【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及micro-led显示，尤其涉及一种便于进行电致发光检测的micro-led芯片及制备方法。
技术介绍
1、microled芯片的尺寸小于50微米，芯片厚度仅为几微米，电极尺寸小于10微米。传统的光电检测方法，采用探针接触芯片的正负电极，面临探针针尖难以与芯片电极对准、探针下压作用力会扎裂芯片等多方面问题，已经无法检测microled芯片。
2、由于microled芯片需要进行巨量转移、电极键合，检测过程中检测装置或部件与电极的接触，可能造成芯片电极损伤或者芯片位置被挪动，进而导致键合或者巨量转移的良率受影响。
3、如何实现microled芯片光电特性的非接触检测，已经成为行业的关键技术难题。
4、中国专利202311087129.6提出了一种microled芯片光电特性的巨量检测装置及方法，通过将microled芯片正负极短接，在外部光激发下光生电流流过回路，借助回路电流形成的磁场，在外部采用线圈进行感应，从感应回路的i-v特性推算出microled芯片的i-v特性，从而实现micro...
【技术保护点】
1.一种便于进行电致发光检测的Micro-LED芯片，其特征在于，设置有本体部和天线部，所述本体部设置有至少一个第一半导体层、至少一个多量子阱发光层、至少一个第二半导体层，所述多量子阱发光层设置于第一半导体层与第二半导体层之间，所述第一半导体层、多量子阱发光层、第二半导体层的侧壁被绝缘层包覆，所述第一半导体层连接有第一金属电极，所述第二半导体层连接有第二金属电极，所述天线部设置有线圈和连接部，所述连接部设置有第一连接部和第二连接部，所述第一连接部与所述第一金属电极连接，所述第二连接部与所述第二金属电极连接，所述天线部与所述本体部可拆分连接。
2.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种便于进行电致发光检测的micro-led芯片，其特征在于，设置有本体部和天线部，所述本体部设置有至少一个第一半导体层、至少一个多量子阱发光层、至少一个第二半导体层，所述多量子阱发光层设置于第一半导体层与第二半导体层之间，所述第一半导体层、多量子阱发光层、第二半导体层的侧壁被绝缘层包覆，所述第一半导体层连接有第一金属电极，所述第二半导体层连接有第二金属电极，所述天线部设置有线圈和连接部，所述连接部设置有第一连接部和第二连接部，所述第一连接部与所述第一金属电极连接，所述第二连接部与所述第二金属电极连接，所述天线部与所述本体部可拆分连接。
2.根据权利要求1所述的一种便于进行电致发光检测的micro-led芯片，其特征在于，所述线圈由导电线路形成环形，所述线圈包括两个端部，两个端部分别与所述第一连接部、第二连接部相导通。
3.根据权利要求2所述的一种便于进行电致发光检测的micro-led芯片，其特征在于，所述第一连接部和第二连接部的材质包括复合金属层，所述复合金属层中至少一层为镍。
4.根据权利要求3所述的一种便于进行电致发光检测的micro-led芯片，其特征在于，所述第一连接部与所述第一金属电极之间、所述第二连接部与所述第二金属电极之间的连接方式包括焊接和导电胶粘结。
...【专利技术属性】
技术研发人员：郭伟杰，肖季轩，朱丽虹，吕毅军，陈忠，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：
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