧断供电回路中的过流断路元件f1(图1的示例中过流断路元件f1为保险丝)，切断供电回路对负载rload的供电。

5、但是，为了使低边开关q6能够通过大电流，需要几个mos管并联来构成低边开关q6，致使制造成本比较高。此外，为了维持mos管的导通，还需要向其持续地提供驱动电压。在拉大电流期间，车辆的电瓶电压可能会被拉低，进而导致驱动电压也随之跌落，影响低边开关q6的开通可靠性，甚至可能导致自毁失败。

技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题在于提供一种适用于供电回路的自毁电路，其能够耐受较大的瞬时电流，电路结构简单，可靠性高，实施成本低。

2、本技术实施例提供了一种适用于供电回路的自毁电路，供电回路连接在电源输入端vin与负载之间，供电回路设有过流断路元件f1；自毁电路包括晶闸管q1和晶闸管驱动电路；晶闸管q1的阳极与供电回路连接，晶闸管q1的阴极接地；晶闸管驱动电路的输出端与晶闸管q1的控制极连接，晶闸管驱动电路用于在供电回路短路时，控制晶闸管q1导通，以使过流断路元件f1过流断路，切断供电回路对负载的供电。

3、本技术至少具有以下技术效果：

4、本技术实施例的自毁电路采用晶闸管作为开关元件，晶闸管过瞬时电流的能力强，驱动电路简单，具有明显的成本优势；此外，晶闸管为半控器件，仅需要一个初始触发电流即可触发开通，触发开通后，靠内部自锁可自持，不再需要外部的驱动电压即可维持持续导通，因此开通更可靠。

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【技术保护点】

1.一种适用于供电回路的自毁电路，所述供电回路连接在电源输入端Vin与负载之间，供电回路设有过流断路元件F1；其特征在于，所述自毁电路包括晶闸管Q1和晶闸管驱动电路；

2.根据权利要求1所述的适用于供电回路的自毁电路，其特征在于，所述晶闸管驱动电路包括晶体管Q2、电阻R1、电阻R2以及晶体管驱动电路；

3.根据权利要求2所述的适用于供电回路的自毁电路，其特征在于，所述晶体管驱动电路包括晶体管Q3、晶体管Q4、电阻R3和电阻R4；

4.根据权利要求3所述的适用于供电回路的自毁电路，其特征在于，晶体管Q3和晶体管Q4均为NPN三极管，所述NPN三极管的基极、集电极和发射极分别构成晶体管的受控端、第一导通端和第二导通端。

5.根据权利要求3所述的适用于供电回路的自毁电路，其特征在于，所述晶体管驱动电路包括电阻R5和电阻R6；

6.根据权利要求2所述的适用于供电回路的自毁电路，其特征在于，晶体管Q2为NPN三极管，所述NPN三极管的基极、集电极和发射极分别构成晶体管Q2的受控端、第一导通端和第二导通端。

7.根据权利要求1所述的适用于供电回路的自毁电路，其特征在于，所述供电回路包括高边开关Q5，高边开关Q5的第一导通端与电源输入端Vin连接，高边开关Q5的第二导通端分别与晶闸管Q1的阳极和所述负载连接；

8.根据权利要求7所述的适用于供电回路的自毁电路，其特征在于，高边开关Q5为NMOS管，所述NMOS管的漏极和源极分别构成高边开关Q5的第一导通端和第二导通端。

9.根据权利要求1或7所述的适用于供电回路的自毁电路，其特征在于，过流断路元件F1为保险丝或PCB电路板的走线。

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【技术特征摘要】

1.一种适用于供电回路的自毁电路，所述供电回路连接在电源输入端vin与负载之间，供电回路设有过流断路元件f1；其特征在于，所述自毁电路包括晶闸管q1和晶闸管驱动电路；

2.根据权利要求1所述的适用于供电回路的自毁电路，其特征在于，所述晶闸管驱动电路包括晶体管q2、电阻r1、电阻r2以及晶体管驱动电路；

3.根据权利要求2所述的适用于供电回路的自毁电路，其特征在于，所述晶体管驱动电路包括晶体管q3、晶体管q4、电阻r3和电阻r4；

4.根据权利要求3所述的适用于供电回路的自毁电路，其特征在于，晶体管q3和晶体管q4均为npn三极管，所述npn三极管的基极、集电极和发射极分别构成晶体管的受控端、第一导通端和第二导通端。

5.根据权利要求3所述的适用于供电回路的自毁电路，其特征在于，所述晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳彩，阚予平，
申请(专利权)人：科博达技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：