【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于通信，尤其涉及一种全息天线及电子设备。
技术介绍
1、全息天线利用金属贴片在表面构建全息图案，根据干涉原理记录参考波和目标波之间的干涉，参考波的辐射特性可以通过全息图案来改变，以产生所需的辐射方向，具有频率独立、低剖面和设计自由度高等优点。全息天线作为一种小尺寸、低功耗的平面天线，以其低制造成本和低硬件成本的波束控制能力受到越来越多的关注。传统的一维全息天线只能进行一个波束方向的扫描，无法进行双波束扫描。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种全息天线及电子设备，可以实现双波束扫描。
2、第一方面，本专利技术提供了一种全息天线，包括：
3、波导结构；
4、馈电探针，所述馈电探针安装于所述波导结构的第一面；
5、辐射板，所述辐射板安装于所述波导结构的第二面，所述第一面和所述第二面相对设置，所述辐射板设有多个辐射缝隙，所述多个辐射缝隙分为第一缝隙组和第二缝隙组，所述第一缝隙组的辐射缝隙和所述第二缝隙组的辐射缝隙关于所述馈电探针长度方向所在平面镜面对称。
6、根据本专利技术的全息天线，通过中心馈电探针的设计，辐射缝隙设置于探针两侧，可以实现全息天线的双波束扫描。
7、根据本专利技术的一个实施例，所述多个辐射缝隙包括第一类辐射缝隙和第二类辐射缝隙，所述第一类辐射缝隙为打开状态的辐射缝隙，所述第二类辐射缝隙为关闭状态的辐射缝隙。
8、根据本
9、其中，m＝(1+cos((ks-kfsinθ)x))/2，m为辐射缝隙的开合参数，c为开合参数阈值，x为辐射缝隙和所述馈电探针之间的距离，θ为辐射缝隙对应的波束指向角，ks为第一空间波数，kf为第二空间波数。
10、根据本专利技术的一个实施例，所述第一缝隙组中的所述第一类辐射缝隙满足条件：m1＞c，所述第一缝隙组中的所述第二类辐射缝隙满足条件：m1≤c；
11、其中，m1＝(1+cos((ks-kfsinθ1)x1))/2，m1为所述第一缝隙组中的辐射缝隙的开合参数，c为开合参数阈值，x1为所述第一缝隙组中的辐射缝隙和所述馈电探针之间的距离，θ1为所述第一缝隙组中的辐射缝隙对应的的波束指向角，ks为第一空间波数，kf为第二空间波数；
12、所述第二缝隙组中的所述第一类辐射缝隙满足条件：m1＞c，所述第二缝隙组中的所述第二类辐射缝隙满足条件：m2≤c；
13、其中，m2＝(1+cos((kskf sin(-θ2))x2+π))/2，m2为所述第一缝隙组中的辐射缝隙的开合参数，c为开合参数阈值，x2为所述第二缝隙组中的辐射缝隙和所述馈电探针之间的距离，θ2为所述第二缝隙组中的辐射缝隙对应的的波束指向角，ks为第一空间波数，kf为第二空间波数。
14、根据本专利技术的一个实施例，c的取值为0.4-0.8。
15、根据本专利技术的一个实施例，所述辐射缝隙设有缝隙开关，所述缝隙开关用于控制所述辐射缝隙的开合状态。
16、根据本专利技术的一个实施例，所述缝隙开关为pin二极管，所述pin二极管两端分别位于所述辐射缝隙的两侧，所述pin二极管两端分别与两个第一电极连接，所述波导结构设有多个第一通孔，所述第一电极贯穿所述第一通孔，并与第一控制电路连接，所述第一控制电路用于控制所述pin二极管的偏执电压。
17、根据本专利技术的一个实施例，所述缝隙开关包括第一信号传输线和mems开关，所述第一信号传输线的两端分别与所述辐射缝隙的两侧连接，所述mems开关的两端分别位于所述第一信号传输线的两侧，所述mems开关用于控制所述第一信号传输线的通断。
18、根据本专利技术的一个实施例，所述缝隙开关包括第二信号传输线，所述第二信号传输线中设有gesbte相变材料段，所述gesbte相变材料段与第二电极连接，所述波导结构设有多个第二通孔，所述第二电极贯穿所述第二通孔，并与第二控制电路连接，所述第二控制电路用于控制所述gesbte相变材料段的相态。
19、根据本专利技术的一个实施例，所述馈电探针的第一端伸入到所述波导结构内。
20、根据本专利技术的一个实施例，所述第一端设有增幅部件。
21、根据本专利技术的一个实施例，所述波导结构包括波导底座和波导介质，所述波导底座限定出波导凹槽，所述波导介质位于所述波导凹槽内。
22、根据本专利技术的一个实施例，所述波导介质为向列相液晶。
23、第二方面，本专利技术提供一种电子设备，该电子设备包括：
24、上述任一所述的全息天线。
25、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种全息天线，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的全息天线，其特征在于，所述多个辐射缝隙包括第一类辐射缝隙和第二类辐射缝隙，所述第一类辐射缝隙为打开状态的辐射缝隙，所述第二类辐射缝隙为关闭状态的辐射缝隙。
3.根据权利要求2所述的全息天线，其特征在于，所述第一类辐射缝隙满足条件:m>C，所述第二类辐射缝隙满足条件：m≤C；
4.根据权利要求2所述的全息天线，其特征在于，所述第一缝隙组中的所述第一类辐射缝隙满足条件:m1>C，所述第一缝隙组中的所述第二类辐射缝隙满足条件：m1≤C；
5.根据权利要求3或4所述的全息天线，其特征在于，C的取值为0.4-0.8。
6.根据权利要求1-4任一项所述的全息天线，其特征在于，所述辐射缝隙设有缝隙开关，所述缝隙开关用于控制所述辐射缝隙的开合状态。
7.根据权利要求6所述的全息天线，其特征在于，所述缝隙开关为PIN二极管，所述PIN二极管两端分别位于所述辐射缝隙的两侧，所述PIN二极管两端分别与两个第一电极连接，所述波导结构设有多个第一通孔，所述第一电
8.根据权利要求6所述的全息天线，其特征在于，所述缝隙开关包括第一信号传输线和MEMS开关，所述第一信号传输线的两端分别与所述辐射缝隙的两侧连接，所述MEMS开关的两端分别位于所述第一信号传输线的两侧，所述MEMS开关用于控制所述第一信号传输线的通断。
9.根据权利要求6所述的全息天线，其特征在于，所述缝隙开关包括第二信号传输线，所述第二信号传输线中设有GeSbTe相变材料段，所述GeSbTe相变材料段与第二电极连接，所述波导结构设有多个第二通孔，所述第二电极贯穿所述第二通孔，并与第二控制电路连接，所述第二控制电路用于控制所述GeSbTe相变材料段的相态。
10.根据权利要求1-4任一项所述的全息天线，其特征在于，所述馈电探针的第一端伸入到所述波导结构内。
11.根据权利要求10所述的全息天线，其特征在于，所述第一端设有增幅部件。
12.根据权利要求1-4任一项所述的全息天线，其特征在于，所述波导结构包括波导底座和波导介质，所述波导底座限定出波导凹槽，所述波导介质位于所述波导凹槽内。
13.根据权利要求12所述的全息天线，其特征在于，所述波导介质为向列相液晶。
14.一种电子设备，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种全息天线，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的全息天线，其特征在于，所述多个辐射缝隙包括第一类辐射缝隙和第二类辐射缝隙，所述第一类辐射缝隙为打开状态的辐射缝隙，所述第二类辐射缝隙为关闭状态的辐射缝隙。
3.根据权利要求2所述的全息天线，其特征在于，所述第一类辐射缝隙满足条件:m>c，所述第二类辐射缝隙满足条件：m≤c；
4.根据权利要求2所述的全息天线，其特征在于，所述第一缝隙组中的所述第一类辐射缝隙满足条件:m1>c，所述第一缝隙组中的所述第二类辐射缝隙满足条件：m1≤c；
5.根据权利要求3或4所述的全息天线，其特征在于，c的取值为0.4-0.8。
6.根据权利要求1-4任一项所述的全息天线，其特征在于，所述辐射缝隙设有缝隙开关，所述缝隙开关用于控制所述辐射缝隙的开合状态。
7.根据权利要求6所述的全息天线，其特征在于，所述缝隙开关为pin二极管，所述pin二极管两端分别位于所述辐射缝隙的两侧，所述pin二极管两端分别与两个第一电极连接，所述波导结构设有多个第一通孔，所述第一电极贯穿所述第一通孔，并与第一控制电路连接，所述第一控制电路用于控制所述pin二极管的偏执电压。
【专利技术属性】
技术研发人员：陶帅鹏，周健，王龙，陈少棚，曲峰，刘丙杨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。