【技术实现步骤摘要】
本专利技术是属于新材料领域，主要是关于一种气相法生长碳氮mxene材料的方法和用途。
技术介绍
1、2011，gogotsi首次采用hf刻蚀ti3alc2得到ti3c2，一类二维过渡金属碳化物、氮化物或碳氮化物，由于其和石墨烯graphene类似，便取名mxene。其化学式一般记为mn+1xntx(m是过渡金属，包括ti、v、cr、y、sc、zr、nb、mo、hf、ta、w)，x是c和(或)n，n＝1，2或3，t是表面官能团。mxene独特的晶体性质、层状结构、较高的金属导电性和表面丰富的官能团使得mxene在储能、电磁屏蔽、传感、催化等领域有着巨大的应用前景。最常用的制备mxene的方法是用氢氟酸(hf)刻蚀max相，也有利用lif+hcl体系刻蚀。而对于碳氮mxene来说，其原料前驱体max相中m-a键相对较强，m-x键相对较弱，导致刻蚀碳氮化物max相较难。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于第一方面提出一种新的气相法制备碳氮mxene材料的反应体系和方法，该方法步骤包括：将过渡...
【技术保护点】
1.一种气相法生长碳氮MXene材料的方法，其特征在于，步骤包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过渡金属选自：Ti、V、Cr、Y、Sc、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W元素中的一种或多种；
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述反应温度介于650至1500℃；优选地，介于650至900℃；
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括纯化步骤；更具体地，所述纯化步骤包括：将反应后得到的固态产物加入非水溶剂中分散，并通过沉淀或离心分离。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种气相法生长碳氮mxene材料的方法，其特征在于，步骤包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过渡金属选自：ti、v、cr、y、sc、zr、nb、mo、hf、ta、w元素中的一种或多种；
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述反应温度介于650至1500℃；优选地，介于650至900℃；
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括纯化步骤；更具体地，所述纯化步骤包括：将反应后得到的固态产物加入非水溶剂中分散，并通过沉淀或离心分离。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨运洋，
申请(专利权)人：济南三川新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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