【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及激光束的照射方法及进行这种照射用的激光处理装置。另外,本专利技术还涉及使用上述激光束照射的半导体器件的制作方法。
技术介绍
长期以来,通过照射激光束来执行各种加工的激光处理装置以及激光束的照射方法是众所周知的。使用激光束是因为与使用辐射加热或传导加热的热处理相比可以选择性地仅对被照射激光束并吸收其能量的区域加热。例如,执行使用受激准分子激光振荡装置振荡波长400nm或更小的紫外光的激光处理以选择性地局部加热半导体膜,这样可以在几乎不给玻璃衬底带来热损伤的情况下,实现半导体膜的晶化或激活处理。作为激光处理装置以及激光束的照射方法的例子,将参考图2说明通过使用线状激光束对形成在大型玻璃衬底上的半导体膜执行激光退火的方法。首先,使其射束点1004的长边方向的长度L为几百pi1的线状激光束1003沿线状激光束的宽度方向(图2A的箭头方向)在形成在衬底1001上的半导体膜1002上扫描。于是,半导体膜1002中的几百iam区域被激光退火(图2A)。接着,使线状激光束1003的位置平行移动等于该线状激光束1003长边方向的长度L (图2B),再使线状激光束1003沿宽度方向在半导体膜1002上扫描(图2C)。通过几百或6几千次重复上述操作,能够对形成在大型衬底1001上的半导体膜1002的整个区域进行激光退火。注意,虽然在图2中说明了使用线状激光束的例子,但是在将被转换为高次谐波的连续振荡激光束整形成线形时,为了获取足够能对半导体膜执行激光退火的能量密度,有必要缩短线状激光束的线条方向的长度,例如为几百ium。从而,当对形成在大型玻璃衬底(例如,单边为 ...
【技术保护点】
一种激光处理装置,包括: 激光振荡器; 提供在所述激光振荡器中的第一联锁器; 按一定移动周期移动的移动台; 计时器; 提供在所述计时器中的第二联锁器;以及 能够检测所述移动台的移动的传感器, 其中当 所述传感器检测到所述移动台的通过时,所述计时器开始测量时间,以及 在所述移动周期之后所述移动台未通过所述传感器时,提供在所述计时器中的第二联锁器的接点之间的导电被阻断,以便运转所述激光振荡器中的第一联锁器,从而停止来自所述激光振荡器的 激光。
【技术特征摘要】
JP 2004-11-29 2004-3432501.一种激光处理装置,包括激光振荡器;提供在所述激光振荡器中的第一联锁器;按一定移动周期移动的移动台;计时器;提供在所述计时器中的第二联锁器;以及能够检测所述移动台的移动的传感器,其中当所述传感器检测到所述移动台的通过时,所述计时器开始测量时间,以及在所述移动周期之后所述移动台未通过所述传感器时,提供在所述计时器中的第二联锁器的接点之间的导电被阻断,以便运转所述激光振荡器中的第一联锁器,从而停止来自所述激光振荡器的激光。2. 如权利要求1所述的激光处理装置,其中所述激光处理装置 还包括地震传感器。3. 如权利要求2所述的激光处理装置,其中当所述地震传感器 检测到振动时,停止来自所述激光振荡器的激光。4. 如权利要求1所述的激光处理装置,其中所述激光处理装置 还包括手动紧急停止按钮。5. 如权利要求4所述的激光处理装置,其中当按下所述手动紧 急停止按钮时,停止来自所述激光振荡器的激光。6. 如权利要求1所述的激光处理装置,其中所述激光振荡器是 连续波激光器。7. 如权利要求1所述的激光处理装置,其中所述激光振荡器是 具有OMHz或更高的频率的脉冲激光器。8. 如权利要求1所述的激光处理装置,其中所述激光振荡器是 具有80MHz或更高的频率的脉冲激光器。9. 如权利要求6所述的激光处理装置,其中所述连续波激光器 是Ar激光器、Kr激光器、(3〇2激光器、YAG激光器、YVCM敫光器、 YLF激光器、YA103激光器、GdVCM敫光器、丫2〇3激光器、红宝石激 光器、变石激光器、Ti:蓝宝石激光器和氦镉激光器中的任何一种。10. 如权利要求7所述的激光处理装置,其中所述脉冲激光器是 Ar激光器、Kr激光器、受激准分子激光器、(302激光器、YAG激光 器、丫203激光器、YV04激光器、YLF激光器、YA103激光器、GdV04 激光器、玻璃激光器、红宝石激光器、变石激光器、Ti:蓝宝石激光器、 铜蒸气激光器和金蒸气激光器中的任何一种。11. 如权利要求8所述的激光处理装置,其中所述脉冲激光器是 Ar激光器、Kr激光器、受激准分子激光器、(3〇2激光器、YAG激光 器、丫203激光器、YVCM敫光器、YLF激光器、YA103激光器、GdV04 激光器、玻璃激光器、红宝石激光器、变石激光器、Ti:蓝宝石激光器、 铜蒸气激光器和金蒸气激光器中的任何一种。12. —种激光处理方法,所述方法使用激光处理装置,所述激光 处理装置包括激光振荡器;提供在所述激光振荡器中的第一联锁器; 按一定移动周期移动的...
【专利技术属性】
技术研发人员:田中幸一郎,山本良明,小俣贵嗣,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:JP[]
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